ＳＡＷデバイス
【課題】圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を２個備え、ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたＳＡＷデバイスにおいて、一方の端子を接続したことによりスプリアス等により生じる周波数特性の歪みに起因する異常発振を抑制する。
【解決手段】低周波側に位置するＳＡＷ素子を第１のＳＡＷ素子、高周波側に位置するＳＡＷ素子を第２のＳＡＷ素子とした時に、前記第１のＳＡＷ素子の共振周波数Flr及び反共振周波数Flaと、前記第２のＳＡＷ素子の共振周波数Fhrより低周波側に生じる高次モードに起因するスプリアス周波数Fhsとの位置関係は０．９Flr≦Fhs≦０．９９９９Flr、及びFla≦Fhs≦１．１Flaであることを特徴とする。
【解決手段】低周波側に位置するＳＡＷ素子を第１のＳＡＷ素子、高周波側に位置するＳＡＷ素子を第２のＳＡＷ素子とした時に、前記第１のＳＡＷ素子の共振周波数Flr及び反共振周波数Flaと、前記第２のＳＡＷ素子の共振周波数Fhrより低周波側に生じる高次モードに起因するスプリアス周波数Fhsとの位置関係は０．９Flr≦Fhs≦０．９９９９Flr、及びFla≦Fhs≦１．１Flaであることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＡＷ共振子などのＳＡＷデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から圧電基板上に単一の共振周波数のＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）素子を備えたシングルチャンネルＳＡＷ共振子などのＳＡＷデバイスが、無線データ伝送手段として一般的に用いられている。そして、伝送されるデータ量の増加に伴い、異なる共振周波数のＳＡＷ素子を複数、たとえば２個必要とされている。そこで、２個の異なる共振周波数のＳＡＷ素子と、それぞれ個別の共振回路とを備えたマルチチャンネルＳＡＷ共振子を構成すると、このＳＡＷ共振子が大型化してしまう。このため、これらのＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたマルチチャンネルＳＡＷ共振子が検討されている。
一方で、特定の範囲（通過帯域）内の周波数を通し、特定の範囲（通過帯域）外の周波数を通さないまたは減衰させるＳＡＷフィルタにおいては、圧電基板上に中心周波数が互いに異なるＳＡＷ素子を複数備えたマルチバンドＳＡＷフィルタが開示されており、ＳＡＷ素子を構成する反射器の隣り合う電極指のピッチまたはライン比を調整することによりスプリアスの抑制を図っている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２８９２３４号公報（３頁〜９頁、図１〜図２４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を２個備え、ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたことにより、周波数特性が歪み、スプリアスなどの悪影響で異常発振が起こってしまうという課題がある。この課題は、ＳＡＷフィルタでは周波数特性が多少歪んでも、フィルタとしての機能が損なわれるほどの問題ではないが、特定の共振周波数で発振させるクロック源としてのＳＡＷ共振子などのＳＡＷデバイスでは大きな問題となる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものである。以下の形態または適用例により実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかるＳＡＷデバイスは、圧電基板と、前記圧電基板上に同一膜厚で形成された複数のＳＡＷ素子とを有し、複数の前記ＳＡＷ素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、複数の前記ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたＳＡＷデバイスであって、複数の前記ＳＡＷ素子のうち、低周波側に位置するＳＡＷ素子を第１のＳＡＷ素子、高周波側に位置するＳＡＷ素子を第２のＳＡＷ素子とした時に、前記第１のＳＡＷ素子の共振周波数Flr及び反共振周波数Flaと、前記第２のＳＡＷ素子の共振周波数Fhrより低周波側に生じる高次モードに起因するスプリアス周波数Fhsとの位置関係は０．９Flr≦Fhs≦０．９９９９Flr、及びFla≦Fhs≦１．１Flaであることを要旨とする。
【０００７】
これによれば、高次モードスプリアス周波数Fhsが、０．９９９９×低周波側共振周波数Flr以下であれば、高次モードスプリアスFhsによる低周波側共振周波数Flrへの影響が低減されるので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。そして、高次モードスプリアス周波数Fhsが、０．９×低周波側共振周波数Flr以上であれば、圧電基板上に同一膜厚で形成された複数のＳＡＷ素子の波長換算膜厚差に起因するＳＡＷ素子間の周波数温度特性、容量比、および抵抗値の差などが低周波側共振周波数Flrへ及ぼす影響を抑制するので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。
また、高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側反共振周波数Fla以上であれば、高次モードスプリアスFhsによる低周波側共振周波数Flrへの影響が低減されるので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。そして、高次モードスプリアス周波数Fhsが、１．１×低周波側反共振周波数Fla以下であれば、圧電基板上に同一膜厚で形成された複数のＳＡＷ素子の波長換算膜厚差に起因するＳＡＷ素子間の周波数温度特性、容量比、および抵抗値の差などが低周波側共振周波数Flrへ及ぼす影響を抑制するので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。
このため、高次モードスプリアス周波数Fhsが、０．９×低周波側共振周波数Flr以上、０．９９９９×低周波側共振周波数Flr以下の範囲内、または低周波側反共振周波数Fla以上、１．１×低周波側反共振周波数Fla以下の範囲内であれば、異常発振を抑制し低周波側共振周波数Flrを精度良く発振させることができる。
【０００８】
［適用例２］本適用例にかかるＳＡＷデバイスは、圧電基板と、前記圧電基板上に同一膜厚で形成された複数のＳＡＷ素子とを有し、複数の前記ＳＡＷ素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、複数の前記ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたＳＡＷデバイスであって、複数の前記ＳＡＷ素子のうち、低周波側に位置するＳＡＷ素子を第１のＳＡＷ素子、高周波側に位置するＳＡＷ素子を第２のＳＡＷ素子とした時に、前記第１のＳＡＷ素子の共振周波数Flrと、前記第２のＳＡＷ素子の共振周波数Fhrとの位置関係は、０．９Fhr≦Flr≦０．９９９９Fhrであることを要旨とする。
【０００９】
これによれば、低周波側共振周波数Flrが、０．９９９９×高周波側共振周波数Fhr以下であれば、低周波側共振特性による高周波側共振周波数Fhrへの影響が低減されるので、高周波側共振周波数Fhrの異常発振を抑制することができる。そして、低周波側共振周波数Flrが、０．９×高周波側共振周波数Fhr以上であれば、圧電基板上に同一膜厚で形成された複数のＳＡＷ素子の波長換算膜厚差に起因するＳＡＷ素子間の周波数温度特性、容量比、および抵抗値の差などが高周波側共振周波数Fhrに及ぼす影響が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態のＳＡＷ共振子を示す概略構成図。
【図２】実施例１のＳＡＷ共振子の発振状態を計測した結果を示す図。
【図３】実施例２のＳＡＷ共振子の発振状態を計測した結果を示す図。
【図４】実施例３のＳＡＷ共振子の発振状態を計測した結果を示す図。
【図５】比較例１のＳＡＷ共振子の発振状態を計測した結果を示す図。
【図６】比較例２のＳＡＷ共振子の発振状態を計測した結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下の実施形態では、ＳＡＷデバイスとしてＳＡＷ共振子を例に挙げて説明する。
【００１２】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態について、図１を参照して説明する。
図１は、第１実施形態のＳＡＷ共振子を示す概略構成図である。図１（ａ）は、ＳＡＷ素子１，２と概略平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ概略断面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ概略断面図である。
【００１３】
図１（ａ）に示すようにＳＡＷ共振子１０は、圧電基板１１と、第１および第２のＳＡＷ素子１，２と、出力側端子部ＯＵＴ１，２と、入力側端子部ＩＮとを備えている。
【００１４】
圧電基板１１は、圧電効果を有する水晶からなる。ＳＡＷ素子１，２は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）などの導電性金属材料で形成されている。ＳＡＷ素子１，２は、同一膜厚ｔで形成されている。ここで、同一膜厚ｔは設計値を示し、蒸着またはスパッタリングなどの製造方法によって形成される際の製造誤差が含まれる。そして、入力側端子部ＩＮおよび出力側端子部ＯＵＴ１，２は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）などの導電性金属材料で形成されている。
【００１５】
ＳＡＷ素子１は、出力端３と入力端５とを備えている。ＳＡＷ素子２は、出力端４と入力端５とを備えている。このようにして、ＳＡＷ素子１，２の入力端５は、共通化されている。
【００１６】
ＳＡＷ素子１は、入力端５へ接続され、共通化された入力端５の端部５Ｔから、入力側端子部ＩＮに電気的に接続されている。ＳＡＷ素子１は、出力端３へ接続され、出力端３の端部３Ｔから、出力側端子部ＯＵＴ１に電気的に接続されている。
ＳＡＷ素子２は、入力端５へ接続され、共通化された入力端５の端部５Ｔから、入力側端子部ＩＮに電気的に接続されている。ＳＡＷ素子２は、出力端４へ接続され、出力端４の端部４Ｔから、出力側端子部ＯＵＴ２に電気的に接続されている。
【００１７】
このようにして構成されたＳＡＷ素子１，２は、それぞれ異なる共振周波数を発振する。このため、以下では、ＳＡＷ素子１が低周波側共振周波数Flr及び低周波側反共振周波数Flaを有し、ＳＡＷ素子２が高周波側共振周波数Fhr及び高周波側反共振周波数Fhaを有するとして説明する。
【００１８】
低周波側のＳＡＷ素子１は、ＩＤＴ電極１２と反射器１３とを備えている。
ＩＤＴ電極１２は、複数の電極指１４，１５とバスバー１６，１７とを備えている。電極指１４と電極指１５とが交互に配置されるとともに、接触しないように形成されている。複数の電極指１４は、バスバー１６に連結されている。複数の電極指１５は、バスバー１７に連結されている。
図１（ｂ）に示すように電極指１４と、電極指１５を隔てた隣の電極指１４とは、間隔（波長）λ１で配置されている。同様に、電極指１５と、電極指１４を隔てた隣の電極指１５とは、間隔（波長）λ１で配置されている。また、電極指１４，１５の数量、長さ、および幅員は、適宜決定される。
【００１９】
電極指１４は、バスバー１６を経由して共通化された入力端５へ接続され、端部５Ｔから入力側端子部ＩＮに接続されている。そして、電極指１５は、バスバー１７を経由して出力端３へ接続され、端部３Ｔから出力側端子部ＯＵＴ１に接続されている。ここで、入力端５ならびに出力端３の長さおよび幅員は、それぞれ適宜決定される。そして、低周波側共振周波数Flrが出力される。
【００２０】
反射器１３は、ＩＤＴ電極１２で励振される弾性表面波が伝播する方向に、ＩＤＴ電極１２を両側から挟むように配置されている。そして、反射器１３は、反射器バスバー１９と、電極指１４，１５に対して対向して形成された複数の反射指１８とが連結された構造となっている。
【００２１】
高周波側のＳＡＷ素子２は、ＩＤＴ電極２２と反射器２３とを備えている。
ＩＤＴ電極２２は、複数の電極指２４，２５とバスバー２６，２７とを備えている。電極指２４と電極指２５とが交互に配置されるとともに、接触しないように形成されている。複数の電極指２４は、バスバー２６に連結されている。複数の電極指２５は、バスバー２７に連結されている。
図１（ｃ）に示すように電極指２４と、電極指２５を隔てた隣の電極指２４とは、間隔（波長）λ２で配置されている。同様に、電極指２５と、電極指２４を隔てた隣の電極指２５とは、間隔（波長）λ２で配置されている。また、電極指２４，２５の数量、長さ、および幅員は、適宜決定される。
【００２２】
図１に示すように、高周波側のＳＡＷ素子２の間隔（波長）λ２は、低周波側のＳＡＷ素子１の間隔（波長）λ１に対して短い。
【００２３】
電極指２５は、バスバー２７を経由して共通化された入力端５へ接続され、端部５Ｔから入力側端子部ＩＮに接続されている。そして、電極指２４は、バスバー２６を経由して出力端４へ接続され、端部４Ｔから出力側端子部ＯＵＴ２に接続されている。ここで、出力端４の長さおよび幅員は、適宜決定される。そして、高周波側共振周波数Fhrが出力される。
【００２４】
反射器２３は、ＩＤＴ電極２２で励振される弾性表面波が伝播する方向に、ＩＤＴ電極２２を両側から挟むように配置されている。そして、反射器２３は、反射器バスバー２９と、電極指２４，２５に対して対向して形成された複数の反射指２８とが連結された構造となっている。反射指１８，２８の数量、長さ、および幅員は、適宜決定される。
【００２５】
そして、高周波側共振周波数Fhrより低周波側に現れる高次モードに起因するスプリアス周波数Fhsが、低周波側共振周波数Flrから１００ｐｐｍ以上離れて（つまり０．９９９９Flr以下）、低周波側共振周波数Flrの１０％以内（つまり０．９Flr以上）の範囲内である。そして、高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側反共振周波数Fla以上で低周波側反共振周波数Flaの１０％以内（１．１Fla以下）の範囲内である。
または、低周波側共振周波数Flrが、高周波側共振周波数Fhrから１００ｐｐｍ以上離れて（つまり０．９９９９Fhr以下）、高周波側共振周波数Fhrの１０％以内（０．９Fhr以上）の範囲内である。
【００２６】
したがって、本実施形態によれば、高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側共振周波数Flrから１００ｐｐｍ以上離れていれば、つまり０．９９９９×低周波側共振周波数Flr以下であれば、高次モードスプリアスFhsによる低周波側共振周波数Flrへの影響が低減されるので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。そして、高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側共振周波数Flrの−１０％以内、つまり０．９×低周波側共振周波数Flr以上であれば、圧電基板１１上に同一膜厚ｔで形成された複数のＳＡＷ素子１，２の波長換算膜厚ｔ差に起因するＳＡＷ素子１，２間の周波数温度特性、容量比、および抵抗値の差などが低周波側共振周波数Flrへ及ぼす影響を抑制するので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。
また、高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側反共振周波数Fla以上であれば、高次モードスプリアスFhsによる低周波側共振周波数Flrへの影響が低減されるので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。そして、高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側反共振周波数Flaから１０％以内、つまり１．１×低周波側反共振周波数Fla以下であれば、圧電基板１１上に同一膜厚ｔで形成された複数のＳＡＷ素子１，２の波長換算膜厚ｔ差に起因するＳＡＷ素子１，２間の周波数温度特性、容量比、および抵抗値の差などが低周波側共振周波数Flrへ及ぼす影響を抑制するので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。
このため、高次モードスプリアス周波数Fhsが、０．９×低周波側共振周波数Flr以上、０．９９９９×低周波側共振周波数Flr以下の範囲内、または低周波側反共振周波数Fla以上、１．１×低周波側反共振周波数Fla以下の範囲内であれば、異常発振を抑制し低周波側共振周波数Flrを精度良く発振させることができる。
【００２７】
また、低周波側共振周波数Flrが、高周波側共振周波数Fhrから高周波側共振周波数Fhrより１００ｐｐｍ以上離れていれば、つまり０．９９９９×高周波側共振周波数Fhr以下であれば、低周波側共振特性による高周波側共振周波数Fhrへの影響が低減されるので、高周波側共振周波数Fhrの異常発振を抑制することができる。そして、低周波側共振周波数Flrが、高周波側共振周波数Fhrの１０％以内、つまり０．９×高周波側共振周波数Fhr以上であれば、圧電基板１１上に同一膜厚ｔで形成された複数のＳＡＷ素子１，２の波長換算膜厚ｔ差に起因するＳＡＷ素子１，２間の周波数温度特性、容量比、および抵抗値の差などが高周波側共振周波数Fhrに及ぼす影響が抑制される。
【００２８】
以下に、本実施形態の実施例１〜実施例３について、それぞれ図２〜図４を参照して説明する。そして、ＳＡＷ素子１及びＳＡＷ素子２の周波数特性を観察した。
【００２９】
（実施例１）
以下に、本実施形態の実施例１について、図２を参照して説明する。
【００３０】
図２は、高周波側ＳＡＷ素子の共振周波数から低周波側に現れる高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側共振周波数Flrから１００ｐｐｍ以上離れて（つまり、０．９９９９Flr以下）、低周波側共振周波数Flrの１０％以内（つまり０．９Flr以上）の範囲内であるとしたＳＡＷ共振子１０の周波数特性を計測した結果を示す図である。低周波側共振周波数Flrを発振するＳＡＷ素子１の周波数特性を実線で示し、高周波側共振周波数Fhrを発振するＳＡＷ素子２の周波数特性を破線で示す。
【００３１】
図２に示すように、高次モードスプリアス周波数Fhsが上記範囲内であれば、一点鎖線で囲んだＳＡＷ素子１の周波数特性に影響はあるが、低周波側共振周波数Flrから離れているため、低周波側共振周波数Flrの異常発振は抑制される。
【００３２】
（実施例２）
以下に、本実施形態の実施例２について、図３を参照して説明する。
【００３３】
図３は、高周波側ＳＡＷ素子の共振周波数から低周波側に現れる高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側反共振周波数Fla以上で低周波側反共振周波数Flaの１０％以内（つまり１．１Fla以下）の範囲内であるとしたＳＡＷ共振子１０の周波数特性を計測した結果を示す図である。低周波側共振周波数Flrを発振するＳＡＷ素子１の周波数特性を実線で示し、高周波側共振周波数Fhrを発振するＳＡＷ素子２の周波数特性を破線で示す。
【００３４】
図３に示すように、高次モードスプリアス周波数Fhsが上記範囲内であれば、一点鎖線で囲んだＳＡＷ素子１の周波数特性に影響はあるが、低周波側共振周波数Flrから離れているため、低周波側共振周波数Flrの異常発振は抑制される。
【００３５】
（実施例３）
以下に、本実施形態の実施例３について、図４を参照して説明する。
【００３６】
図４は、低周波側共振周波数Flrが、高周波側共振周波数Fhrから１００ｐｐｍ以上離れて（つまり０．９９９９Fhr以下）、低周波側共振周波数Flrの１０％以内（つまり０．９Fhr以上）の範囲内であるとしたＳＡＷ共振子１０の周波数特性を計測した結果を示す図である。低周波側共振周波数Flrを発振するＳＡＷ素子１の周波数特性を実線で示し、高周波側共振周波数Fhrを発振するＳＡＷ素子２の周波数特性を破線で示す。
【００３７】
図４に示すように、低周波側共振周波数Flrが上記範囲内であれば、一点鎖線で囲んだＳＡＷ素子２の周波数特性に悪影響はなく、高周波側共振周波数Fhrの異常発振は抑制される。
【００３８】
以下に、比較例１および比較例２について、それぞれ図５および図６を参照して説明する。そして、ＳＡＷ素子１及びＳＡＷ素子２の周波数特性を観察した。
【００３９】
（比較例１）
図５は、高周波側ＳＡＷ素子の共振周波数Fhrから低周波側に現れる高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側共振周波数Flrから１００ｐｐｍ未満離れて（つまり０．９９９９Flrを超えて）、低周波側共振周波数Flr未満の範囲内であるとしたＳＡＷ共振子の周波数特性を計測した結果を示す図である。低周波側共振周波数Flrを発振するＳＡＷ素子１の周波数特性を実線で示し、高周波側共振周波数Fhrを発振するＳＡＷ素子２の周波数特性を破線で示す。
【００４０】
図５に示すように、高次モードスプリアス周波数Fhsが上記範囲内であると、ＳＡＷ素子１の周波数特性に影響があり、高次モードスプリアス周波数Fhsが低周波側共振周波数Flrに近いため、低周波側共振周波数Flrの異常発振が発生する可能性が高い。
【００４１】
（比較例２）
図６は、高周波側ＳＡＷ素子の共振周波数Fhrから低周波側に現れる高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側共振周波数Flrを超えて、低周波側反共振周波数Fla未満の範囲内であるとしたＳＡＷ共振子の周波数特性を計測した結果を示す図である。低周波側共振周波数Flrを発振するＳＡＷ素子１の周波数特性を実線で示し、高周波側共振周波数Fhrを発振するＳＡＷ素子２の周波数特性を破線で示す。
【００４２】
図６に示すように、高次モードスプリアス周波数Fhsがこの範囲内であれば、一点鎖線で囲んだＳＡＷ素子１の周波数特性に影響があり、高次モードスプリアス周波数Fhsが低周波側共振周波数Flrに近いため、低周波側共振周波数Flrの異常発振が発生する可能性が高い。
【００４３】
したがって、実施例１〜実施例３によれば、上述の本実施形態と同様の効果を奏することが確認できる。
【００４４】
なお、上記課題の少なくとも一部を解決できる範囲での変形、改良などは前述の実施形態に含まれるものである。
【００４５】
たとえば、圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を２個備え、ＳＡＷ素子の入力端が共通端子により接続されて共通化されたＳＡＷ共振子を例に挙げて説明したがこれに限るものではなく、圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を複数備え、ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたＳＡＷ共振子であってもよい。
【００４６】
ＳＡＷ素子の入力端が共通端子により接続されて共通化されたことを例に挙げて説明したがこれに限るものではなく、ＳＡＷ素子の出力端が共通端子により接続されることで共通化されてもよい。
【００４７】
ＳＡＷデバイスとしてＳＡＷ共振子を例に挙げて説明したがこれに限るものではなく、発振回路を備えたＳＡＷ発振器、またはモジュール化されたＳＡＷモジュールであってもよい。
【００４８】
圧電基板の材料としては、水晶だけに限らず、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの圧電体、または、シリコンなどの半導体であってもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１，２…ＳＡＷ素子、３，４…出力端、５…入力端、１０…ＳＡＷ共振子、１１…圧電基板、Flr…低周波側共振周波数、Fhr…高周波側共振周波数、Fhs…高次モードスプリアス周波数、Fla…低周波側反共振周波数、ｔ…膜厚、ＯＵＴ１，２…出力側端子部、ＩＮ…入力側端子部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＡＷ共振子などのＳＡＷデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から圧電基板上に単一の共振周波数のＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）素子を備えたシングルチャンネルＳＡＷ共振子などのＳＡＷデバイスが、無線データ伝送手段として一般的に用いられている。そして、伝送されるデータ量の増加に伴い、異なる共振周波数のＳＡＷ素子を複数、たとえば２個必要とされている。そこで、２個の異なる共振周波数のＳＡＷ素子と、それぞれ個別の共振回路とを備えたマルチチャンネルＳＡＷ共振子を構成すると、このＳＡＷ共振子が大型化してしまう。このため、これらのＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたマルチチャンネルＳＡＷ共振子が検討されている。
一方で、特定の範囲（通過帯域）内の周波数を通し、特定の範囲（通過帯域）外の周波数を通さないまたは減衰させるＳＡＷフィルタにおいては、圧電基板上に中心周波数が互いに異なるＳＡＷ素子を複数備えたマルチバンドＳＡＷフィルタが開示されており、ＳＡＷ素子を構成する反射器の隣り合う電極指のピッチまたはライン比を調整することによりスプリアスの抑制を図っている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２８９２３４号公報（３頁〜９頁、図１〜図２４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を２個備え、ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたことにより、周波数特性が歪み、スプリアスなどの悪影響で異常発振が起こってしまうという課題がある。この課題は、ＳＡＷフィルタでは周波数特性が多少歪んでも、フィルタとしての機能が損なわれるほどの問題ではないが、特定の共振周波数で発振させるクロック源としてのＳＡＷ共振子などのＳＡＷデバイスでは大きな問題となる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものである。以下の形態または適用例により実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかるＳＡＷデバイスは、圧電基板と、前記圧電基板上に同一膜厚で形成された複数のＳＡＷ素子とを有し、複数の前記ＳＡＷ素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、複数の前記ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたＳＡＷデバイスであって、複数の前記ＳＡＷ素子のうち、低周波側に位置するＳＡＷ素子を第１のＳＡＷ素子、高周波側に位置するＳＡＷ素子を第２のＳＡＷ素子とした時に、前記第１のＳＡＷ素子の共振周波数Flr及び反共振周波数Flaと、前記第２のＳＡＷ素子の共振周波数Fhrより低周波側に生じる高次モードに起因するスプリアス周波数Fhsとの位置関係は０．９Flr≦Fhs≦０．９９９９Flr、及びFla≦Fhs≦１．１Flaであることを要旨とする。
【０００７】
これによれば、高次モードスプリアス周波数Fhsが、０．９９９９×低周波側共振周波数Flr以下であれば、高次モードスプリアスFhsによる低周波側共振周波数Flrへの影響が低減されるので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。そして、高次モードスプリアス周波数Fhsが、０．９×低周波側共振周波数Flr以上であれば、圧電基板上に同一膜厚で形成された複数のＳＡＷ素子の波長換算膜厚差に起因するＳＡＷ素子間の周波数温度特性、容量比、および抵抗値の差などが低周波側共振周波数Flrへ及ぼす影響を抑制するので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。
また、高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側反共振周波数Fla以上であれば、高次モードスプリアスFhsによる低周波側共振周波数Flrへの影響が低減されるので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。そして、高次モードスプリアス周波数Fhsが、１．１×低周波側反共振周波数Fla以下であれば、圧電基板上に同一膜厚で形成された複数のＳＡＷ素子の波長換算膜厚差に起因するＳＡＷ素子間の周波数温度特性、容量比、および抵抗値の差などが低周波側共振周波数Flrへ及ぼす影響を抑制するので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。
このため、高次モードスプリアス周波数Fhsが、０．９×低周波側共振周波数Flr以上、０．９９９９×低周波側共振周波数Flr以下の範囲内、または低周波側反共振周波数Fla以上、１．１×低周波側反共振周波数Fla以下の範囲内であれば、異常発振を抑制し低周波側共振周波数Flrを精度良く発振させることができる。
【０００８】
［適用例２］本適用例にかかるＳＡＷデバイスは、圧電基板と、前記圧電基板上に同一膜厚で形成された複数のＳＡＷ素子とを有し、複数の前記ＳＡＷ素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、複数の前記ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたＳＡＷデバイスであって、複数の前記ＳＡＷ素子のうち、低周波側に位置するＳＡＷ素子を第１のＳＡＷ素子、高周波側に位置するＳＡＷ素子を第２のＳＡＷ素子とした時に、前記第１のＳＡＷ素子の共振周波数Flrと、前記第２のＳＡＷ素子の共振周波数Fhrとの位置関係は、０．９Fhr≦Flr≦０．９９９９Fhrであることを要旨とする。
【０００９】
これによれば、低周波側共振周波数Flrが、０．９９９９×高周波側共振周波数Fhr以下であれば、低周波側共振特性による高周波側共振周波数Fhrへの影響が低減されるので、高周波側共振周波数Fhrの異常発振を抑制することができる。そして、低周波側共振周波数Flrが、０．９×高周波側共振周波数Fhr以上であれば、圧電基板上に同一膜厚で形成された複数のＳＡＷ素子の波長換算膜厚差に起因するＳＡＷ素子間の周波数温度特性、容量比、および抵抗値の差などが高周波側共振周波数Fhrに及ぼす影響が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態のＳＡＷ共振子を示す概略構成図。
【図２】実施例１のＳＡＷ共振子の発振状態を計測した結果を示す図。
【図３】実施例２のＳＡＷ共振子の発振状態を計測した結果を示す図。
【図４】実施例３のＳＡＷ共振子の発振状態を計測した結果を示す図。
【図５】比較例１のＳＡＷ共振子の発振状態を計測した結果を示す図。
【図６】比較例２のＳＡＷ共振子の発振状態を計測した結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下の実施形態では、ＳＡＷデバイスとしてＳＡＷ共振子を例に挙げて説明する。
【００１２】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態について、図１を参照して説明する。
図１は、第１実施形態のＳＡＷ共振子を示す概略構成図である。図１（ａ）は、ＳＡＷ素子１，２と概略平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ概略断面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ概略断面図である。
【００１３】
図１（ａ）に示すようにＳＡＷ共振子１０は、圧電基板１１と、第１および第２のＳＡＷ素子１，２と、出力側端子部ＯＵＴ１，２と、入力側端子部ＩＮとを備えている。
【００１４】
圧電基板１１は、圧電効果を有する水晶からなる。ＳＡＷ素子１，２は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）などの導電性金属材料で形成されている。ＳＡＷ素子１，２は、同一膜厚ｔで形成されている。ここで、同一膜厚ｔは設計値を示し、蒸着またはスパッタリングなどの製造方法によって形成される際の製造誤差が含まれる。そして、入力側端子部ＩＮおよび出力側端子部ＯＵＴ１，２は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）などの導電性金属材料で形成されている。
【００１５】
ＳＡＷ素子１は、出力端３と入力端５とを備えている。ＳＡＷ素子２は、出力端４と入力端５とを備えている。このようにして、ＳＡＷ素子１，２の入力端５は、共通化されている。
【００１６】
ＳＡＷ素子１は、入力端５へ接続され、共通化された入力端５の端部５Ｔから、入力側端子部ＩＮに電気的に接続されている。ＳＡＷ素子１は、出力端３へ接続され、出力端３の端部３Ｔから、出力側端子部ＯＵＴ１に電気的に接続されている。
ＳＡＷ素子２は、入力端５へ接続され、共通化された入力端５の端部５Ｔから、入力側端子部ＩＮに電気的に接続されている。ＳＡＷ素子２は、出力端４へ接続され、出力端４の端部４Ｔから、出力側端子部ＯＵＴ２に電気的に接続されている。
【００１７】
このようにして構成されたＳＡＷ素子１，２は、それぞれ異なる共振周波数を発振する。このため、以下では、ＳＡＷ素子１が低周波側共振周波数Flr及び低周波側反共振周波数Flaを有し、ＳＡＷ素子２が高周波側共振周波数Fhr及び高周波側反共振周波数Fhaを有するとして説明する。
【００１８】
低周波側のＳＡＷ素子１は、ＩＤＴ電極１２と反射器１３とを備えている。
ＩＤＴ電極１２は、複数の電極指１４，１５とバスバー１６，１７とを備えている。電極指１４と電極指１５とが交互に配置されるとともに、接触しないように形成されている。複数の電極指１４は、バスバー１６に連結されている。複数の電極指１５は、バスバー１７に連結されている。
図１（ｂ）に示すように電極指１４と、電極指１５を隔てた隣の電極指１４とは、間隔（波長）λ１で配置されている。同様に、電極指１５と、電極指１４を隔てた隣の電極指１５とは、間隔（波長）λ１で配置されている。また、電極指１４，１５の数量、長さ、および幅員は、適宜決定される。
【００１９】
電極指１４は、バスバー１６を経由して共通化された入力端５へ接続され、端部５Ｔから入力側端子部ＩＮに接続されている。そして、電極指１５は、バスバー１７を経由して出力端３へ接続され、端部３Ｔから出力側端子部ＯＵＴ１に接続されている。ここで、入力端５ならびに出力端３の長さおよび幅員は、それぞれ適宜決定される。そして、低周波側共振周波数Flrが出力される。
【００２０】
反射器１３は、ＩＤＴ電極１２で励振される弾性表面波が伝播する方向に、ＩＤＴ電極１２を両側から挟むように配置されている。そして、反射器１３は、反射器バスバー１９と、電極指１４，１５に対して対向して形成された複数の反射指１８とが連結された構造となっている。
【００２１】
高周波側のＳＡＷ素子２は、ＩＤＴ電極２２と反射器２３とを備えている。
ＩＤＴ電極２２は、複数の電極指２４，２５とバスバー２６，２７とを備えている。電極指２４と電極指２５とが交互に配置されるとともに、接触しないように形成されている。複数の電極指２４は、バスバー２６に連結されている。複数の電極指２５は、バスバー２７に連結されている。
図１（ｃ）に示すように電極指２４と、電極指２５を隔てた隣の電極指２４とは、間隔（波長）λ２で配置されている。同様に、電極指２５と、電極指２４を隔てた隣の電極指２５とは、間隔（波長）λ２で配置されている。また、電極指２４，２５の数量、長さ、および幅員は、適宜決定される。
【００２２】
図１に示すように、高周波側のＳＡＷ素子２の間隔（波長）λ２は、低周波側のＳＡＷ素子１の間隔（波長）λ１に対して短い。
【００２３】
電極指２５は、バスバー２７を経由して共通化された入力端５へ接続され、端部５Ｔから入力側端子部ＩＮに接続されている。そして、電極指２４は、バスバー２６を経由して出力端４へ接続され、端部４Ｔから出力側端子部ＯＵＴ２に接続されている。ここで、出力端４の長さおよび幅員は、適宜決定される。そして、高周波側共振周波数Fhrが出力される。
【００２４】
反射器２３は、ＩＤＴ電極２２で励振される弾性表面波が伝播する方向に、ＩＤＴ電極２２を両側から挟むように配置されている。そして、反射器２３は、反射器バスバー２９と、電極指２４，２５に対して対向して形成された複数の反射指２８とが連結された構造となっている。反射指１８，２８の数量、長さ、および幅員は、適宜決定される。
【００２５】
そして、高周波側共振周波数Fhrより低周波側に現れる高次モードに起因するスプリアス周波数Fhsが、低周波側共振周波数Flrから１００ｐｐｍ以上離れて（つまり０．９９９９Flr以下）、低周波側共振周波数Flrの１０％以内（つまり０．９Flr以上）の範囲内である。そして、高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側反共振周波数Fla以上で低周波側反共振周波数Flaの１０％以内（１．１Fla以下）の範囲内である。
または、低周波側共振周波数Flrが、高周波側共振周波数Fhrから１００ｐｐｍ以上離れて（つまり０．９９９９Fhr以下）、高周波側共振周波数Fhrの１０％以内（０．９Fhr以上）の範囲内である。
【００２６】
したがって、本実施形態によれば、高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側共振周波数Flrから１００ｐｐｍ以上離れていれば、つまり０．９９９９×低周波側共振周波数Flr以下であれば、高次モードスプリアスFhsによる低周波側共振周波数Flrへの影響が低減されるので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。そして、高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側共振周波数Flrの−１０％以内、つまり０．９×低周波側共振周波数Flr以上であれば、圧電基板１１上に同一膜厚ｔで形成された複数のＳＡＷ素子１，２の波長換算膜厚ｔ差に起因するＳＡＷ素子１，２間の周波数温度特性、容量比、および抵抗値の差などが低周波側共振周波数Flrへ及ぼす影響を抑制するので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。
また、高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側反共振周波数Fla以上であれば、高次モードスプリアスFhsによる低周波側共振周波数Flrへの影響が低減されるので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。そして、高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側反共振周波数Flaから１０％以内、つまり１．１×低周波側反共振周波数Fla以下であれば、圧電基板１１上に同一膜厚ｔで形成された複数のＳＡＷ素子１，２の波長換算膜厚ｔ差に起因するＳＡＷ素子１，２間の周波数温度特性、容量比、および抵抗値の差などが低周波側共振周波数Flrへ及ぼす影響を抑制するので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。
このため、高次モードスプリアス周波数Fhsが、０．９×低周波側共振周波数Flr以上、０．９９９９×低周波側共振周波数Flr以下の範囲内、または低周波側反共振周波数Fla以上、１．１×低周波側反共振周波数Fla以下の範囲内であれば、異常発振を抑制し低周波側共振周波数Flrを精度良く発振させることができる。
【００２７】
また、低周波側共振周波数Flrが、高周波側共振周波数Fhrから高周波側共振周波数Fhrより１００ｐｐｍ以上離れていれば、つまり０．９９９９×高周波側共振周波数Fhr以下であれば、低周波側共振特性による高周波側共振周波数Fhrへの影響が低減されるので、高周波側共振周波数Fhrの異常発振を抑制することができる。そして、低周波側共振周波数Flrが、高周波側共振周波数Fhrの１０％以内、つまり０．９×高周波側共振周波数Fhr以上であれば、圧電基板１１上に同一膜厚ｔで形成された複数のＳＡＷ素子１，２の波長換算膜厚ｔ差に起因するＳＡＷ素子１，２間の周波数温度特性、容量比、および抵抗値の差などが高周波側共振周波数Fhrに及ぼす影響が抑制される。
【００２８】
以下に、本実施形態の実施例１〜実施例３について、それぞれ図２〜図４を参照して説明する。そして、ＳＡＷ素子１及びＳＡＷ素子２の周波数特性を観察した。
【００２９】
（実施例１）
以下に、本実施形態の実施例１について、図２を参照して説明する。
【００３０】
図２は、高周波側ＳＡＷ素子の共振周波数から低周波側に現れる高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側共振周波数Flrから１００ｐｐｍ以上離れて（つまり、０．９９９９Flr以下）、低周波側共振周波数Flrの１０％以内（つまり０．９Flr以上）の範囲内であるとしたＳＡＷ共振子１０の周波数特性を計測した結果を示す図である。低周波側共振周波数Flrを発振するＳＡＷ素子１の周波数特性を実線で示し、高周波側共振周波数Fhrを発振するＳＡＷ素子２の周波数特性を破線で示す。
【００３１】
図２に示すように、高次モードスプリアス周波数Fhsが上記範囲内であれば、一点鎖線で囲んだＳＡＷ素子１の周波数特性に影響はあるが、低周波側共振周波数Flrから離れているため、低周波側共振周波数Flrの異常発振は抑制される。
【００３２】
（実施例２）
以下に、本実施形態の実施例２について、図３を参照して説明する。
【００３３】
図３は、高周波側ＳＡＷ素子の共振周波数から低周波側に現れる高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側反共振周波数Fla以上で低周波側反共振周波数Flaの１０％以内（つまり１．１Fla以下）の範囲内であるとしたＳＡＷ共振子１０の周波数特性を計測した結果を示す図である。低周波側共振周波数Flrを発振するＳＡＷ素子１の周波数特性を実線で示し、高周波側共振周波数Fhrを発振するＳＡＷ素子２の周波数特性を破線で示す。
【００３４】
図３に示すように、高次モードスプリアス周波数Fhsが上記範囲内であれば、一点鎖線で囲んだＳＡＷ素子１の周波数特性に影響はあるが、低周波側共振周波数Flrから離れているため、低周波側共振周波数Flrの異常発振は抑制される。
【００３５】
（実施例３）
以下に、本実施形態の実施例３について、図４を参照して説明する。
【００３６】
図４は、低周波側共振周波数Flrが、高周波側共振周波数Fhrから１００ｐｐｍ以上離れて（つまり０．９９９９Fhr以下）、低周波側共振周波数Flrの１０％以内（つまり０．９Fhr以上）の範囲内であるとしたＳＡＷ共振子１０の周波数特性を計測した結果を示す図である。低周波側共振周波数Flrを発振するＳＡＷ素子１の周波数特性を実線で示し、高周波側共振周波数Fhrを発振するＳＡＷ素子２の周波数特性を破線で示す。
【００３７】
図４に示すように、低周波側共振周波数Flrが上記範囲内であれば、一点鎖線で囲んだＳＡＷ素子２の周波数特性に悪影響はなく、高周波側共振周波数Fhrの異常発振は抑制される。
【００３８】
以下に、比較例１および比較例２について、それぞれ図５および図６を参照して説明する。そして、ＳＡＷ素子１及びＳＡＷ素子２の周波数特性を観察した。
【００３９】
（比較例１）
図５は、高周波側ＳＡＷ素子の共振周波数Fhrから低周波側に現れる高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側共振周波数Flrから１００ｐｐｍ未満離れて（つまり０．９９９９Flrを超えて）、低周波側共振周波数Flr未満の範囲内であるとしたＳＡＷ共振子の周波数特性を計測した結果を示す図である。低周波側共振周波数Flrを発振するＳＡＷ素子１の周波数特性を実線で示し、高周波側共振周波数Fhrを発振するＳＡＷ素子２の周波数特性を破線で示す。
【００４０】
図５に示すように、高次モードスプリアス周波数Fhsが上記範囲内であると、ＳＡＷ素子１の周波数特性に影響があり、高次モードスプリアス周波数Fhsが低周波側共振周波数Flrに近いため、低周波側共振周波数Flrの異常発振が発生する可能性が高い。
【００４１】
（比較例２）
図６は、高周波側ＳＡＷ素子の共振周波数Fhrから低周波側に現れる高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側共振周波数Flrを超えて、低周波側反共振周波数Fla未満の範囲内であるとしたＳＡＷ共振子の周波数特性を計測した結果を示す図である。低周波側共振周波数Flrを発振するＳＡＷ素子１の周波数特性を実線で示し、高周波側共振周波数Fhrを発振するＳＡＷ素子２の周波数特性を破線で示す。
【００４２】
図６に示すように、高次モードスプリアス周波数Fhsがこの範囲内であれば、一点鎖線で囲んだＳＡＷ素子１の周波数特性に影響があり、高次モードスプリアス周波数Fhsが低周波側共振周波数Flrに近いため、低周波側共振周波数Flrの異常発振が発生する可能性が高い。
【００４３】
したがって、実施例１〜実施例３によれば、上述の本実施形態と同様の効果を奏することが確認できる。
【００４４】
なお、上記課題の少なくとも一部を解決できる範囲での変形、改良などは前述の実施形態に含まれるものである。
【００４５】
たとえば、圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を２個備え、ＳＡＷ素子の入力端が共通端子により接続されて共通化されたＳＡＷ共振子を例に挙げて説明したがこれに限るものではなく、圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を複数備え、ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたＳＡＷ共振子であってもよい。
【００４６】
ＳＡＷ素子の入力端が共通端子により接続されて共通化されたことを例に挙げて説明したがこれに限るものではなく、ＳＡＷ素子の出力端が共通端子により接続されることで共通化されてもよい。
【００４７】
ＳＡＷデバイスとしてＳＡＷ共振子を例に挙げて説明したがこれに限るものではなく、発振回路を備えたＳＡＷ発振器、またはモジュール化されたＳＡＷモジュールであってもよい。
【００４８】
圧電基板の材料としては、水晶だけに限らず、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの圧電体、または、シリコンなどの半導体であってもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１，２…ＳＡＷ素子、３，４…出力端、５…入力端、１０…ＳＡＷ共振子、１１…圧電基板、Flr…低周波側共振周波数、Fhr…高周波側共振周波数、Fhs…高次モードスプリアス周波数、Fla…低周波側反共振周波数、ｔ…膜厚、ＯＵＴ１，２…出力側端子部、ＩＮ…入力側端子部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に同一膜厚で形成された複数のＳＡＷ素子とを有し、
複数の前記ＳＡＷ素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、
複数の前記ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたＳＡＷデバイスであって、
複数の前記ＳＡＷ素子のうち、低周波側に位置するＳＡＷ素子を第１のＳＡＷ素子、高周波側に位置するＳＡＷ素子を第２のＳＡＷ素子とした時に、前記第１のＳＡＷ素子の共振周波数Flr及び反共振周波数Flaと、前記第２のＳＡＷ素子の共振周波数Fhrより低周波側に生じる高次モードに起因するスプリアス周波数Fhsとの位置関係は０．９Flr≦Fhs≦０．９９９９Flr、及びFla≦Fhs≦１．１Flaであることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項２】
圧電基板と、
前記圧電基板上に同一膜厚で形成された複数のＳＡＷ素子とを有し、
複数の前記ＳＡＷ素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、
複数の前記ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたＳＡＷデバイスであって、
複数の前記ＳＡＷ素子のうち、低周波側に位置するＳＡＷ素子を第１のＳＡＷ素子、高周波側に位置するＳＡＷ素子を第２のＳＡＷ素子とした時に、前記第１のＳＡＷ素子の共振周波数Flrと、前記第２のＳＡＷ素子の共振周波数Fhrとの位置関係は、０．９Fhr≦Flr≦０．９９９９Fhrであることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に同一膜厚で形成された複数のＳＡＷ素子とを有し、
複数の前記ＳＡＷ素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、
複数の前記ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたＳＡＷデバイスであって、
複数の前記ＳＡＷ素子のうち、低周波側に位置するＳＡＷ素子を第１のＳＡＷ素子、高周波側に位置するＳＡＷ素子を第２のＳＡＷ素子とした時に、前記第１のＳＡＷ素子の共振周波数Flr及び反共振周波数Flaと、前記第２のＳＡＷ素子の共振周波数Fhrより低周波側に生じる高次モードに起因するスプリアス周波数Fhsとの位置関係は０．９Flr≦Fhs≦０．９９９９Flr、及びFla≦Fhs≦１．１Flaであることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項２】
圧電基板と、
前記圧電基板上に同一膜厚で形成された複数のＳＡＷ素子とを有し、
複数の前記ＳＡＷ素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、
複数の前記ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたＳＡＷデバイスであって、
複数の前記ＳＡＷ素子のうち、低周波側に位置するＳＡＷ素子を第１のＳＡＷ素子、高周波側に位置するＳＡＷ素子を第２のＳＡＷ素子とした時に、前記第１のＳＡＷ素子の共振周波数Flrと、前記第２のＳＡＷ素子の共振周波数Fhrとの位置関係は、０．９Fhr≦Flr≦０．９９９９Fhrであることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１０−１９３１３５（Ｐ２０１０−１９３１３５Ａ）
【公開日】平成２２年９月２日（２０１０．９．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−３４８７８（Ｐ２００９−３４８７８）
【出願日】平成２１年２月１８日（２００９．２．１８）
【出願人】（０００００３１０４）エプソントヨコム株式会社 (1,528)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月２日（２０１０．９．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年２月１８日（２００９．２．１８）
【出願人】（０００００３１０４）エプソントヨコム株式会社 (1,528)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]