ＴＦＴ基板の製造方法

【課題】ＴＦＴ基板の品質を良好にし、ＴＦＴ基板の製造コストを安価にする。
【解決手段】厚さ６０ｎｍのＣｒ膜２８、厚さ３００ｎｍのＡｌ−Ｓｉ膜２９をスパッタリングにより連続成膜し、この上にレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストをマスクにしてＡｌ−Ｓｉ膜２９をリン酸：硝酸：酢酸：水系のエッチング液を使用したウエットエッチングにより加工したのち、Ｃｒ膜２８をＣＦ₄＋Ｏ₂ガスを使用したドライエッチングにより加工し、画素電極２４と接続されたソース電極３１、映像信号線（図示せず）と接続されたドレイン電極３２を形成し、つぎにＮ⁺型非晶質Ｓｉ膜をＳＦ₆＋ＨＣｌガスを使用したドライエッチングにより加工し、Ｎ⁺型半導体層２７を形成する。

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアクティブ・マトリックス方式の液晶表示装置のＴＦＴ（Thin FilmTransistor；薄膜トランジスタ）を有するＴＦＴ基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４により従来の逆スタガ型のＴＦＴ基板の製造方法について説明する。まず、図４(ａ)に示すように、ガラス基板１上にＡｌ膜を成膜し、Ａｌ膜をホトエッチングプロセスによりパターン化し、走査信号線（図示せず）と接続されたゲート電極２を形成する。つぎに、図４(ｂ)に示すように、陽極酸化処理を行なうことによりゲート電極２等の表面にＡｌ₂Ｏ₃からなる陽極酸化膜３を形成する。つぎに、図４(ｃ)に示すように、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜を成膜し、ＩＴＯ膜をホトエッチングプロセスによりパターン化し、画素電極４を形成する。つぎに、図４(ｄ)に示すように、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＮ膜、導電型決定不純物がドープされていないｉ型非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜、リン（Ｐ）をドープしたＮ⁺型非晶質Ｓｉ膜を連続成膜し、ｉ型非晶質Ｓｉ膜、Ｎ⁺型非晶質Ｓｉ膜をホトエッチングプロセスによりパターン化して、ｉ型半導体層６を形成したのち、ＳｉＮ膜をホトエッチングプロセスによりパターン化して、ゲート絶縁膜となる絶縁膜５を形成する。つぎに、図４(ｅ)および図５に示すように、Ｃｒ膜８、Ａｌ膜９をスパッタリングにより連続成膜し、この上にレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストをマスクにしてＡｌ膜９をウエットエッチングにより加工したのち、Ｃｒ膜８をウエットエッチングにより加工し、画素電極４と接続されたソース電極１１、映像信号線（図示せず）と接続されたドレイン電極１２を形成する。つぎに、Ｎ⁺型非晶質Ｓｉ膜をドライエッチングにより加工し、Ｎ⁺型半導体層７を形成したのち、レジストを剥離し、ゲート電極２、ｉ型半導体層６、ソース電極１１、ドレイン電極１２等からなるＴＦＴ１３を設ける。つぎに、図４(ｆ)に示すように、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＮ膜を成膜し、ＳｉＮ膜をホトエッチングプロセスによりパターン化し、保護膜１０を形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなＴＦＴ基板の製造方法においては、Ｃｒ膜８をウエットエッチングするときに、レジストがあるものの実質的にはＡｌ膜９がマスクとなるから、図６に示すように、Ａｌ膜９がＣｒ膜８よりも突き出した構造となるので、保護膜１０がＡｌ膜９のひさしの下に回り込むことができないため、空洞１４が形成されてしまうから、ＴＦＴ基板の品質を低下させる。たとえば、空洞１４部がエッチング液、レジスト剥離液等で汚染されやすく、保護膜１０にピンホールが１つでもあると、保護膜１０形成時のエッチング液等がそのピンホールを介して空洞１４に侵入し、空洞１４がエッチング液等の通路になって、広範囲のＣｒ膜８、Ａｌ膜９が損傷する。また、空洞１４が形成されると、図７に示すように、保護膜１０にクラック１５が発生することがある。さらに、製造コストを低減するために保護膜１０の厚さを小さくしたときには、図８R>８に示すように、空洞１４部に保護膜１０が形成されないことがあるから、製造コストが高価となったとしても保護膜１０を厚くする必要がある。
【０００４】本発明は上述の課題を解決するためになされたもので、ＴＦＴ基板の品質が良好であり、ＴＦＴ基板の製造コストが安価なＴＦＴ基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため、本発明においては、ソース電極、ドレイン電極が第１、第２の金属膜から形成されたＴＦＴ基板を製造する方法において、上記第１、第２の金属膜を連続成膜したのち、上記第２の金属膜をウエットエッチングにより加工し、上記第１の金属膜をドライエッチングにより加工する。
【０００６】この場合、上記第１の金属膜をドライエッチングにより加工したのち、Ｎ⁺型非晶質Ｓｉ膜をドライエッチングにより加工する。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１により本願発明に係る逆スタガ型のＴＦＴ基板の製造方法について説明する。まず、図１(ａ)に示すように、ガラス基板２１上にスパッタ法により厚さ３００ｎｍのＡｌ−Ｔｉ−Ｔａ膜を成膜し、Ａｌ−Ｔｉ−Ｔａ膜をホトエッチングプロセスによりパターン化し、走査信号線（図示せず）と接続されたゲート電極２２を形成する。つぎに、図１(ｂ)に示すように、陽極酸化処理を行なうことによりゲート電極２２等の表面にＡｌ₂Ｏ₃からなる厚さ１８０ｎｍの陽極酸化膜２３を形成する。つぎに、図１(ｃ)に示すように、厚さ１４０ｎｍのＩＴＯ膜を成膜し、ＩＴＯ膜をホトエッチングプロセスによりパターン化し、画素電極２４を形成する。つぎに、図１(ｄ)に示すように、プラズマＣＶＤ法により厚さ２４０ｎｍのＳｉＮ膜、導電型決定不純物がドープされていない厚さ２００ｎｍのｉ型非晶質Ｓｉ膜、リンをドープした厚さ２５ｎｍのＮ⁺型非晶質Ｓｉ膜を連続成膜し、ｉ型非晶質Ｓｉ膜、Ｎ⁺型非晶質Ｓｉ膜をホトエッチングプロセスによりパターン化して、ｉ型半導体層２６を形成したのち、ＳｉＮ膜をホトエッチングプロセスによりパターン化して、ゲート絶縁膜となる絶縁膜２５を形成する。つぎに、図１(ｅ)および図２に示すように、厚さ６０ｎｍのＣｒ膜２８、厚さ３００ｎｍのＡｌ−Ｓｉ膜２９をスパッタリングにより連続成膜し、この上にレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストをマスクにしてＡｌ−Ｓｉ膜２９をリン酸：硝酸：酢酸：水系のエッチング液を使用したウエットエッチングにより加工したのち、Ｃｒ膜２８をＣＦ₄＋Ｏ₂ガスを使用したドライエッチングにより加工し、画素電極２４と接続されたソース電極３１、映像信号線（図示せず）と接続されたドレイン電極３２を形成する。つぎに、Ｎ⁺型非晶質Ｓｉ膜をＳＦ₆＋ＨＣｌガスを使用したドライエッチングにより加工し、Ｎ⁺型半導体層２７を形成したのち、レジストを剥離し、ゲート電極２２、ｉ型半導体層２６、ソース電極３１、ドレイン電極３２等からなるＴＦＴ３３を設ける。つぎに、図１(ｆ)に示すように、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＮ膜を成膜し、ＳｉＮ膜をホトエッチングプロセスによりパターン化し、保護膜３０を形成する。
【０００８】このＴＦＴ基板の製造方法においては、Ｃｒ膜２８をドライエッチングにより加工するから、図３に示すように、Ａｌ−Ｓｉ膜２９がＣｒ膜２８よりも突き出した構造となることがないので、空洞が形成されることがない。このため、保護膜３０にピンホールがあったとしても、広範囲のＣｒ膜２８、Ａｌ−Ｓｉ膜２９が損傷することがなく、また保護膜３０にクラックが発生することがなく、さらに製造コストを低減するために保護膜３０の厚さを小さくしたたとしても、保護膜３０を全面に形成することができるから、保護膜３０を薄くして製造コストが安価にすることができる。
【０００９】なお、上述実施の形態においては、第１の金属膜としてＣｒ膜２８を用いたが、第１の金属膜としてＣｒ−Ｍｏ膜等を用いてもよい。また、上述実施の形態においては、第２の金属膜としてＡｌ−Ｓｉ膜２９を用いたが、第２の金属膜としてＭｏ膜、Ｔｉ膜等を用いてもよい。また、上述実施の形態においては、Ｎ⁺型非晶質Ｓｉ膜をＳＦ₆＋ＨＣｌガスを使用したドライエッチングにより加工し、Ｎ⁺型半導体層２７を形成したが、Ｎ⁺型非晶質Ｓｉ膜をＣＦ₄＋Ｏ₂ガスを使用したドライエッチングにより加工し、Ｎ⁺型半導体層２７を形成してもよい。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るＴＦＴ基板の製造方法においては、第２の金属膜が第１の金属膜よりも突き出した構造となることがないから、空洞が形成されることがないので、ＴＦＴ基板の品質が良好であり、また保護膜を薄くすることができるため、ＴＦＴ基板の製造コストが安価になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＴＦＴ基板の製造方法の説明図である。
【図２】本発明に係るＴＦＴ基板の製造方法の説明図である。
【図３】本発明に係るＴＦＴ基板の製造方法で製造したＴＦＴ基板の一部を示す断面図である。
【図４】従来のＴＦＴ基板の製造方法の説明図である。
【図５】従来のＴＦＴ基板の製造方法の説明図である。
【図６】従来のＴＦＴ基板の製造方法で製造したＴＦＴ基板の一部を示す断面図である。
【図７】従来のＴＦＴ基板の製造方法で製造した他のＴＦＴ基板の一部を示す断面図である。
【図８】従来のＴＦＴ基板の製造方法で製造した他のＴＦＴ基板の一部を示す断面図である。
【符号の説明】
２７…Ｎ⁺型半導体層
２８…Ｃｒ膜
２９…Ａｌ−Ｓｉ膜
３１…ソース電極
３２…ドレイン電極

【特許請求の範囲】
【請求項１】ソース電極、ドレイン電極が第１、第２の金属膜から形成されたＴＦＴ基板を製造する方法において、上記第１、第２の金属膜を連続成膜したのち、上記第２の金属膜をウエットエッチングにより加工し、上記第１の金属膜をドライエッチングにより加工することを特徴とするＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項２】上記第１の金属膜をドライエッチングにより加工したのち、Ｎ⁺型非晶質Ｓｉ膜をドライエッチングにより加工することを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴ基板の製造方法。

【図１】