【要約】 （修正有）
【課題】 耐熱性、低誘電率、低熱膨張率などの優れた特性を有し、更にフォトレジストと同様なプロセスで高精度かつ微細なヴィアホールをできる、高性能かつ高密度な配線構造を提供する。
【解決手段】 少なくとも１層の絶縁膜５と導体パターン６，９とを有し、前記絶縁膜の少なくとも１層がフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂からなることを特徴とし、絶縁膜と導体パターンの積層を繰り返すことにより、任意の層数を有する多層配線構造を得ることができる。
［代表図面］

【発行国】日本国特許庁（ＪＰ）
【公報種別】公開特許公報（Ａ）
【公開番号】特開２０００−３０３７（Ｐ２０００−３０３７Ａ）
【公開日】平成１２年１月７日（２０００．１．７）
【発明の名称】配線構造とその製造方法
【国際特許分類第７版】
　G03F 7/027 515
　H01L 23/12
　H05K 3/46
　// C08F299/02
　C08G 59/17
　H05K 1/03 610
【ＦＩ】
　G03F 7/027 515
　H05K 3/46 T
　C08F299/02
　C08G 59/17
　H05K 1/03 610 L
　H01L 23/12 N
【審査請求】有
【請求項の数】１３
【全頁数】９
【出願番号】特願平１１−３８４４
【分割の表示】特願平８−２８６６４３の分割
【出願日】平成８年１０月２９日（１９９６．１０．２９）
【出願人】（０００００４２３７）日本電気株式会社
【発明者】
【発明者】
【発明者】
【発明者】
【発明者】
【代理人】弁理士（１０００８２９３５）（外２名）
【請求項１】
　少なくとも１層の絶縁膜と導体電極パターンとを有してなり、前記絶縁膜の少なくとも１層が下記一般式(I)で表されるフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂よりなることを特徴とする配線構造。
【化１】


　（但し、Ｒは水素原子若しくは低級アルキル基であり、ｎは０〜２０の整数である。）
【請求項２】
　前記フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂の、蒸留水に２４時間浸漬させた条件下における吸水率が１．０％以下であることを特徴とする請求項１記載の配線構造。
【請求項３】
　前記フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂の一般式（Ｉ）において、Ｒが水素原子であり、ｎが０であることを特徴とする請求項１記載の配線構造。
【請求項４】
　前記フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂が１６０〜２００℃で硬化されたものであることを特徴とする請求項１又は３記載の配線構造。
【請求項５】
　前記フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂の誘電率が１Ｍｈｚにおいて３．１〜３．２であることを特徴とする請求項３又は４記載の配線構造。
【請求項６】
　前記フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂の誘電正接が１Ｍｈｚにおいて０．００１〜０．００２であることを特徴とする請求項３又は４記載の配線構造。
【請求項７】
　前記フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂の熱膨張率が３０〜２００℃下ＴＭＡ法による測定において１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項３又は４記載の配線構造。
【請求項８】
　少なくとも１層の層間絶縁膜と導体電極パターンが交互に順次形成された多層配線構造を形成していることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の配線構造。
【請求項９】
　フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂よりなる絶縁膜が支持基材上に形成され、該絶縁膜上に前記導体電極パターンを有する請求項１〜８のいずれかに記載の配線構造。
【請求項１０】
　支持基材がプリント配線基板あるいはモールド配線基板であることを特徴とする請求項９記載の配線構造。
【請求項１１】
　前記フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂よりなる絶縁膜が金属導体配線あるいは金属導体電極パターンを有する支持基材上に形成されており、その上にベンゾシクロブテン樹脂からなる絶縁膜を形成したことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の配線構造。
【請求項１２】
　前記フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂よりなる絶縁膜が金属導体配線あるいは金属導体電極パターン上にパターン状に形成されていることを特徴とする請求項１１の配線構造。
【請求項１３】
　塗布したフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を１６０〜２００℃で硬化することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の配線構造の製造方法。
【０００１】
【発明の属する技術分野】
　本発明は、印刷配線板等の電子部品に代表される配線構造及びその製造方法に関し、更に詳しくは、半導体素子を搭載する実装基板の多層配線構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
　半導体デバイスの高速化並びに高集積化に伴い、これを搭載する配線基板を構成する層間絶縁膜、あるいはパッシベーション膜には、耐熱性を有し、併せて低誘電率、低吸水率、低熱膨張率、導体及び絶縁膜同士の高密着性、良好な耐薬品性等が要求されている。更に最近では、上下電極配線を導通させるためのヴィアホール形成の工程簡略化を図るため、フォトレジストと同様なプロセスでヴィアホールを形成できるように、材料自体が感光性を有することが好ましい。
【０００３】
　現在、これらの特性を有する層間絶縁膜材料として、ポリイミド系樹脂（例えば、特開平４−２８４４５５号公報、特開平５−１６５２１７号公報）、有機珪素系樹脂（例えば、特開平３−４３４５５号公報、特開平４−４６９３４号公報、特開平６−１３０３６４号公報、特開平７−２２５０８号公報）等が提案されている。
【０００４】
　上記のポリイミド系樹脂は、硬化時に縮合水を伴い、また分子内に導入されている感光性基が脱離するため、硬化時の収縮率が大きく、高精度かつ微細なヴィアホールの形成が困難である。また、収縮応力が発生することから、膜を多層化した場合に、クラックが発生するという問題点もある。
【０００５】
　有機珪素系樹脂においては、硬化時の収縮はポリイミドほど深刻ではないものの、ヴィアホールを形成するための現像液に有機溶媒を用いるため、露光部の硬化した膜が膨潤し、解像度が低下する。この為、高精度かつ微細なヴィアホールの形成が困難となり、高密度の多層配線構造体を得ることが難しくなる。また、有機溶媒系の現像液は、環境汚染や安全衛生上、使用することは好ましくない。
【０００６】
　更に、ポリイミド系樹脂及び有機珪素系樹脂ともに、硬化温度が４００℃と高く、絶縁膜を形成する基材として、通常のプリント基板やモールド配線基板等の低コストな樹脂製基材が耐熱性の点から選択することができず、このため、セラミックス類やＳｉ等の基板上にしか絶縁膜を形成できないため、コスト高となることを余儀なくされる。
【０００７】
　一方、低コストな樹脂製基材上に形成できる絶縁膜材料として、エポキシ系樹脂が良く知られている。しかしながら、このエポキシ系樹脂は、誘電率が高い、熱膨張率が大きい、ガラス転移温度が低い、解像度に劣る、硬化膜の平坦性に劣る等の問題点があり、最近の電子部品の高性能化に伴い、その適用が困難になりつつある。
【０００８】
　これらに対して、ベンゾシクロブテン樹脂は層間絶縁膜あるいはパッシベーション膜に必要な特性をバランス良く有するものとして知られている。ベンゾシクロブテン樹脂は、特に吸水率が０．２５ｗｔ％と低く、分子構造上の特徴から銅とのマイグレーションも起こらないので、例えば図９に示すような銅を主成分とする配線とベンゾシクロブテン樹脂絶縁膜から構成される多層配線基板が知られている（例えば、特公平７−１９９７３号公報）。
【０００９】
　即ち、シリコンウエハ、セラミックス、プリント基板などの基材４１上に、導体配線層４２が設けられている。この上に、ベンゾシクロブテン樹脂膜４３が設けられ、上下導体配線を電気的に接続させるためのヴィアホール４４が形成される。その上に、銅配線４５が形成される。以後、ベンゾシクロブテン樹脂絶縁膜と銅などの導体配線を交互に所望の層数積層させていくことによって、多層配線基板が完成する。
【００１０】
　このベンゾシクロブテン樹脂の層間絶縁膜を形成する方法としては、スピンコート法で塗布してフォトリソ工程でパターンを形成し、形成されたパターンを熱硬化させる方法が一般的に良く知られている。但し、銅からなるプレート構造のパターン上に形成する場合のみ、例えば、IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology-Part B, Vol. 18, No. 1 (1995)の１９頁に記載されているように、密着性の長期信頼性を確保する理由で、ベンゾシクロブテン樹脂を塗布する前に、３−アミノプロピルトリエトキシシランを塗布することが知られている。このプロセスにより形成される配線構造は、図１０に示すようなものになる。即ち、銅電極５１及び銅配線５２が設けられた支持基材５３上に、膜厚数十オングストロームの３−アミノプロピルトリエトキシシラン薄膜層５４が形成され、更にその上にベンゾシクロブテン樹脂膜５５が設けられて配線構造５６が形成される。
【００１１】
　このプロセスにより、銅電極５１及び銅配線５２と、ベンゾシクロブテン樹脂膜５５との間に３−アミノプロピルトリエトキシシラン薄膜層５４が形成され密着信頼性が向上するが、一方でこの薄膜層５４を通して銅イオンがマイグレーションするという問題が発生する。先の文献では、グランドあるいは電源プレートパターンのみの場合には、微細な配線が存在しないのでマイグレーションによる絶縁性低下は実用上ほとんど問題にならないレベルである。しかしながら、最近の電子機器の高速化に伴いグランドを強化する意味でグランドプレート電極と微細信号配線が混在するケースも多く、マイグレーションによる絶縁性低下の問題がクローズアップされている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、以上の点を鑑み、耐熱性、低誘電率、低熱膨張率等の優れた特性を有する高性能、高密度な配線構造体を提供することを目的とする。
【００１３】
　また本発明の目的は、フォトレジストと同様なプロセスで高精度かつ微細なヴィアホールを形成できる高性能かつ高密度な多層配線構造を提供することにある。
【００１４】
　また本発明は、ベンゾシクロブテン樹脂を使用した場合に、該樹脂本来の優れた性能を損なうことなく、密着性の長期的信頼性に優れ、かつ銅などのイオンのマイグレーションを防いだ絶縁信頼性に優れる配線構造を構成することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
　前記目的を達成するために鋭意検討した結果、次のような発明に至った。
【００１６】
　即ち本発明は、少なくとも１層の絶縁膜と導体電極パターンとを有してなり、前記絶縁膜の少なくとも１層がフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂よりることを特徴とする配線構造である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
　以下、本発明を詳細に説明する。
【００１８】
　本発明では層間絶縁膜材料として、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレートを使用し、その上に導体パターンを形成することにより多層配線構造体を製造する。ここで、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレートとしては、下記一般式（Ｉ）で示される材料が好ましく用いられる。
【００１９】
【化２】


　ここで、Ｒは水素原子若しくは低級アルキル基であり、ｎは０〜２０の整数である。この材料は、特開平４−２９２６１１号公報にて光学用としての応用が開示されている。
【００２０】
　一般的に、エポキシアクリレート樹脂は、多層配線基板の層間絶縁膜材料として使用される材料の一種である。しかしながら、前記一般式（Ｉ）で示されるフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂は、通常のエポキシアクリレート系樹脂と比較して耐熱性が高く、熱膨張率が小さく、かつ吸水性の面で非常に優れていることが明らかになった。従来、耐熱性を有している絶縁材料は、概して硬化温度が非常に高いという問題があったが、この樹脂は１６０〜２００℃程度で硬化が可能であり、多層配線用絶縁材料として非常に好ましいものである。また、熱膨張率や吸水性に関して、前記特開平４−２９２６１１号公報で開示されている光学用としての応用では全く考慮されていない要素であり、本発明はこの材料がこれらの点で優れていることを見出して初めてなし得たものである。尚、この材料は多層配線のみならず、単層の配線構造にも使用可能であることは云うまでもない。
【００２１】
　図１は、導体電極パターンの層間絶縁膜を、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂膜で形成したことを特徴とする多層配線構造の製造工程の一例を示す断面構成図である。
【００２２】
　例えばアルミ、銅などの金属からなる導体フィルム１上に、前記一般式(I)で示されるフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を溶解したコーティング溶液をスピンコーティング法、スプレーコーティング法、印刷法などにより塗布し、塗布膜２を得る（図１（ａ））。次にベーキング処理を施した後、所定のパターン処理を施したガラスマスク３を通して、露光を行う（図１（ｂ））。次いで、水酸化カリウム、あるいはアミン系のアルカリ現像液に浸し、未露光部を溶解して現像し、更に１８０℃から２００℃で３０分程度の加熱処理（ポストベーク）を行うことにより、露光部を固化させ、ヴィアホール４を有する層間絶縁膜５を得る（図１（ｃ））。
【００２３】
　その後、層間絶縁膜５上に、スパッタリング法、蒸着法、あるいは無電解メッキ法などにより、銅あるいはアルミなどの金属からなる導体層を形成し、フォトリソ工程などにより所定の形状にエッチングを施して導体配線６を形成し、多層配線構造７を得る（図１（ｄ））。
【００２４】
　以下、層間絶縁膜形成工程と導体配線形成工程を繰り返すことにより、任意の層数を有する多層配線構造８を得ることができる（図１（ｅ））。また、必要ならば、図１（ｆ）に示すように、導体フィルム１を所定の形状にエッチングし、導体配線９を設けた多層配線構造１０を得ることもできる。
【００２５】
　ここで、塗布膜２の現像にアルカリ系の現像液を用いることで、露光された塗布膜２は膨潤することなく、更に加熱硬化して層間絶縁膜５を得るときの収縮率は、およそ６％程度と大変に小さいので、高精度かつ微細なヴィアホール４を容易に得ることができる。
【００２６】
　このようにして得られた層間絶縁膜は、高耐熱性、低誘電率、低熱膨張率、低吸水率などの優れた特性を有しており、これを層間絶縁膜として形成した多層配線構造は、高速かつ高性能な電子部品や実装基板への適用に対して大変有効である。
【００２７】
　また、本発明の多層配線構造は、例えばガラス、セラミックス、金属、耐熱性フィルム、Si基板、半導体デバイスなどからなる支持基材上にフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂からなる絶縁膜を形成し、その上に導体電極パターンを形成することにより得ることもできる。
【００２８】
　更に上述したように、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂は、１８０℃から２００℃で３０分程度の加熱処理で硬化して層間絶縁膜を形成することができるので、プリント基板、あるいはモールド配線基板などの非常に低コストな樹脂製の支持基材上にも高密度な多層配線構造を形成することができ、多層配線構造の低コスト化を図ることができる。
【００２９】
　また本発明の配線構造では、従来公知のベンゾシクロブテン樹脂を前記のフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート類と併用して絶縁層を形成して、従来問題となっていた銅などの金属イオンのマイグレーションを防止しつつ、密着性の改善された配線構造を提供することが可能である。つまり、金属導体配線あるいは金属導体電極上に、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂の薄膜層を、好ましくはパターン状に形成し、その上にベンゾシクロブテン樹脂膜を形成して配線構造を作製するものである。以下、図面を参照して説明する。
【００３０】
　図７は、金属導体配線、あるいは金属導体電極を有する支持基材上に、前記一般式（Ｉ）で示されるフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂により薄膜層を形成し、その上にベンゾシクロブテン樹脂膜を形成したことを特徴とする配線構造の製造工程の一例を示す模式的断面図である。
【００３１】
　まず、銅などの金属からなる電極２１及び配線２２を有する支持基材２３上に、例えばスピンコート法などにより膜厚０．１μｍ〜１．０μｍ程度のフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂層２４を塗布し、７５℃で１０分間の乾燥を施した後、例えば波長３６５ｎｍで２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2の露光を行う（工程（ａ））。次に、例えば感光性を有するベンゾシクロブテン樹脂膜をスピンコート法、あるいはカーテンコート法などの塗布法により塗布した後、露光、現像工程を経て、ヴィアホール２５を有するベンゾシクロブテン樹脂膜２６を形成する（工程（ｂ））。次いで、８０〜２００℃で３０分程度の加熱処理の後に、プラズマエッチング法などによりヴィアホール２５の底部にあるフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂層２４を除去して配線構造２７を得る（工程（ｃ））。
【００３２】
　その後必要であれば、ベンゾシクロブテン樹脂膜２６上に、スパッタリング法、蒸着法、電解メッキ法、無電解メッキ法などの金属導体プロセスとフォトリソグラフィープロセスを併用して、銅などの金属からなる上部配線２８を設けることができる（工程（ｄ））。更に前記工程（ａ）〜（ｄ）を繰り返すことにより、任意の層数を有する多層の配線構造２９を形成することもできる（図７（ｅ））。
【００３３】
　ここで、支持基板２３としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、プリント基板、モールド配線基板、シリコン基板、半導体デバイスなども選択できる。また、前述のリジッドな基板のみならず、樹脂や金属からなるフィルム形状のものも使用できる。
【００３４】
　また本発明では、金属導体配線あるいは金属導体電極上のみにフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂膜が形成されるようにパターン化して、その上にベンゾシクロブテン樹脂膜を形成することもできる。その製造工程を図８に示す。
【００３５】
　まず、前記と同様に銅などの金属からなる電極３０及び配線３１を有する支持基材３２上に、例えばスピンコート法などにより膜厚０．１μｍ〜１．０μｍ程度のフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂層３３を塗布し、７５℃で１０分間の乾燥を行う（工程（ａ））。次に所定のパターン形状を施したガラスマスクを通して後、例えば波長３６５ｎｍで２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2の露光を行った後、１％炭酸ナトリウム水溶液で現像を行い、電極３０及び配線３１の所定の部位のみにエポキシアクリレート樹脂層３３を形成し、同時にヴィアホール３４を形成する（工程（ｂ））。次いで、感光性を有するベンゾシクロブテン樹脂膜をスピンコート法、あるいはカーテンコート法などの塗布法により塗布した後、ヴィアホール３５に対応したマスクを介して露光、現像工程を経て、ヴィアホール３５を有するベンゾシクロブテン樹脂膜３６を形成して配線構造３７を得る（工程（ｃ））。前記同様、工程（ａ）〜（ｃ）を繰り返すことにより、任意の層数を有する多層の配線構造３８を形成することもできる（図８（ｄ））。
【００３６】
　これらの配線構造では、金属導体配線、あるいは金属導体電極を有する支持基材上に、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂層を形成し、その上にベンゾシクロブテン樹脂膜を形成しているので、ベンゾシクロブテン樹脂本来の優れた性能を損なうことなく、密着性の長期信頼性を確保しつつ、銅などの金属イオンのマイグレーションを防いだ絶縁信頼性に優れる配線構造を形成することができる。
【００３７】
【実施例】
　以下実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００３８】
　（実施例１）図１に示す工程により配線構造を形成した。まず、アルミ、銅などの金属からなる導体フィルム１上に、前記一般式（Ｉ）で示されるフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂（Ｒ＝Ｈ、ｎ＝０）を溶解したコーティング溶液をスピンコーティング法、スプレーコーティング法、印刷法などにより塗布し、塗布膜２を得る（図１（ａ））。次に７５℃で１０分間のベーキングを施した後、所定のパターン処理を施したガラスマスク３を通して、例えば波長３６５ｎｍで２００ｍＪ／ｃｍ2の露光を行う（図１（ｂ））。次いで、炭酸ナトリウム、あるいはアミン系のアルカリ現像液に浸し、未露光部を溶解して現像し、更に１８０℃から２００℃で３０分程度の加熱処理（ポストベーク）を行うことにより、露光部を固化させ、ヴィアホール４を有する層間絶縁膜５を得る（図１（ｃ））。
【００３９】
　その後、層間絶縁膜５上に、スパッタリング法、蒸着法、あるいは無電解メッキ法などにより、銅あるいはアルミなどの金属からなる導体層を形成し、フォトリソ工程などにより所定の形状にエッチングを施して導体配線６を形成し、多層配線構造７を得る（図１（ｄ））。
【００４０】
　以下、層間絶縁膜工程と導体配線工程を繰り返すことにより、任意の層数を有する多層配線構造８を得る（図１（ｅ））。また、必要ならば、図１（ｆ）に示すように、導体フィルム１を所定の形状にエッチングを施し、導体配線９を設けた多層配線構造１０を得ることもできる。
【００４１】
　ここで、塗布膜２の現像にアルカリ系の現像液を用いることで、露光された塗布膜２は膨潤することなく、更に加熱硬化して層間絶縁膜５を得るときの収縮率は、およそ６％程度と大変に小さいので、高精度かつ微細なヴィアホール４を容易に得ることができる。得られた層間絶縁膜の特性値を表１に示す。
【００４２】
【表１】


【００４３】
　表１から解るとおり、本発明により、高耐熱性、低誘電率、低熱膨張率、低吸水率などの優れた特性を有する配線構造体が得られる。
【００４４】
　尚、この例においては、ｎ＝０のフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を用いたが、ｎの値が大きくなるに従い、更に重量減少開始温度が高くなり、また、吸水率の低下する傾向が認められた。
【００４５】
　（実施例２）図２〜図６はプリント配線基板からなる支持基板上に前記一般式（Ｉ）で示されるフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を絶縁膜材料として用い、その上に導体電極パターンを形成したことを特徴とする多層配線構造体の製造工程を順に示す断面図である。
【００４６】
　表層導体電極１１と内層導体１２を有するプリント配線基板１３上に、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を塗布し、露光、現像、硬化工程によりヴィアホール１４を有する層間絶縁膜１５を形成する（図２）。
【００４７】
　次いで、層間絶縁膜１５上に、例えば銅、アルミなどの金属からなる導体層をスパッタリング法、蒸着法、電解あるいは無電解メッキ法などにより設けた後、所定の形状にエッチングを施すことにより導体電極パターン１６を形成して多層配線構造１７を得る（図３）。必要ならば、層間絶縁膜形成工程と導体電極パターン形成工程を繰り返すことにより、任意の層数を有する多層配線構造１８を得ることができる（図４）。更に、プリント配線基板１３の裏面にも層間絶縁膜１５と導体電極パターン１６を形成して多層配線構造１９を形成することもできる（図５）。また、貫通スルーホール２０を介して、表面電極配線１１、内層導体１２及び導体電極パターン１６とを電気的に接続しても良い（図６）。
【００４８】
　（実施例３）図７に示す支持基材２３として、膜厚１ｍｍのエポキシ樹脂プリント基板（ＦＲ−４）上に膜厚0.1〜1.0μｍ程度のフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂層２４を塗布し、７５℃で１０分間の乾燥を施し、波長３６５ｎｍで２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2の露光を行う。次に膜厚１０μｍのベンゾシクロブテン樹脂膜をスピンコート法により塗布した後、露光現像工程を経て、ヴィアホール２５を有するベンゾシクロブテン樹脂膜２６を形成する（工程（ｂ））。次いで、８０〜２００℃で３０分程度の加熱処理の後に、プラズマエッチング法などによりヴィアホール２５の底部にあるフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂層２４を除去して配線構造２７を得る（工程（ｃ））。その上に、幅２０μｍ、間隔２０μｍ、膜厚５μｍの銅配線２８を櫛形状に形成して図７（ｄ）に示す配線構造２９を得る。
【００４９】
　このようにして形成された配線構造に対して、プレッシャークッカバイアス試験（温度１２１℃、湿度１００％、圧力２気圧、バイアス１２Ｖ）を行ったところ、１００時間を経過しても絶縁特性劣化及び銅イオンのマイグレーションは全く観測されなかった。また、図８に示すように、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂層をパターン状に形成した場合にも同様の結果が得られた。
【００５０】
　一方、同様の支持基板を用いて、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂層の代わりに、３−アミノプロピルトリエトキシシラン薄膜層を形成し、以下同様にして形成した配線構造に対して、同様にプレッシャークッカバイアス試験を行ったところ、６０時間を経過した頃から銅イオンのマイグレーションが確認され、中には絶縁特性が劣化したものも確認された。
【００５１】
【発明の効果】
　本発明によれば、耐熱性、低誘電率、低熱膨張率などの優れた特性を有し、更に高精度かつ微細なヴィアホールを有する配線構造が提供でき、電子部品や実装基板の高性能化、及び高密度化による小型化を図ることができる。更に、本発明の多層配線構造は、低コストなプリント基板あるいはモールド配線基板上にも形成できるので、電子部品や実装基板の低コスト化を図ることもできる。
【図１】本発明の多層配線構造体の製造プロセスの一実施形態を示す断面構成図である。
【図２】本発明の多層配線構造体の製造プロセスの別の実施形態の第１工程を示す断面構成図である。
【図３】本発明の多層配線構造体の製造プロセスの別の実施形態の第２工程を示す断面構成図である。
【図４】本発明の多層配線構造体の製造プロセスの別の実施形態の第３工程を示す断面構成図である。
【図５】本発明の多層配線構造体の製造プロセスの別の実施形態の第４工程を示す断面構成図である。
【図６】本発明の多層配線構造体の製造プロセスの別の実施形態の第５工程を示す断面構成図である。
【図７】金属イオンのマイグレーションを防止した配線構造の製造工程を説明する模式的断面図である。
【図８】金属イオンのマイグレーションを防止した配線構造の別の製造工程を説明する模式的断面図である。
【図９】従来のベンゾシクロブテンを用いた配線構造の模式的断面図である。
【図１０】密着性の改良された従来の配線構造の模式的断面図である。
【符号の説明】
　１ 導体フィルム
　２ 塗布膜
　３ ガラスマスク
　４ ヴィアホール
　５ 層間絶縁膜
　６、９ 導体配線
　７、８、１０ 多層配線構造
　１１ 表層導体電極
　１２ 内層導体
　１３ プリント配線基板
　１４ ヴィアホール
　１５ 層間絶縁膜
　１６ 導体電極パターン
　１７、１８、１９ 多層配線構造
　２０ 貫通スルーホール
　２１ 電極
　２２ 配線
　２３ 支持基材
　２４ エポキシアクリレート層
　２５ ヴィアホール
　２６ ベンゾシクロブテン樹脂膜
　２７ 配線構造
　２８ 上部配線
　２９ 多層配線構造
　３０ 電極
　３１ 配線
　３２ 支持基材
　３３ エポキシアクリレート樹脂層
　３４、３５ ヴィアホール
　３６ ベンゾシクロブテン樹脂膜
　３７ 配線構造
　３８ 多層配線構造
【図２】


【図３】


【図１】


【図４】


【図５】


【図６】


【図７】


【図９】


【図１０】


【図８】