【課題】 識別表示１６が形成されている半導体ウエハにおいて、半導体ウエハをチップに切断する工程時まで識別表示１６が明瞭に認識できるようにする。
【解決手段】 識別表示１６を半導体ウエハの側面１４に形成したので、半導体回路を形成するための種々の処理工程が繰り返し行われても、あるいは半導体ウエハ１２の裏面へのラッピング処理によっても識別表示１６は消失したりあるいは不明瞭になることがなくなるので、半導体ウエハ１２をチップに切断する工程時まで、識別表示１６を明瞭に認識することができる。
［代表図面］
【発行国】日本国特許庁（ＪＰ）
【公報種別】公開特許公報（Ａ）
【公開番号】
特開２０００−３８８９（Ｐ２０００−３８８９Ａ）
【公開日】平成１２年１月７日（２０００．１．７）
【発明の名称】半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法
【国際特許分類第７版】
H01L 21/301
21/02
21/66
【ＦＩ】
H01L 21/78 F
21/02 A
21/66 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】９
【全頁数】１１
【出願番号】特願平１１−８９３２６
【出願日】平成１１年３月３０日（１９９９．３．３０）
【優先権主張番号】０９／０５００３５
【優先日】平成１０年３月３０日（１９９８．３．３０）
【優先権主張国】米国（ＵＳ）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝
【発明者】
【発明者】
【代理人】弁理士（１０００５８４７９）
（外６名）
【請求項１】
半導体ウエハの選択された側面部分に半導体ウエハ識別表示を形成する工程と、前記半導体ウエハのチップ領域部分に半導体回路を形成するための一連の処理工程と、前記一連の処理工程の各処理工程毎に実行後、正常に処理されたかあるいは欠陥が生じたか否かの検査を行うとともに半導体ウエハの前記識別表示を認識して半導体ウエハの識別を行い、欠陥が生じた半導体ウエハを検出する工程と、半導体ウエハの前記チップ領域部分に半導体回路を形成した後半導体ウエハを半導体チップに切断分離する工程と、からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体ウエハの選択された側面部分は半導体ウエハを薄厚化するため半導体ウエハ裏面から研削処理した後も残存する、半導体ウエハの側面部分であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体ウエハの側面は表面から延びる表面側斜面部分と、裏面から延びる裏面側斜面部分と、表面から延びる前記表面側斜面部分と裏面から延びる前記裏面側斜面部分との間に存在する周面部分とを有しており、前記選択された側面部分は表面から延びる前記表面側斜面部分であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体ウエハの側面は表面から延びる表面側斜面部分と、裏面から延びる裏面側斜面部分と、表面から延びる前記表面側斜面部分と裏面から延びる前記裏面側斜面部分との間の周面部分とを有しており、前記選択された側面部分は、前記周面部分の、表面から延びる前記表面側斜面部分に近い側の部分であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記識別表示は半導体ウエハの前記選択された側面部分に形成された彫り込みからなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体ウエハの選択された側面部分に形成された半導体ウエハ識別表示を具備してなることを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項７】
前記半導体ウエハの選択された側面部分は半導体ウエハを薄厚化するため半導体ウエハ裏面から研削処理した後も残存する、半導体ウエハの側面部分であることを特徴とする請求項６記載の半導体ウエハ。
【請求項８】
前記半導体ウエハの側面は表面から延びる表面側斜面部分と、裏面から延びる斜面部分と、表面から延びる前記表面側斜面部分と裏面から延びる前記裏面側斜面部分との間の周面部分とを有しており、前記選択された側面部分は表面から延びる前記表面側斜面部分であることを特徴とする請求項６記載の半導体ウエハ。
【請求項９】
前記半導体ウエハの側面は表面から延びる斜面部分と、裏面から延びる斜面部分と、表面から延びる前記表面側斜面部分と裏面から延びる前記裏面側斜面部分との間の周面部分とを有しており、前記選択された側面部分は、前記周面部分の、表面から延びる前記表面側斜面部分に近い側の部分であることを特徴とする請求項６記載の半導体ウエハ。
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、識別表示を有する半導体ウエハおよびその半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体ウエハには半導体ウエハ個々を識別するために、半導体ウエハ上への半導体回路の形成処理以前に個々の半導体ウエハ毎に数字あるいはバーコード等による個別の識別表示が付される。そしてその表示は、従来、半導体ウエハの表面あるいは裏面に通常レーザー光の照射による半導体ウエハへの彫り込みによってなされている。しかしながら、半導体ウエハには、その後、各チップ領域に半導体回路を形成するために、種々の処理工程が繰り返し行われる。そしてこの処理工程を経ることにより識別表示は消失あるいは不明瞭となり、そのため識別表示の認識が困難となる。
【０００３】
図1４および図１５には、チップパターン１０２および識別表示１６が表面に形成された従来の半導体ウエハ１０４が示されている。識別表示１６は、レーザー光の照射により半導体ウエハ１０４への彫り込みにより形成されている。識別表示１６を有する半導体ウエハ表面上に例えば層膜（単層または多層）たとえば絶縁膜１０６が形成されている。図1４は、レーザー光の照射により表面に彫り込みすなわち識別表示１６の形成された半導体ウエハ１０４の平面を示す図、図1５は図14の半導体ウエハ表面の彫り込み部すなわち識別表示１６部の一部の拡大断面図である。図1５の断面図に示されるように、レーザー光による彫り込みは半導体ウエハ１０４の表面に対しほぼ垂直に掘られていてその輪郭は明瞭であり、絶縁膜１０６形成以前は表示を正確に読みとることができる。しかしながら、半導体ウエハ表面上に絶縁膜１０６が形成された場合、絶縁膜１０６表面に半導体ウエハ表面の彫り込み部の輪郭を正確に反映させることは困難であり、絶縁膜１０６表面に反映される輪郭は角部の緩んだ不明瞭なものとなってしまう。そのため、薄膜形成後は表示の正確な読みとりは困難となる。すなわち、たとえば、絶縁膜１０６がCVD技術により形成されると溝部の輪郭がくずれてしまって絶縁膜１０６の輪郭は、図1５の断面図に示されるように、全体としてなだらかな山形になり、基板の表面に形成された彫り込みの輪郭は不明瞭となってしまい、正確な読みとりが困難となってしまう。
【０００４】
図1６は図14の断面構造において、絶縁膜１０６の表面がＣＭＰ処理され、さらにその上にたとえばＡｌからなる金属膜１０８が形成された場合が示されている。この場合には、絶縁膜１０６の表面がＣＭＰ処理により平坦化されているので、絶縁膜１０６の上に形成された金属膜の表面も平坦となる。したがって、このようにＣＭＰ処理がなされた場合には、金属膜上では識別表示１６すなわち彫り込み部の輪郭は消失してしまい、識別表示１６の読みとりは不可能となる。
【０００５】
図１７は、RIE処理および／またはCMP処理のローデイング効果を最小にするために半導体ウエハ表面の全面にわたってチップパターン１０２を形成した場合の半導体ウエハ表面を示している。チップパターンをこのように半導体ウエハ表面の全面にわたって形成すると、半導体ウエハ表面への半導体回路の形成処理工程が進行するにつれて、チップパターンの形成以前に半導体ウエハ表面に形成された識別表示１６の彫り込みの輪郭が不明瞭となり、識別表示１６の正確な読みとりが困難となる。
【０００６】
図１８は、半導体ウエハ表面に彫り込みの形成された半導体ウエハ表面の平面図、図１９は、その彫り込み部の一部の拡大断面図である。半導体ウエハ１０４の表面にレーザー光の照射により彫り込みが形成された場合、図１９に示すように、彫り込み部には、実際には、溝のみでなくバンプ（隆起）２０２も形成される。バンプ２０２により後工程でのＣＭＰ処理における平坦化の均一性が低下してしまう。即ち、研磨装置の研磨パッド（図示せず）が彫り込み部のバンプ２０２に当接研磨する時バンプ２０２の高さのために研磨パッドはバンプ２０２周辺の半導体ウエハ１０４裏面部分には当接せずあるいは緩くしか当接しないので、そのためバンプ２０２周辺の半導体ウエハ表面部分にアンダーポリッシュ２０４が生じてしまう。また、このように、バンプのある半導体ウエハは、半導体ウエハをステッパー内のステージに吸着した際にバンプのある半導体ウエハ部分が浮き上がることになり、リソグラフィーにおける光ビームの焦点ボケを生じる。
【０００７】
図２０は、レーザー光の照射により半導体ウエハ１０４の裏面に彫り込みによる識別表示１６の形成された半導体ウエハ１０４をその側面から見た図である。半導体ウエハ１０４の裏面は、しかしながら、パッケージングに先立ってラッピング処理(バックサイド グラインデイング)が施され、このラッピング処理により、半導体ウエハ１０４（例えばシリコン基板）は通常例えば７２５μm程度の厚さのものが３００μm程度の厚さにまで薄くされる。このラッピング処理により、彫り込みによる識別表示１６は完全に消失されてしまい、半導体ウエハ１０４のチップへの切断分離工程時まで残存させることができない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、識別表示を半導体ウエハの表面に形成した場合には、半導体回路を形成するための半導体ウエハ表面上へのその後の処理工程により半導体ウエハ表面の彫り込みの輪郭が消失あるいは不明瞭となり識別表示の読みとりは困難となる。また一方、識別表示を半導体ウエハの裏面に形成した場合には、パッケージングに先立つ半導体ウエハ裏面のラッピング処理により彫り込みによる識別表示は完全に消失されてしまい識別表示の読みとりは不可能となる。
【０００９】
この発明は、上述の事情に鑑みなされたものであり、その目的は、半導体回路を形成するための半導体ウエハ表面上への処理工程を経ても、また半導体ウエハ裏面のラッピング処理工程を経ても、半導体ウエハを識別するための識別表示が消失あるいは不明瞭となることなく、それにより、半導体ウエハをチップに切断分離するまで彫り込みによる識別表示を明瞭に認識することができる、識別表示を有する半導体ウエハおよびその半導体装置の製造方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明では、半導体ウエハを識別するための識別表示を半導体ウエハの選択された側面部分に形成している。
【００１１】
この発明は、半導体ウエハの選択された側面部分に半導体ウエハ識別表示を形成する工程と、前記半導体ウエハのチップ領域部分に半導体回路を形成するための一連の処理工程と、前記一連の処理工程の各処理工程毎に実行後、正常に処理されたかあるいは欠陥が生じたか否かの検査を行うとともに半導体ウエハの前記識別表示を認識して半導体ウエハの識別を行い、欠陥が生じた半導体ウエハを検出する工程と、半導体ウエハの前記チップ領域部分に半導体回路を形成した後半導体ウエハを半導体チップに切断分離する工程と、からなることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【００１２】
前記半導体ウエハの選択された側面部分は半導体ウエハを薄厚化するため半導体ウエハ裏面から研削処理した後も残存する、半導体ウエハの側面部分であってもよい。
【００１３】
前記半導体ウエハの側面は表面から延びる表面側斜面部分と、裏面から延びる裏面側斜面部分と、表面から延びる前記表面側斜面部分と裏面から延びる前記裏面側斜面部分との間に存在する周面部分とを有しており、前記選択された側面部分は表面から延びる前記表面側斜面部分であってもよい。
【００１４】
前記半導体ウエハの側面は表面から延びる表面側斜面部分と、裏面から延びる裏面側斜面部分と、表面から延びる前記表面側斜面部分と裏面から延びる前記裏面側斜面部分との間の周面部分とを有しており、前記選択された側面部分は、前記周面部分の、表面から延びる前記表面側斜面部分に近い側の部分であってもよい。
【００１５】
前記識別表示は半導体ウエハの前記選択された側面部分に形成された彫り込みからなるものであってもよい。
【００１６】
前記彫り込みは半導体ウエハの前記選択された側面部分へのレーザー光の照射により形成されるものであってもよい。
【００１７】
前記識別表示は目視的に認識の容易な形態の表示を含むものであってもよい。
【００１８】
前記目視的に認識の容易な形態の識別表示は数字、記号等を含むものであってもよい。
【００１９】
前記識別表示は光学的に認識の容易な形態の識別表示を含むものであってもよい。
【００２０】
前記光学的に認識の容易な形態の識別表示はバーコードを含むものであってもよい。
【００２１】
表面から延びる前記表面側斜面部分および裏面から延びる前記裏面側斜面部分は曲面をなしていてもよい。
【００２２】
この発明は、さらに、半導体ウエハの選択された側面部分に形成された半導体ウエハ識別表示を具備してなることを特徴とする半導体ウエハを提供する。
【００２３】
前記半導体ウエハの選択された側面部分は半導体ウエハを薄厚化するため半導体ウエハ裏面から研削処理した後も残存する、半導体ウエハの側面部分であってもよい。
【００２４】
前記半導体ウエハの側面は表面から延びる表面側斜面部分と、裏面から延びる斜面部分と、表面から延びる前記表面側斜面部分と裏面から延びる前記裏面側斜面部分との間の周面部分とを有しており、前記選択された側面部分は表面から延びる前記表面側斜面部分であってもよい。
【００２５】
前記半導体ウエハの側面は表面から延びる斜面部分と、裏面から延びる斜面部分と、表面から延びる前記表面側斜面部分と裏面から延びる前記裏面側斜面部分との間の周面部分とを有しており、前記選択された側面部分は、前記周面部分の、表面から延びる前記表面側斜面部分に近い側の部分であってもよい。
【００２６】
前記識別表示は前記半導体ウエハの前記選択された側面部分に形成された彫り込みからなるものであってもよい。
【００２７】
前記彫り込みは前記半導体ウエハの前記選択された側面部分へのレーザー光の照射により形成されるものであってもよい。
【００２８】
前記識別表示は目視的に認識の容易な形態の表示を含むものであってもよい。
【００２９】
前記目視的に認識の容易な形態の識別表示は数字、記号等を含むものであってもよい。
【００３０】
前記識別表示は光学的に認識の容易な形態の識別表示を含むものであってもよい。
【００３１】
前記識別表示はレーザー光により認識の容易な形態の識別表示を含むものであってもよい。
【００３２】
前記認識の容易な形態の識別表示はバーコードを含むものであってもよい。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照しながらこの発明の実施の形態について説明する。
【００３４】
図１および図２は、この発明の第１の実施の形態にかかる半導体ウエハ１２の側面１４の一部を示す図であって、図１および図２は、それぞれ、半導体ウエハ側面１４の選択された部分（選択された側面部分）に形成された半導体ウエハ１２を識別するための表示（識別表示）１６を正面および側面から見た図である。半導体ウエハ側面１４の選択された側面部分は、半導体ウエハ１２のラッピング処理後、すなわち半導体ウエハ１２の薄厚化のための半導体ウエハ１２裏面からの研削処理によっても除去されず研削処理後も残存する半導体ウエハ１２の側面部分である。第1の実施の形態では、選択された側面部分は、半導体ウエハ１２の表面から延びる表面側斜面部分１８である。
【００３５】
半導体ウエハ１２には、半導体回路の形成処理以前に、個々の半導体ウエハ１２毎に半導体ウエハ１２それぞれを識別するための個別の識別表示１６が付される。識別表示１６は、レーザー光の照射による半導体ウエハ１２への彫り込みによって形成されており、彫り込みの輪郭によって認識される。識別表示１６は、光学的な読み取りに適したバーコードで示したものと目視的な読み取りに適した数字およびアルファベットの組み合わせで示したものとを含んでいる。この発明では、表示は、従来におけるように半導体ウエハ１２の表面あるいは裏面に形成されるのではなく、図１および図２に示されるように、半導体ウエハ１２の選択された側面部分に、この第1の実施の形態では半導体ウエハ１２の表面から延びる表面側斜面部分１８に、レーザー光の照射による彫り込みによって形成されている。識別表示１６の形成された半導体ウエハ１２の表面には、その後、各チップ領域に半導体回路を形成するために、種々の処理工程が行われる。処理工程は、例えば、酸化膜の形成工程、金属膜の形成工程、加熱工程、レジストの塗布工程、孔あけ工程、リソグラフィー工程、イオン注入工程、ＣＭＰ等の研磨あるいは平坦化工程等である。そして、彫り込みの輪郭によって限定される識別表示１６が従来のように半導体ウエハ１２の表面に形成されている場合には、識別表示１６すなわち彫り込みの輪郭はこのような処理工程を経ることにより消失あるいは不明瞭となり、認識不可能となってしまう。また、半導体ウエハ１２はその裏面から、パッケージングに先立ってラッピング処理が施され、このラッピング処理により、半導体ウエハ１２は通常例えば７２５μm程度の厚さのものが３００μm程度の厚さにまで薄くされる。即ち、半導体ウエハ１２は、薄厚化される。このラッピング処理により、識別表示１６が従来のように半導体ウエハ１２の裏面に形成されている場合には識別表示１６は完全に消失されてしまう。
【００３６】
この発明では、しかしながら、識別表示１６は、従来におけるように半導体ウエハ１２の表面あるいは裏面に形成されるのではなく、図１および図２（第1の実施の形態）に示されるように、半導体ウエハ１２の側面１４の選択された部分（選択された側面部分）に形成される。ウエハ側面１４の選択された側面部分は、半導体ウエハ１２のラッピング処理後も残存する、すなわち半導体ウエハ１２の薄厚化のための半導体ウエハ１２裏面からの研削処理によっても除去されず研削処理後も残存する半導体ウエハ１２の側面部分である。この第1の実施の形態では、図１および図２に示されるように、半導体ウエハ１２の選択された側面部分は、半導体ウエハ１２の表面から延びる表面側斜面部分１８である。上述のように、この発明では、識別表示１６が半導体ウエハ１２の選択された側面部分に形成されているので、半導体ウエハ１２の表面に各チップ領域に半導体回路を形成するため従来と同様に種々の処理工程が繰り返し行われても、識別表示１６すなわち彫り込みはそれら処理工程によっても消失あるいは不明瞭になることがない。また、半導体ウエハ１２の裏面へのラッピング処理によっても半導体ウエハ１２の選択された側面部分に形成された彫り込みはそのラッピング処理により消失あるいは不明瞭になることがない。このように、識別表示１６が、半導体ウエハ１２の表面あるいは裏面にではなく、図１および図２に示されるように、半導体ウエハ１２の選択された側面部分に形成されているため、半導体ウエハ１２表面の各チップ領域に半導体回路を形成するための種々の処理工程が繰り返し行われても、あるいは半導体ウエハ１２の裏面へのラッピング処理によっても半導体ウエハ１２の側面１４に形成された識別表示１６は消失あるいは不明瞭になることがなく、明瞭に認識可能に維持される。それにより、半導体ウエハ１２をチップに切断する工程時まで彫り込みによる識別表示１６を十分明瞭に認識することができる。なお、識別表示１６の彫り込みは、従来と同じく、レーザー光の照射によって行うことが好ましい。
【００３７】
図１および図２に示す第1の実施の形態では、識別表示１６は、半導体ウエハ１２の選択された側面部分であるところの、半導体ウエハ１２の表面から延びる表面側斜面部分１８に形成される。すなわち、半導体ウエハ１２の側面１４は一般に、図１および図２に示すように、半導体ウエハ１２の表面から延びる表面側斜面部分１８と、裏面から延びる裏面側斜面部分２０と、表面から延びる表面側斜面部分１８と裏面から延びる裏面側斜面部分２０との間の周面部分２２とを有しており、図１および図２に示す第1の実施の形態では、識別表示１６は、表面から延びる表面側斜面部分１８に形成されている。この部分は、半導体ウエハ１２のラッピング処理後、すなわち半導体ウエハ１２の薄厚化のための半導体ウエハ１２裏面からの研削処理後も残存する半導体ウエハ１２の側面部分である。なお、半導体ウエハ１２の表面から延びる表面側斜面部分１８および裏面から延びる裏面側斜面部分２０は、図１および図２に示されるように、曲面をなしている。以降の実施の形態においても同様である。また、一般的に、半導体ウエハ１２の周面部分２２の厚さは３８５μm程度であり、表面側斜面部分１８および裏面から延びる裏面側斜面部分２０の厚さはいずれも１７０μm程度である。
【００３８】
図３および図４は、この発明の第２の実施の形態にかかる半導体ウエハ１２の側面１４の一部を示す図であって、図３および図４は、それぞれ、半導体ウエハ側面１４の選択された側面部分に形成された識別表示１６をそれぞれ正面および側面から示す図である。
【００３９】
図３および図４に示す第２の実施の形態では、識別表示１６は、半導体ウエハ１２の選択された側面部分であるところの周面部分２２、すなわち表面から延びる表面側斜面部分１８と裏面から延びる裏面側斜面部分２０との間の周面部分２２に形成されている。そして、周面部分２２の、特に、表面から延びる表面側斜面部分１８に近い部分に形成されている。この部分は、半導体ウエハ１２のラッピング処理後も残存する、すなわち半導体ウエハ１２の薄厚化のための半導体ウエハ１２の裏面からの半導体ウエハ１２の研削処理後も残存する半導体ウエハ１２の側面部分である。すなわち、半導体ウエハ１２の各チップ領域に半導体回路が形成された後に半導体ウエハ１２は各チップに切断分離されるが、この切断分離の前に、半導体ウエハ１２はその裏面からラッピング処理すなわちバックサイドグライン
テ゛イング処理により研削され、通常７２５μm程度の厚さの半導体ウエハ１２が３００μm程度の厚さにまで薄くされる。すなわち、このラッピング処理により、半導体ウエハ１２はほぼ半分の厚さにまで薄くされ、半導体ウエハ１２の裏面側ほぼ半分の厚さの部分は研削除去される。すなわち、半導体ウエハ１２の周面部分２２の、裏面から延びる裏面側斜面部分２０に近い部分は研削除去される。したがって、識別表示１６がこの部分に形成された場合には、半導体ウエハ１２が各チップに切断分離される前に、研削除去されてしまう。一方、識別表示１６は、半導体ウエハ１２がチップに切断される工程時まで明瞭に認識できることが必要である。この第２の実施の形態では、識別表示１６が、半導体ウエハ１２の側面１４の、周面部分２２の、特に、表面から延びる表面側斜面部分１８に近い部分に、すなわち、半導体ウエハ１２の側面１４の、半導体ウエハ１２の薄厚化のための半導体ウエハ裏面からの研削処理の後も残存する半導体ウエハ側面部分に形成されているので、半導体ウエハ１２の裏面へのラッピング処理によっても半導体ウエハ１２の側面１４に形成された識別表示１６はそのラッピング処理により消失されることがなく、明瞭に認識可能に維持される。それにより、半導体ウエハ１２がチップに切断される時まで彫り込みによる識別表示１６を明瞭に認識することができる。このように、半導体ウエハ１２の裏面へのラッピング処理によっても半導体ウエハ１２の側面１４に形成された識別表示１６はそのラッピング処理により消失されることがなくなり、従来におけるように識別表示１６を半導体ウエハ１２の裏面に形成していたことにより、ラッピング処理により、識別表示１６が消失されてしまうということがなくなる。
【００４０】
図５は、半導体ウエハ側面１４の、半導体ウエハ表面から延びる表面側斜面部分１８に識別表示１６を形成した場合の半導体ウエハ１２の平面図であって、特に、半導体ウエハ１２のオリエンテーリング・ノッチ３２と識別表示１６とを示す図である。図５に示されるように、識別表示１６は、ステッパー装置の半導体ウエハステージのフックに係合されるオリエンテーリング・ノッチ３２にかからない部分に形成することが好ましい。
【００４１】
図６は、半導体ウエハ側面１４の周面部分２２に識別表示１６を形成した場合の半導体ウエハ１２の平面図であって、特に、半導体ウエハ１２のオリエンテーリング・ノッチ３２と識別表示１６とを示す図である。図に示されるように、識別表示１６は、この場合にも、オリエンテーリング・ノッチ３２にかからない部分に形成することが好ましい。
【００４２】
図７は、半導体ウエハ側面１４の、半導体ウエハ表面から延びる表面側斜面部分１８に識別表示１６を形成した場合の半導体ウエハ１２の平面図であって、特に、半導体ウエハ１２のオリエンテーリング・フラット端部３４と識別表示１６とを示す図である。図に示されるように、識別表示１６は、オリエンテーリング・フラット端部３４にかからない部分に形成することが好ましい。
【００４３】
図８は、半導体ウエハ側面１４の周面部分２２に識別表示１６を形成した場合の半導体ウエハ１２の平面図であって、特に、半導体ウエハ１２のオリエンテーリング・フラット端部３４と識別表示１６とを示す図である。図に示されるように、識別表示１６は、この場合にも、オリエンテーリング・フラット端部３４にかからない部分に形成することが好ましい。
【００４４】
次に、図９ないし図１３を参照しながら、識別表示１６が半導体ウエハ１２の周面部分２２に形成された半導体ウエハ１２に、コンタクトホールを介して電極配線を形成する処理工程を例に挙げて、この発明の半導体ウエハ１２に半導体回路を形成する場合を説明する。
【００４５】
図９に示されるように、半導体ウエハ１２の周面部分２２に、レーザー光の照射による彫り込みによって識別表示１６が形成されている。半導体回路を形成するに先立って識別表示１６の形成された半導体ウエハ部分を、半導体ウエハ支持装置（図示せず）に設けられたカバー部材４２により覆う。これは、半導体回路を形成する処理工程の際、識別表示１６がたとえば層材料の付着等の影響を受け不明瞭となるのを避けるためである。ついで、熱酸化処理あるいはＣＶＤ処理により半導体ウエハ１２の表面全面に絶縁膜５２を形成する。ついで、この絶縁膜上全面にレジストを塗布し、形成されたレジスト層をパターニングして、図１０に示されるように、レジストパターン５４を形成する。ついで、このレジストパターンをマスクに用いて、図１１に示されるように、絶縁膜５２にコンタクトホール５６を形成する。ついで、絶縁膜５２を含む半導体ウエハ全面に例えば金属膜たとえばＡｌ膜５８をＣＶＤ法により形成し、この金属膜５８をパターニングすることにより、コンタクトホール５６を介して半導体ウエハに接続された電極配線６０が形成される。処理工程はすべて半導体ウエハ１２の表面に対して行われる。識別表示１６は半導体ウエハ１２の周面部分２２に形成されているので、この処理工程において、識別表示１６は、処理工程の影響をほとんど受けることがない。したがって、この処理工程中識別表示１６は明瞭に認識されることができる。しかも、識別表示１６の形成された半導体ウエハ部分がカバー部材４２により覆われていることにより、識別表示１６への処理工程の影響が一段と低減される．この処理において、各工程後に正常に処理されたかあるいは欠陥が生じたか否かの検査が行われる。この場合、この発明においては、識別表示１６は、全処理工程にわたって、明瞭に認識されることができるので、欠陥が生じた半導体ウエハ１２および欠陥が生じた処理工程が高精度で検出される。すなわち、どの半導体ウエハ１２に欠陥が生じたかまたどの処理工程で欠陥が生じたかが高精度で検出される。例えば、上記処理工程においては、絶縁膜５２の形成後に絶縁膜５２が正常に形成されたかあるいは欠陥が生じたか否かの検査が行われ、どの半導体ウエハ１２に欠陥が生じたかまたどの処理工程で欠陥が生じたかが検出される。また、コンタクトホール５６を形成した後に、コンタクトホール５６が正常に形成されたかあるいは欠陥が生じたか否かの検査が行われ、どの半導体ウエハ１２に欠陥が生じたかまたどの処理工程で欠陥が生じたかが検出される。同様に、金属膜５８を形成した後に、金属膜５８が正常に形成されたかあるいは欠陥が生じたか否かの検査が行われ、どの半導体ウエハ１２に欠陥が生じたかまたどの処理工程で欠陥が生じたかが検出される。さらに、金属膜５８をパターニングして電極配線６０を形成した後に、電極配線６０が正常に形成されたかあるいは欠陥生じたか否かの検査がを行われ、どの半導体ウエハ１２に欠陥が生じたかまたどの処理工程で欠陥が生じたかが検出される。このように、各処理工程の実行後毎に、欠陥が生じた半導体ウエハ１２および欠陥が生じた処理工程が検出されるので、欠陥の修正が可能であったり、欠陥検出後の無意味な処理工程の実施あるいは無意味な最終検査が避けられる。なお、このように処理された半導体ウエハ１２には半導体回路を形成するためのさらなる処理工程が施される。半導体回路が完成した後、半導体ウエハ１２はチップに切断分離される。そしてこの実施の形態においては、識別表示１６が半導体ウエハ１２の周面部分２２に形成されているので、半導体回路を完成させる処理工程において、識別表示１６は、処理工程による影響を受けることがなく、したがってこの切断分離の工程時においても、識別表示１６はいまだ明瞭に認識することができる。
【００４６】
なお、識別表示１６は、従来におけるように、バーコード・リーダー、画像を取り込んでの画像処理、あるいはレーザー読取り装置を用いて容易に読みとることができる。
【００４７】
図９ないし図１３を参照して、識別表示１６が半導体ウエハ１２の周面部分２２に形成された半導体ウエハ１２に、コンタクトホール５６を介して電極配線６０を形成する処理工程について説明されたが、識別表示１６が半導体ウエハ１２の表面から延びる表面側斜面部分１８に形成された半導体ウエハ１２（図１および図２）に、コンタクトホールを介して電極配線を形成する場合の処理工程についても同様であるので説明は省略する。そしてその場合にも、図９ないし図１３を参照して述べたのと同様な効果が得られるものである。
【００４８】
なお、この発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、例えば、識別表示１６としては、バーコードのみあるいは数字とアルファベットの組み合わせのみとしてもよい。あるいは、数字だけあるいはアルファベットのみとしてもよい。あるいは、数字とアルファベットの組み合わせのみとしてもよい。その他、種々の記号等と組み合わせてもよい。また、識別表示１６は一個所のみにではなく、複数個所に設けてもよい。
【００４９】
【発明の効果】
この発明によれば、識別表示１６が半導体ウエハ１２の側面１４に形成されているため、各チップ領域に半導体回路を形成するための種々の処理工程が繰り返し行われても、あるいは半導体ウエハ１２の裏面へのラッピング処理によっても半導体ウエハ１２の側面１４に形成された識別表示１６は消失したりあるいは不明瞭になることがなくなるので、半導体ウエハ１２をチップに切断する工程時まで識別表示１６が明瞭に認識される。
【図１】識別表示が半導体ウエハの側面に形成されたこの発明の第1の実施の形態に係る半導体ウエハの側面の一部を示す図であって、識別表示を正面から見たときの図。
【図２】識別表示が半導体ウエハの側面に形成されたこの発明の第1の実施の形態に係る半導体ウエハの側面の一部を示す図であって、識別表示を側面から見たときの図。
【図３】識別表示が半導体ウエハの側面に形成されたこの発明の第2の実施の形態に係る半導体ウエハの側面の一部を示す図であって、識別表示を正面から見たときの図。
【図４】識別表示が半導体ウエハの側面に形成されたこの発明の第２の実施の形態に係る半導体ウエハの側面の一部を示す図であって、識別表示を側面から見たときの図。
【図５】識別表示が半導体ウエハの側面に形成されたこの発明の上記第１の実施の形態に係る半導体ウエハの平面図であって、特に、オリエンテーリング・ノッチと識別表示とが示されている図。
【図６】識別表示が半導体ウエハの側面に形成されたこの発明の上記第２の実施の形態に係る半導体ウエハの平面図であって、特に、オリエンテーリング・ノッチと識別表示とが示されている図。
【図７】識別表示が半導体ウエハの側面に形成されたこの発明の上記第１の実施の形態に係る半導体ウエハの平面図であって、特に、オリエンテーリング・フラット端部と識別表示とが示されている図。
【図８】識別表示が半導体ウエハの側面に形成されたこの発明の上記第２の実施の形態に係る半導体ウエハの平面図であって、特に、オリエンテーリング・フラット端部と識別表示とが示されている図。
【図９】識別表示が半導体ウエハの側面に形成されたこの発明の上記第２の実施の形態に係る半導体ウエハに半導体回路を形成するための処理プロセスの一部における半導体ウエハの断面図。
【図１０】識別表示が半導体ウエハの側面に形成されたこの発明の上記第２の実施の形態に係る半導体ウエハに半導体回路を形成するための処理プロセスの一部における半導体ウエハの断面図。
【図１１】識別表示が半導体ウエハの側面に形成されたこの発明の上記第２の実施の形態に係る半導体ウエハに半導体回路を形成するための処理プロセスの一部における半導体ウエハの断面図。
【図１２】識別表示が半導体ウエハの側面に形成されたこの発明の上記第２の実施の形態に係る半導体ウエハに半導体回路を形成するための処理プロセスの一部における半導体ウエハの断面図。
【図１３】識別表示が半導体ウエハの側面に形成されたこの発明の上記第２の実施の形態に係る半導体ウエハに半導体回路を形成するための処理プロセスの一部における半導体ウエハの断面図。
【図１４】識別表示が半導体ウエハの表面に形成された従来の半導体ウエハの平面図。
【図１５】図1４に示される半導体ウエハの識別表示の彫り込みの断面の一部の拡大断面図。
【図１６】図1４に示される半導体ウエハの識別表示の彫り込みの断面の他の例の断面図。
【図１７】識別表示が半導体ウエハの表面に形成された他の従来の半導体ウエハの平面図。
【図１８】識別表示が半導体ウエハの表面に形成された他の従来の半導体ウエハの平面図。
【図１９】図1８に示される半導体ウエハの識別表示の彫り込み部の一部の拡大断面図。
【図２０】識別表示を半導体ウエハの裏面に形成した他の従来の半導体ウエハの側面図。
【符号の説明】
１２…半導体ウエハ、
１４…半導体ウエハの側面、
１６…識別表示、
１８…半導体ウエハの側面の表面側斜面部分、
２０…半導体ウエハの側面の裏面側斜面部分、
２２…半導体ウエハの側面の周面部分、
３２…オリエンテーリング・ノッチ、
３４…オリエンテーリング・フラット端部、
４２…カバー部材、
５２…絶縁膜、
５４…レジストパターン、
５６…コンタクトホール、
５８…金属膜、
６０…電極配線
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図１５】
【図２０】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
