【課題】 送信信号のスロット数が変わった場合にＡＢクラスで増幅動作していても歪み特性を悪化させることが少ない高周波増幅装置を提供する。
【解決手段】 この発明の高周波増幅装置には、増幅素子のMOS-FET101が配置されている。そのドレインDにはストリップライン112による整合パターンを介してドレイン電源が供給され、ソースにはソース電圧が印加されている。そして、整合パターンとドレイン電源を接続するライン上にあって、前記高周波信号で整合パターン側からドレイン電源側を見た場合にオープン状態に見える位置に配置された第１のコンデンサ107を有するとともに、ビート成分を最小にさせる位置で整合パターンに配置された第２のコンデンサ113を有する。第２のコンデンサは、第１のコンデンサと協働して、整合パターンに現れるビート成分を最小にするので、MOS-FETのドレイン電流は安定し、出力に現れる歪み成分は少なくなる。
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【課題】 基板の温度を正しく測定できない状態があっても、基板の温度を効率よく制御する。
【解決手段】 基板処理装置の加熱制御部は、基板の温度変化の傾きと傾き規定値（しきい値）とを比較し、シリコンウエハの温度変化の傾きがしきい値よりも大きな値からしきい値以下になった（温度変化の傾きとしきい値との交点Ａ）後に、再びしきい値を超えたこと（温度変化の傾きとしきい値との交点Ｂ）を判定すると、定電力設定部からの定電力設定値によるシリコンウエハを一定加熱する制御（定電力制御）から、測定されたシリコンウエハの温度をフィードバックしてシリコンウエハを加熱する制御（温度制御）に切替える。 （もっと読む）

【課題】 環境や洗浄部品に影響されずに、装置立上げ及びメンテナンス後の金属汚染量を低減することを可能とする。
【解決手段】 処理室内に設けられたサセプタにウェハを載置しないで、処理室に少なくとも窒素ガス（Ｎ₂）を含むガスを供給しつつ排気してプラズマダミー放電する。このプラズマダミー放電に際して、金属汚染量を低下するために、プラズマダミー放電は繰り返し行うとよい。また、プラズマ放電する際の圧力を、ウェハを載置してプラズマ酸化またはプラズマ窒化する際の圧力よりも低くしたり、プラズマ放電する際の高周波電力を、プラズマ酸化またはプラズマ窒化する際の高周波電力よりも高くすると良い。プラズマダミー放電を繰り返した後、生産処理に移行させ、サセプタにウェハを載置して、ウェハにプラズマ酸化またはプラズマ窒化してウェハを処理する。 （もっと読む）

【課題】
半導体素子とプリント基板側の入出力端子を電気的に接続するために半導体素子の複数ある入出力端子に対し一端子毎にボンディング作業を行う必要があり、時間とコストがかかる。また、エポキシ樹脂等によるチップコートを用いるため、チップコートの量、硬化温度、硬化時間を管理する必要があり、この作業にも時間とコストがかかる。
【解決手段】
半導体素子を搭載し、上記半導体素子の入力電極および出力電極を具えたプリント基板と、半導体素子配線部材からなり、上記半導体素子配線部材は、上記入力電極および出力電極とをそれぞれ接続する入出力配線が一体に構成される配線構成体と、上記配線構成体を覆う絶縁部材とからなり、上記半導体素子配線部材が上記プリント基板に装着されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】操作性の向上が充分に得られ、複雑な画像編集が容易に得られるようにした画像編集方法及び画像編集装置並びにコンピュータに画像編集処理動作を実行させるためのプログラムを記録した媒体を提供する。
【解決手段】つなぎ合わせるシーンの一定間隔の静止画像をそれぞれフィルムイメージからなるアイコン列１０２、１０３として表示させ、さらにエフェクト後のフィルムイメージからなるアイコン列１０４を表示させるようにしたもので、ＡロールとＢロールがフィルムイメージからなるアイコン列１０２、１０３として表示され、これに、同じくＡＢロールを表す疑似的な画像として、フィルムイメージからなるアイコン列１０４が表示されることになり、この結果、ＡＢロール編集作業を容易に行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウェハをガスの風圧により浮上させて処理する場合においても、ウェハの位置、水平姿勢を保持することができ、処理を均一に行うことができる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 基板処理装置は、ウェハＷを処理する処理室１と、処理室１内に処理ガスを供給するガス供給口３と、処理室１内を排気する排気口４と、処理室１内でウェハＷを浮上させるためにウェハ下面に対して下方からガスを吹き出すガス吹き出し口９と、ウェハ浮上時にウェハの水平姿勢を保持するためのホルダ１１と、ホルダ１１の垂直位置を制限するストッパ１２と、を有する。
【選択図】 図１
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【課題】 音声データと非音声データを無線により通信する無線通信装置１、２において、音声データと非音声データを同時に通信する。
【解決手段】 無線通信装置１、２では、音声データと非音声データを無線により通信するに際して、データ無線通信手段１１〜２０、３１〜４０が、音声データと非音声データを同一のスロット内で無線により通信する。前記データ無線通信手段１１〜２０、３１〜４０は、通信チャネルを構成するトラヒックチャネル（ＴＣＨ）のスロットを使用して、音声データ及びその誤り訂正データと、非音声データとを時分割で通信する。 （もっと読む）

【課題】石英部品を起因とする汚染を防止する。
【解決手段】ＣＶＤ装置１０に使用される石英部品としてのボート２１、アウタチューブ１３、インナチューブ１２、シールキャップ２０上のベース２０ａおよび断熱キャップ部２６等の表層部分を１μｍ以上、濃度が１〜５０％のＨＦ水溶液で予め除去する。石英部品の表面から１μｍ以上の部分をエッチングする。石英部品の不純物の濃い部分を除去することができるので、石英部品を起因とする汚染を防止することができ、ＣＶＤ装置ひいてはＩＣの製造方法の製造歩留りを向上させることができる。
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【課題】 通信信号を中継する通信中継装置１、２で、制御信号のレベルを適切に調整する。
【解決手段】 通信信号レベル検出手段２２、２４、３２、３８が、前記中継する前記通信信号のレベルを検出する。制御信号レベル変化手段２８、４１、２９、４２、２７、４０が、前記通信信号レベル検出手段による検出結果に基づいて、他の通信中継装置２、１に対する制御信号のレベルを変化させる。制御信号送信手段２３、３１が、前記制御信号レベル変化手段によりレベルが変化させられた制御信号を、前記中継する前記通信信号に重畳させて、前記他の通信中継装置に対して送信する。 （もっと読む）

【課題】
液化した原料を効率よく捕集できる原料回収手段を具備した基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板４３を処理する処理室１と、該処理室から排気ガスを排気する排気ラインと、該排気ラインに接続され排気ガスを冷却して排気ガス中の原料を相変化させ回収する原料回収手段８とを具備し、該原料回収手段内で相変化した原料が付着する面を鏡面とした。
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