【課題】インナチューブを常に適正に設置できるようにする。
【解決手段】アウタチューブ１２と、アウタチューブ１２内に設置されたインナチューブ１３と、インナチューブ１３が設置されるインナチューブ設置部１７が突設された炉口フランジ１５と、炉口フランジ１５の下面を閉塞するシールキャップ２３と、シールキャップ２３が支持したボート３０を昇降させるボートエレベータ６とを備えているＣＶＤ装置において、インナチューブ１３をインナチューブ設置部１７に設置するための位置合わせ治具４０を装備する。位置合わせ治具４０は固定プレート５４と可動プレート５７とを有するセンタプレート５３を備えており、固定プレート５４と可動プレート５７とをスプリング５９によって連結する。センタプレートをインナチューブにスプリングの弾発力で嵌入できるので、インナチューブを予め設定された一定のセット位置に設置できる。
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【課題】 番組送出システムにおいて、同時収録を行った番組の検尺時に、一方の番組の検尺結果を他方の番組の検尺結果に反映することにより、同時収録後の検尺時間の短縮を図る。
【解決手段】 複数の放送素材を収録し放送する番組送出システムにおいて、収録された各番組の検尺を行う場合、異なる映像フォーマットで同時収録を行った番組が存在するか否かを確認し、これに応じて各番組の検尺を個別検尺とするか同時検尺とするかを選択し実行するものであり、同時収録を行った番組については同時収録データであることが判るようにフラグを立て、検尺を行う際に同時収録フラグにより同時収録データが存在するか否かを確認して検尺を開始し、また検尺開始時には双方の番組の送出イベントデータを確認し、イベント数等に違いがあった場合は同時検尺対象から外し、更には、一方の番組の検尺結果を他方の番組に反映させることで、検尺時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】 インライン型半導体製造装置を採用して、基板処理室内の基板滞留を防止しつつ、高スループット化を図る。
【解決手段】 インライン型半導体製造装置は、真空ロボットＶＲを有する複数の基板処理モジュールＭＤと、１台の大気ロボットＡＲを有する大気ローダＬＭとを備える。基板処理モジュールは、プロセスチャンバＰＭとバキュームロックチャンバＶＬとからなる。制御手段ＣＮＴは、チャンバＰＭからチャンバＶＬに処理済みウェハが搬出されたら、チャンバＶＬが真空圧から大気圧に戻される工程と並行して、ロードポートＬＰから未処理ウェハを大気ローダＬＭに搬出させ、アライナユニットＡＵでアライメントを行わせ、チャンバＶＬの前で待機させる。処理済みウェハが冷却完了したら、待機させていた未処理ウェハをチャンバＶＬに搬入させ、処理済みウェハをロードポートＬＰに搬出させるよう制御する。 （もっと読む）

【課題】 通信システムに含まれる多くの通信装置で動作するプログラムの全てを、迅速・容易にバージョンアップする。
【解決手段】 無線基地局２−１（ＢＴＳ１）は、図６に示したように、無線基地局２−１における全ての呼が解放されると、ＢＴＳ１を閉塞し、その旨をオペレーションシステム（ＯＰＳ）４に通知する。ＯＰＳは、ＢＴＳ１に対する無線基地局プログラム２４のバージョンアップを行う。次に、ＢＴＳ１は、無線基地局２−２（ＢＴＳ２）に対して、閉塞準備を行わせるための命令を出し、ＢＴＳ２は閉塞し、その旨を、ＢＴＳ１に通知する。ＢＴＳ１は、ＯＰＳが、ＢＴＳ１に対して行った処理と同様の処理を行い、ＢＴＳ２のプログラムのバージョンアップを行う。以下、同様に、ＢＴＳ１またはＢＴＳ２は、無線基地局２−３（ＢＴＳ３）に対するプログラムのバージョンアップを行う。 （もっと読む）

【課題】 部位単位の映像信号を出力することが可能なテレビジョンカメラ装置を提供する。
【解決手段】 取り出したい素材の特定波長のレーザー光１１で素材１２を照射し、カメラ１５ａの前に特定波長のフィルタ１４ａを配置して、特定波長の映像信号を出力させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 環境や洗浄部品に影響されずに、装置立上げ及びメンテナンス後の金属汚染量を低減することを可能とする。
【解決手段】 処理室内に設けられたサセプタにウェハを載置しないで、処理室に少なくとも窒素ガス（Ｎ₂）を含むガスを供給しつつ排気してプラズマダミー放電する。このプラズマダミー放電に際して、金属汚染量を低下するために、プラズマダミー放電は繰り返し行うとよい。また、プラズマ放電する際の圧力を、ウェハを載置してプラズマ酸化またはプラズマ窒化する際の圧力よりも低くしたり、プラズマ放電する際の高周波電力を、プラズマ酸化またはプラズマ窒化する際の高周波電力よりも高くすると良い。プラズマダミー放電を繰り返した後、生産処理に移行させ、サセプタにウェハを載置して、ウェハにプラズマ酸化またはプラズマ窒化してウェハを処理する。 （もっと読む）

本発明の基板処理装置は、ウエハ２００を収容する処理室２０１と、処理室２０１内に処理ガスを供給するガス供給系２３２ａ、２３２ｂと、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気系２３１、２４６と、処理ガスをプラズマ化するため、保護管２７５内に挿抜可能に収容された一対の電極２６９、２７０とを有し、電極２６９、２７０は可撓性の部材で構成され、少なくとも一箇所が屈曲した状態で保護管２７５内に収容される。 （もっと読む）

ガスを流し、基板に膜を堆積させる処理室と、処理室に配置され、基板を加熱するランプユニットと、ランプユニット囲う第１の囲い体と、第１の囲い体を囲う第２の囲い体と、ランプユニットと第１の囲い体との間の第１の空間、および第１の囲い体と第２の囲い体との間の第２の空間に、冷却媒体をそれぞれ流通させる冷媒流通装置とを備える。 （もっと読む）

金属原子とシリコン原子を含む膜中の窒素濃度分布を容易に制御でき、高品質な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。 基板３０上に金属原子とシリコン原子を含む膜を反応室４で成膜するステップと、前記膜に対して窒化処理を行うステップとを有し、前記成膜ステップでは、少なくとも２段階でシリコン濃度を変化させて成膜するようにした。 （もっと読む）

コストアップを抑制しつつ良好な耐圧強度を発揮する耐圧構造体を提供する。ウエハＷが配置される第一空間９３と、ヒータ８１、８２が設置された第二空間９４と、第一空間９３と第二空間９４とに仕切る仕切パネル９５を備え、仕切パネル９５は内部が中空の中空体９６と、少なくとも第二空間９４側の部分には固着しない状態で中空体９６の中空部内に収容された耐圧支持体９７とから構成され、中空体９６の中空部は第一空間９３の圧力よりも低圧に減圧されている。中空体９６の第一空間９３に接する上側壁９６ａにも上側壁９６ａを耐圧支持体９７の上面に押接する力Ｆｃが作用するので、中空体９６は耐圧支持体９７で補強され、仕切パネル９５は所期の耐圧強度を発揮する。 （もっと読む）