支持具に支持される基板間のピッチを縮小し、処理枚数を増大させることができる熱処理装置を提供する。熱処理装置１０は、基板７２を処理する反応炉４０と、反応炉４０内で複数枚の基板７２を複数段に支持する支持具３０とを有する。この支持具３０は、基板７２と接触する複数の支持板５８と、この複数の支持板５８を支持する支持片６６とを有し、支持板５８と支持片６６が厚さ方向の少なくとも一部において重なるように構成される。 （もっと読む）

【課題】
限られた情報量で音声情報を確実に受信側で受信可能な電子メールの添付ファイル形式で送信するボイスメールサービスシステムを提供することを目的とする。
【解決手段】
パソコン８から携帯電話機１にボイスメールを送信する場合は、プロバイダー側のプロバイダー処理装置で音声情報が電子メールの添付ファイル形式に変換され、ゲートウエイサーバ装置Ｂ６、インターネット５を介して、ゲートウエイサーバ装置Ａ４、加入者処理装置３、基地局２を通じて送信したい相手の携帯電話機１に送信する。逆に、携帯電話機１からパソコン８にボイスメールを送信する場合は、基地局２を介し加入者系処理装置３で受け取った音声情報を電子メールの添付ファイル形式に変換し、ゲートウエイサーバ装置Ａ４、インターネット５０介して、ゲートウエイサーバ装置Ｂ６、プロバイダー処理装置７を通じて送信したい相手のパソコンに送信する。 （もっと読む）

各処理室での処理時間が異なる基板処理装置で、処理室への基板投入間隔を一定として且つ処理室での基板滞留を発生させない。基板の搬送空間となる搬送室と、基板の処理時間がそれぞれ異なり且つ基板の処理がそれぞれにより並行に行われることが可能であり且つ一の基板の処理がそれぞれにより順番に行われる複数の処理室と、搬送室に設けられて基板を搬送する機能を有する基板搬送手段を備え、そして、基板搬送制御手段が、同一の処理室に対する基板の投入時間の間隔を一定として、一の処理室から他の処理室への基板の搬送処理の１以上について、一の処理室による基板の処理が終了した後に当該基板を他の処理室へ搬送する際に、当該搬送処理に要する標準搬送時間と比べて長い時間をかけて当該
搬送処理が完了されるように基板搬送手段による基板の搬送処理を制御する。 （もっと読む）

基板保持具を構成する支柱や基板載置部などの影響による基板上の膜厚不均一部分
を無くし、基板の膜厚均一性を向上する。
基板処理装置は、ボート（基板保持具）に保持された複数のウェハ（基板）を処理室に収容し、加熱された処理室に処理ガスを供給して、ウェハを成膜処理する。ボートは、略垂直に設けられた少なくとも３本の支柱１５と、支柱に多段に設けられて複数のウェハを所定の間隔で略水平に載置する複数のウェハ支持部１６（基板載置部）と、支柱１５に設置され、ウェハ支持部１６に支持されるウェハに対して所定の間隔で略水平に設けられる複数のリング状プレート１３とを有する。 （もっと読む）

基板装入工程または／および基板引出工程時に、反応室内からパーティクルを有効に排除することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
ウェハ（２００）を反応室（２０１）に装入する工程または／およびウェハ（２００）を引き出す工程では、ウェハ（２００）を処理する工程における排気流量よりも大きな排気流量にて反応室（２０１）内を排気する。前記ウェハ（２００）を装入する工程または／およびウェハ（２００）を引き出す工程では、前記反応室（２０１）内に不活性ガスを導入しつつ排気することが好ましい。
（もっと読む）

本発明は、人の手を介することなく、自動的に正常状態にある基板を回収することができる基板処理装置を提供することを目的とする。基板１２を多段に保持する基板保持具２６と、この基板保持具２６に基板１２を移載する基板移載機３４とからなり、基板保持具２６の基板保持状態は検知部６０により検知される。検知部６０は、フォトセンサ６４ａ，６４ｂを有し、このフォトセンサ６４ａ，６４ｂから検知された検知波形が正常波形と比較され、少なくとも異常と判断された基板１２以外の基板１２を基板移載機３４にて移載するよう制御する制御部６６が設けられている。 （もっと読む）

基板処理装置は、基板を処理する処理炉以外の場所で処理前および処理後の少なくとも一方の基板表面の放射率を測定する放射率測定部材（２１、２２、２３）と、測定結果を保存する記憶部１１とを備えている。 （もっと読む）

反応炉１内で基板１０に成膜を行う工程と、成膜後の基板１０を反応炉１よりアンロード後、反応炉１内に１０基板がない状態で反応炉１内を強制冷却する工程とを有する半導体装置の製造方法を提供する。反応炉１内に付着した堆積膜の応力を自然空冷時よりも増大させて積極的に熱応力を発生させ、堆積膜に自然空冷時以上の強制的な亀裂を発生させる。亀裂の発生により飛散した微細パーティクルは大気圧状態での炉内パージにより強制的に、また効率的に反応炉外に排出される。 （もっと読む）

【課題】 入力レベルに対して出力レベルが線形となる領域の場合でも、歪のない安定した増幅を行うことができる歪補償増幅装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 増幅時に発生する歪を補償する歪補償増幅装置であって、入力信号から入力レベルを検出する入力レベル検出部８と、入力信号から歪相殺信号を生成し、入力信号と歪相殺信号を合成する歪相殺信号合成部と、歪相殺信号合成部の出力を増幅する増幅部６と、増幅部６の出力から出力レベルを検出する出力レベル検出部９と、増幅部６の出力における歪が小さくなるように歪相殺信号合成部を制御するとともに、入力レベルに対して増幅部６の出力レベルが線形となる領域であれば、歪相殺信号を生成しないように歪相殺信号合成部を制御する制御部２０とを備えた。 （もっと読む）

基板上に形成する薄膜の再現性と面内均一性、組成均一性を改善する。 反応室１００に原料ガスを供給する原料ガス供給管５ｂに、バルブ３４、３５を設け、原料ガス供給管５ｂから分岐したバイパス配管１４ａにバルブ３３を設ける。バルブ３４、３５の間に不活性ガス供給配管２３を設ける。制御装置２５０は、バルブ３３〜３５を次のように制御する。成膜時と成膜停止時との間の成膜停止遷移時は、バルブ３４を閉じ、バルブ３３とバルブ３５を共に開き、原料ガスをバイパス配管１４ａからバイパスさせると共に、不活性ガス供給配管２３から不活性ガスを流して原料ガス供給管５ｂ内のバルブ３５よりも下流側デッドスペースの残留ガスを反応室から排気する。成膜停止時は、バルブ３５を閉じ、バルブ３４とバルブ３３をともに開き、不活性ガス供給配管２３から不活性ガスを流して原料ガス供給管５ｂ内の不活性ガス供給箇所よりも上流側デッドスペースの残留ガスを、原料ガスと共にバイパス配管１４ａから排気する。 （もっと読む）