説明

株式会社日立国際電気により出願された特許

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【課題】CCD撮像素子を用いた撮像装置において、垂直スミアや転送路過飽和等の映像異常を目立たなくする。
【解決手段】CCD撮像素子を用いた撮像装置において、V−OBに達しないまたは変動する垂直スミアのある垂直ラインの映像信号を、映像に垂直ラインマーカー重畳または白伸長した垂直ラインの映像信号の最大値検出により左右の画素の加重平均に置き換えるか本線映像信号に補正を加える。あるいはスミアのある画面の映像信号とスミアのない画面の映像信号の差分をとり本線映像信号に補正を加える。V−OBの垂直ラインの信号の最小値を検出し垂直スミア成分とみなし、垂直スミア成分または垂直ラインの映像信号の最大値が所定以上になったら、レンズアイリスを絞り、AGCまたはCMG電圧を高くし、感度を一定に保つ。 (もっと読む)


【課題】測定器制御の変更により測定器の制御コマンドに追加や変更があった場合であっても、測定器制御ドライバを修正する必要がないシステム試験装置を提供する。
【解決手段】試験を統括処理する制御処理部14及び、試験の手順が記述された試験パラメータファイル19と、該試験パラメータファイルに関連づけされ、測定器に対して行われる処理と処理に対応した制御コマンドの基となるGPIBコマンドの一覧が記述された測定器コマンド情報ファイル22とが格納された記憶部15を具備し、前記制御処理部は前記試験パラメータファイルを解析し、解析した結果に対応する処理を前記測定器コマンド情報ファイルから選択し、選択された処理に対応する前記制御コマンドを生成する。 (もっと読む)


【課題】酸化処理の面内均一性を向上させる。
【解決手段】 基板の側方に設けられたノズルから酸素含有ガスを第1の流量にて基板に向けて供給し、その際、そのノズルと同じノズルから、酸素含有ガスと一緒に不活性ガスを第1の流量よりも大きな第2の流量にて供給することで、基板の表面と平行方向に流れる酸素含有ガスの流速を、酸素含有ガスを第1の流量にて単独で流す場合における基板の表面と平行方向に流れる酸素含有ガスの流速よりも大きくする (もっと読む)


【課題】 液体原料を用いてSi以外の金属膜を安定して成長させる。
【解決手段】 基板上に形成された第1の金属膜の表面を水酸基で終端する第1の前処理を行う工程と、第1の前処理後の第1の金属膜に対して水素含有ガスを供給して第2の前処理を行う工程と、第2の前処理後の第1の金属膜上に第2の金属膜を形成する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】移動する送信装置と、送信装置から送信される電波を受信する受信装置と、表示部と、を備えた無線伝送システムにおいて、三次元を用いた伝送に関する情報の表示を有効に行う。
【解決手段】表示部は、送信装置(送信点402)から受信装置(受信点401)を見た場合における送信装置の後方から受信装置を見る視点で、三次元地図を用いた表示(例えば、図4に示されるような表示)を行う。また、表示部は、送信装置と受信装置の2点の位置を含む範囲を上空から見る視点で地図を用いた表示を行う機能や、送信装置と受信装置の2点の位置を含む範囲を水平に見る視点で地図を用いた表示を行う機能を有する。 (もっと読む)


【課題】接続されたIFケーブル長が不明であっても、長距離のIFケーブルを使用する。
【課題を解決するための手段】映像、音声を無線伝送する伝送装置において、高周波部と制御部を同軸ケーブルで接続し、前記制御部に前記同軸ケーブルには、公称電圧36Vdc以下の直流電圧と公称電圧48Vdc以上の直流電圧とを重畳する手段と識別信号送受信手段とを有し、前記高周波部には、直流電圧を分離する手段と識別送受信手段とを有し、起動時に、前記制御部から公称電圧36Vdc以下の直流電圧を前記同軸ケーブルに重畳し、前記制御部から前記高周波部に識別信号を送信し、前記高周波部から前記制御部に識別信号を返信し、該識別信号の返信までの遅延が所定時間以上で、該識別信号が前記制御部の識別信号と一致したならば、前記制御部は公称電圧48Vdc以上の直流電圧を同軸ケーブルに重畳する。 (もっと読む)


【課題】処理室に供給する液体原料を効率よく気化する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室16内にウエハ14を搬入する工程と、処理室16内に液体原料スプレーノズル70より金属化合物を含む液体原料を供給しつつ液体原料スプレーノズル70と支持台18にバイアス電圧を印加することで、液体原料を気化させた原料ガスを帯電した状態で噴霧させてウエハ14に供給し、ウエハ14上に原料ガスを吸着させる工程と、処理室16内に酸化剤を供給することで、ウエハ14上に吸着させた原料ガスと酸化剤とを反応させて金属含有層を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、ウエハ14上に所定膜厚の金属含有膜を形成する処理を行う工程と、処理室16内から処理済みのウエハ14を搬出する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】測定器を変更したり、測定器の配置を変更する場合に、例えば、変更後の測定器の寸法や消費電力が、その測定器を収容予定の収容架(収容場所)の寸法や消費電力に合っているか否かを、判断することのできる試験システムを提供する。
【解決手段】複数の測定器を収容可能な収容架を備えた試験システムを、各測定器の仕様を記憶する測定器情報テーブルと、収容架の仕様を記憶する収容架情報テーブルとを記憶しておき、測定器の画像と収容架の画像が表示部に表示された状態において、操作員から指定された測定器を指定された収容架へ配置する指示を受け付けると、前記指定された測定器が前記指定された収容架に収容可能であるかを判定し、収容不可と判定された場合に、収容不可である旨の報知メッセージを、表示部に表示するよう構成する。 (もっと読む)


【課題】緊急一括通報において一括通報、グループ通報、又は個別通報を行う無線通信システム及び緊急通報方式を提供する。
【解決手段】(1)の通報開始ではオペレータが操作卓11から一括通報、グループ通報、又は個別通報のいずれかを設定すると、(2)の緊急一括通報開始で親局装置12に緊急一括通報開始データが送信され、(3)の呼番号通知では操作卓11に呼番号通知データが送信される。(4)の通報開始指示では、親局装置12は屋外拡声子局20または戸別受信機30に通報開始指示データを送信する。(5)の番号通知では、親局装置12は屋外拡声子局20または戸別受信機30に番号通知データを送信する。通報開始指示データと番号通知データの通報種別「緊急一括通報開始」に対する子局識別番号に「一括番号、グループ番号、個別番号」を設定できるようにする。 (もっと読む)


【課題】ヒータ昇温時に、熱応力に起因する基板載置部の破損を防止することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】基板を収容し加熱処理を行う基板処理室と、前記基板処理室内に設けられ、その表面に基板を載置する基板載置部と、前記基板載置部内に設けられ、基板を加熱するための第1のヒータと、前記基板載置部内に設けられ、基板を加熱するための第2のヒータと、前記第1のヒータと第2のヒータを加熱制御する制御部であって、前記第1のヒータの加熱制御値に基づいて、第2のヒータの加熱制御値を決定するよう制御する制御部とから半導体製造装置を構成する。 (もっと読む)


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