説明

工業技術院長により出願された特許

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【解決手段】セラミック基板上に、厚さ1000A 以上のシリコン窒化単層膜或はシリコン酸化・窒化中間化合物単層膜よりなるバッファ層を配置し、該バッファ層の上面にはシリコン膜を配置し、該バッファ層とシリコン膜との間に有効不純物を含んだシリコン化合物膜或はシリコン膜より高融点の導電性膜からなる第3の膜を設けて上記シリコン膜を溶融・結晶化させるシリコン基体の製造方法。
【効果】薄膜電子デバイスの基板側から不純物の導入が可能となり、或はシリコン膜の裏面でコンタクトをとることができるなどデバイス製造上格別な効果をもたらす。 (もっと読む)


【課題】 メタノール/エタノールの共晶点組成を有する凝固温度約−142℃のアルコール冷媒を、液化天然ガスによって安定して冷却する熱交換システムを提供すること。
【解決手段】 第1間接熱交換器には、冷却されるべきアルコール冷媒が供給され、これによって液化天然ガスLNGを昇温して第2間接熱交換器E2に導き、こうして昇温された第1間接熱交換器E1からの液化天然ガスを用いて、約−160℃の液化天然ガスと熱交換して、第2間接熱交換器E2から第1間接熱交換器E1に入る液化天然ガスの温度を、アルコール冷媒が凝固しない高い温度に昇温させる。第1間接熱交換器E1から第2間接熱交換器E2を経た液化天然ガスは、第3間接熱交換器E3で冷熱回収される。 (もっと読む)




【課題】 ひずみや応力に対して許容性が大きい高気孔率高強度窒化ケイ素多孔体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 短径0.5〜10μm、アスペクト比10〜100の窒化ケイ素柱状粒子が一方向に配向し、柱状粒子以外は気孔率5〜30%の気孔のみからなる構造を特徴とするひずみや応力に対して許容性が大きい高気孔率高強度窒化ケイ素多孔体。上記窒化ケイ素多孔体は、窒化ケイ素として短径0.5〜10μm、アスペクト比10〜100の窒化ケイ素柱状粒子のみを用いて、柱状粒子結合のための助剤とともに混合し、シート成形、押出成形等の成形手法を用いて窒化ケイ素柱状粒子が一方向の配向したテープを形成し、積層脱脂後窒素雰囲気中で焼結して製造される。 (もっと読む)


【課題】 火山ガラス質堆積物を原料とし、高強度で白色度の優れた微細中空ガラス球状体を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 火山ガラス質堆積物粉体100重量部を、硫酸アルミニウム1〜10重量部を含有する水溶液中に分散させたのち、この懸濁液にアルカリ水溶液を添加して該粉体粒子表面にアルミナ水和物を析出させ、次いで固形物を洗浄、乾燥後、900〜1100℃の温度において1秒ないし1分間熱処理することにより、微細中空ガラス球状体を製造する。 (もっと読む)



【課題】 基材樹脂に紫外線吸収剤や酸化防止剤などを添加しなくても、プラスチック成形体の劣化を効果的に防止して、耐久性を付与する方法を提供する。
【解決手段】 プラスチック成形体に、シロキサン系化合物、シラザン系化合物、シラン系化合物などのプラズマ重合性ケイ素化合物のガスを接触させ、プラズマ重合処理することにより、プラスチック成形体表面にケイ素化合物のプラズマ重合被膜を形成させて、劣化を防止する方法である。 (もっと読む)



【目的】水素と一酸化炭素を含有する気体から一酸化炭素を除去することにより、一酸化炭素を含まない水素含有ガスまたは水素ガスを得るに際し、一酸化炭素を選択的に酸化除去しうる技術を提供することを主な目的とする。
【構成】1.水素と一酸化炭素を含有する気体から金触媒の存在下に一酸化炭素を選択的に酸化除去する方法。
2.金触媒が、金超微粒子が金属酸化物に分散担持された触媒である上記項1に記載の方法。
3.金属酸化物が、酸化マンガン、酸化銅、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化チタン、酸化ニッケルおよびこれら金属の複合酸化物の少なくとも1種である上記項1または2に記載の方法。
4.金超微粒子が金属酸化物に分散担持されていることを特徴とする水素と一酸化炭素を含有する気体からの一酸化炭素除去用触媒。 (もっと読む)


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