説明

工業技術院長により出願された特許

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【構成】 本発明は、スフィンゴモナス属に属し、2,6−ジメチルナフタレンから2,6−ナフタレンジカルボン酸を生成することのできる2,6−ナフタレンジカルボン酸生成菌及びこの生成菌を用い、2,6−ジメチルナフタレンを溶解した有機溶媒と、培地からなる有機溶媒系培地において培養し、2,6−ナフタレンジカルボン酸を生成させることを特徴とする2,6−ナフタレンジカルボン酸あるいはその塩の製造法に関するものである。
【効果】 本発明の使用菌によれば、2,6−ジメチルナフタレンを溶液状で直接2,6−ナフタレンジカルボン酸に交換でき、その収率を著じるしく高めることができたものである。 (もっと読む)


【目的】 Tlを含まず、あるいはTl濃度の低い高温超伝導体を実現する。
【構成】 超伝導体は(M1-xxy CuO1+z の組成、ただしMはCa,Sr,Ba,Hg,Cd,Pbの2価イオンの少なくとも1種類、AはLi,Na,K,Rb,Cs,Agの1価イオンまたはTl,BiあるいはY,Laランタニド系列の3価イオンの少なくとも1種、0<x<0.5、0.8<y<2.0、1.6<z<2.4、を有し、かつ層状構造を持つ。 (もっと読む)


【目的】 一素子で多ビットを記憶でき、かつ、素子占有面積が小さな不揮発性半導体メモリ素子を提供する。
【構成】 基板1の主面上に、表面がチャネル形成領域23となっている半導体台状部9を形成する。半導体台状部9の表面上に電荷蓄積部材6を設ける。電荷蓄積部材6をそれぞれ所定の幅W1,W2,W3の各実効電荷蓄積領域に分けるため、それぞれに対応する幅W1,W2,W3の第一、第二、第三ゲート電極51,52,53を設ける。これらゲート電極の中、少なくともいくつか、例えば第一、第二ゲート電極51,52は、半導体台状部9の側面に沿うように設ける。 (もっと読む)


【構成】 溶液または分散液状態の有機系光学材料を高真空容器内に噴霧して基板上に堆積させ、加熱処理する。また、必要に応じてさらに加圧処理する。
【効果】 より低温度において、光学材料の熱分解をもたらすことなく微細構造制御された高品質、高機能な有機系光学薄膜が形成される。 (もっと読む)


【構成】シリコン乃至ゲルマニウム単結晶の基板4上に、所定の原料ガスを供給して単結晶膜9、10を結晶成長する際に、予めビスマス吸着層8を形成したのち、その表面に所定の原料ガス供給して上記ビスマス吸着層8下で単結晶膜の結晶成長を行うようにした結晶成長方法。
【効果】ビスマス吸着層8によって、三次元島状成長或は表面偏析を抑制して結晶成長させるため、シリコン単結晶或はゲルマニウム単結晶の基板4の表面に、従来は困難であった低不純物濃度の原子層オーダーで平坦且つ急峻なヘテロ界面を有する結晶層を形成できる。 (もっと読む)


【目的】 内部に移動機構を有する真空チャンバと試料チャンバとを有し、試料チャンバが超高真空雰囲気またはガス雰囲気に置かれ、移動機構に制約を与えずに作動する荷電ビーム装置を提供する。
【構成】 移動機構の試料チャンバに面する表面に平面が形成され、平坦な開口面を有するフランジが、該開口面を移動機構に制約を与えることなく真空排気を可能とする微小な間隙で前記平面に対向させて、真空チャンバと試料チャンバとの間に取り付けられている。 (もっと読む)


【構成】 複数種の有機系光学材料をその共通の良溶媒に溶解した溶液を、この良溶媒と相溶性があり、有機系光学材料に共通する貧溶媒と混合して沈殿析出させ、得られた析出物を濾別して減圧乾燥し、次いで粉砕して得られた粉末を真空加熱処理し、さらに真空下に加熱溶融成形する。
【効果】 気化しにくい材料、熱分解しやすい材料等であっても、高品質の光学材料の成形製造が可能となる。 (もっと読む)


【目的】 電流注入型ジョゼフソン論理ゲートのカスケード接続において、前段ゲートのファンアウトの変更に簡単に対応する。
【構成】 後段の電流注入型ジョゼフソン論理ゲート10の入力に直列に前段ゲート30用の負荷抵抗RLを挿入する。負荷抵抗RLを構成する負荷抵抗パタン11には、それぞれ抵抗値の異なる負荷抵抗の得られる第一、第二の入力端子Ti-1,Ti-2を構成する第一、第二の入力端子パタン12-1,12-2を設ける。 (もっと読む)


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