【課題】 歪み及び破損を発生させずに基板同士を接合でき、赤外分光法により流路を流れる微小流体を分析することができるマイクロ流体デバイス及びその製造方法、並びにこのマイクロ流体デバイスを備えた化学分析装置を提供する。
【解決手段】 石英基板１の一方の面に流路３を形成し、この流路３の表面に赤外線反射膜４を形成する。また、基板１の流路３の各終端部に整合する位置に夫々貫通孔５が形成されたサファイヤ基板２の一方の面上にシリコン酸化膜６を形成する。そして、基板１の流路３が形成されている面と、基板２のシリコン酸化膜６が形成されている面とを重ね合わせ、フッ酸により基板１と基板２のシリコン酸化膜６とを溶解接合することにより、基板１と基板２とを貼り合わせてマイクロ流体デバイスとする。 （もっと読む）

【課題】 高張力合金化溶融亜鉛めっき鋼板における耐パウダリング性を向上させること。
【解決手段】 耐パウダリングに優れた高張力合金化溶融亜鉛めっき鋼板は、めっき層の面方向のうちの少なくともいずれか一方向に延びるクラックが、平均間隔１５μｍ以下でめっき層中に多数存在するところに特徴がある。垂直荷重２９．４Ｎ／ｍｍ²で測定しためっき層表面の動摩擦係数は０．１３０以下であることが好ましい。めっき層表面の中心線平均粗さＲａ７５が０．８μｍ以下であり、Ｘ線回折法を用いて測定されためっき層中のζ相の回折強度Ｉζとδ１相の回折強度Ｉδ₁との比であるＩζ／Ｉδ₁が０．１以下であることはより好ましい実施態様である。 （もっと読む）

【課題】 摩擦係数が低く（低挿入力）、高温・腐食・振動環境下においても接触抵抗を低く維持できる嵌合型端子用導電材料を得る。
【解決手段】 Ｃｕ板条からなる母材の表面に、Ｃｕ含有量が２０〜７０ａｔ％で平均の厚さが０．２〜３．０μｍのＣｕ−Ｓｎ合金被覆層と平均の厚さが０．２〜５．０μｍのＳｎ被覆層がこの順に形成された導電材料。その材料表面はリフロー処理されていて、少なくとも一方向における算術平均粗さＲａが０．１５μｍ以上で、全ての方向における算術平均粗さＲａが３．０μｍ以下であり、前記Ｓｎ被覆層の表面に前記Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層の一部が露出し、その材料表面露出面積率が３〜７５％である。この導電材料は、粗面化した母材表面に、必要に応じてＮｉめっき層、さらにＣｕめっき層及びＳｎめっき層を形成した後、リフロー処理を行うことにより製造する。 （もっと読む）

【課題】 コンパクトな装置で、多数の基板を同時に処理することができ、高圧容器の気密性にも優れ、また同様品質の窒化物単結晶が得られる高圧液相エピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】
本発明に係る高圧液相エピタキシャル成長装置は、高圧容器１と、前記高圧容器１の内部に設けられた断熱構造体２と、前記断熱構造体２の内側に設けられたヒータ３と、種結晶が形成された基板を収容する処理容器１１を複数有する。前記各処理容器１１は前記ヒータ３の内側で上下方向に配置される。前記各処理容器１１を同一動作にて水平状態から傾斜状態に揺動させるカム２６および従動ロッド２７が高圧容器１の内部に設けられ、前記カム２６を駆動する電動機２９がヒータ３から離隔した高圧容器１の下部に設けられる。 （もっと読む）

【課題】 コストを削減し、かつ拍を入れるタイミング誤差を低減することが可能な電子メトロノームを提供することである。
【解決手段】 ＲＯＭ４０に拍を入れるための音情報が記録されている。そして、音源１０からの音情報が入力バッファ２０に記録され、さらに出力バッファ３０Ａ，３０Ｂに交互に記録される。テンポ制御部５０により出力バッファ３０Ａ，３０Ｂへの割り込み回数がカウントされ、所定の割り込み回数に到達した場合にＲＯＭ４０に記録された拍の音情報が出力バッファ３０に記録された音情報に足し合わされて外部に出力される。 （もっと読む）

【課題】 連続鋳造鋳片を連鋳機内でミスト冷却するに際し、二次冷却水の配管詰まりの発生状況を比較的簡単な構成で、正確に把握することができる検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明の配管詰まり検出方法は、連続鋳造鋳片を連鋳機内でミスト冷却するに際し、二次冷却水の配管詰まりを検知する方法であって、各冷却系列における流量調整弁の開度と冷却水量に基づいて、配管詰まりを検知するものである。 （もっと読む）

【課題】 冷凍処理室の出入口の温度差を小さくできる小型でかつ性能良好な冷凍装置を提供する。
【解決手段】 内部の被処理物を冷凍させる冷凍処理室１１と、第１流入口２１、第２流入口２２及び流出口２３を有し、流入して来た冷媒ガスを混合して流出させる混合器１２と、流入して来た冷媒ガスを二手に分配して流出させる送風分配部１３と、ここから流出した一方の冷媒ガスが、熱交換器４２内の一方の流路を通過し、圧縮機４３、冷却器４４を経て、熱交換器４２内の他方の流路を通過し、ここで上記両流路の冷媒ガス間で熱交換し、膨張機４５を経た後、第１流入口２１に導かれる第１流路１４と、送風分配部１３から流出した他方の冷媒ガスが第２流入口２２に導かれる第２流路１５と、流出口２３からの冷媒ガスが冷凍処理室１１に導かれる第３流路１６と、冷凍処理室１１を通過した冷媒ガスが送風分配部１３に導かれる第４流路１７とを備えた構成としてある。 （もっと読む）

【課題】均一でしかも密な金属積層を精度良く実現することができる溶射ノズル装置およびそれを用いた溶射装置を提供する。
【解決手段】ノズル１の入口側にキャリアガスを導入してその内部全域に超音速のガス流を形成し、そのガス流によって溶射材をアトマイズし放出する溶射ノズル装置であって、線状に成形された溶射材４をガス流と略平行な状態で入口側からノズル１内に挿入する溶射材挿入部５と、溶射材挿入部５の先端近傍でその溶射材挿入部から突出した溶射材４を加熱溶解するレーザー装置とを備え、このレーザー装置より溶解されアトマイズされた溶射材粒子をノズル１内の超音速ガス流によって急冷し、凝固状態若しくは半凝固状態で放出するように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Feよりも酸化し易い元素を含有する鋼板を酸化還元法により酸化還元した後、溶融亜鉛めっきするに際し、ラインスピードを低下させることなく、酸化炉の炉長を長くすることなく、前記酸化還元法での酸化により形成する酸化膜の膜厚を厚くすることができる溶融亜鉛めっき方法および溶融亜鉛めっき設備を提供する。
【解決手段】 (1) Feよりも酸化し易い元素を含有する鋼板を酸化還元法により酸化還元した後、溶融亜鉛めっきするに際し、前記酸化還元法での酸化を火炎照射により行い、この際に火炎の酸化領域に鋼板を通過させ、鋼板表面に酸化膜を200 〜2000Å／ｓの酸化膜成長速度で成長させることを特徴とする溶融亜鉛めっき方法、(2) 前記方法において、火炎照射の前に鋼板の温度を600 ℃超の温度にした後、火炎照射をするもの、(3) 前記方法を実施するための溶融亜鉛めっき設備等。 （もっと読む）

【課題】 表面が平坦で且つ表面に非配向結晶が存在せず、従来よりも薄い膜厚で結晶粒径を大きくすることができる高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法並びに高配向ダイヤモンド膜を備えた電子デバイスを提供する。
【解決手段】 原料ガスとしてメタン及び水素の混合ガスを使用して、ＣＶＤ法により、基板３上にダイヤモンド結晶を｛１１１｝セクタ成長させてダイヤモンド層１を形成する。次に、原料ガスとしてメタン、水素及び酸素の混合ガスを使用し、プラズマＣＶＤ法により、ダイヤモンド層１上にダイヤモンド結晶を｛１００｝セクタ成長させてダイヤモンド層２を形成する。このとき、原料ガスの圧力を１３３ｈＰａ以上とし、原料ガスの組成を（［Ｃ］−［Ｏ］）／［ＣＨ_３＋Ｈ_２＋Ｏ_２］が−０．２×１０^−２以上で且つ［Ｏ］／［Ｃ］が１．２以下になるようにし、更に、基板温度を７５０℃を超え１０００℃未満とする。 （もっと読む）