説明

昭和電工株式会社により出願された特許

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【課題】冷熱サイクル時の絶縁板のクラックの発生や、絶縁板と第2金属板との接合界面での剥離の発生を抑制しうる絶縁積層材を提供する。
【解決手段】パワーモジュール用ベースの絶縁回路基板4となる絶縁積層材は、絶縁板5と、絶縁板5の片面に接合されかつ絶縁板5とは反対側の面に発熱体が取り付けられるようになされている回路板6と、絶縁板5の他面に接合された応力緩和板7とよりなる。回路板6および応力緩和板7は方形であり、応力緩和板7の輪郭の全体が回路板6の輪郭よりも内側に位置している。回路板6の中心Oと各角部Cとの距離をL1、回路板6の各角部Cとこれに最も近接した応力緩和板7の角部C1との距離をL2とした場合、0<L2/L1≦0.035という関係を満たしていることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が低いSiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにSiCエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】本発明のSiCエピタキシャルウェハは、オフ角を有するSiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル層を有するSiCエピタキシャルウェハであって、前記SiCエピタキシャル層に存在する、チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が0.5個/cm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】遺伝子欠損させると生育阻害が生じ、特殊装置や多くの時間を要する方法でしか取得することができなかった遺伝子欠損酵母を簡便に取得することができる遺伝子欠損酵母の製造方法を提供する。
【解決手段】宿主酵母に対して代替代謝物生産経路及び補償経路を構築する第1の工程と、前記宿主酵母の生育阻害が生じる遺伝子の欠損を行う第2の工程と、前記補償経路を脱落させる第3の工程を含む遺伝子欠損酵母の製造方法。 (もっと読む)


【課題】
不飽和ジカルボン酸を必須成分として得られるバインダー成分を含有するカーボンコート塗工液をアルミ箔に塗工して得られるカーボンコート箔層と活物質層を持つことで、集電体に対する活物質層の密着性に優れ、かつ集電体との抵抗が低い電極、およびこれら電極を用いたリチウムイオン二次電池を提供すること。
【解決手段】
本発明は、不飽和ジカルボン酸のみを重合して得られる重合体、又は、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキル、(メタ)アクリルアミド、N−メチロール(メタ)アクリルアミド、(メタ)アクリロニトリル及び(メタ)アクリル酸アルキルから選ばれる1種以上の不飽和単量体と不飽和ジカルボン酸を重合して得られる重合体であり、重量平均分子量が50万〜300万である、金属箔に塗工するカーボンコート箔塗工液用バインダーに関する。 (もっと読む)


【課題】発光効率の高いIII族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上にIII族窒化物半導体からなる、n型層、発光層およびp型層が、発光層をn型層とp型層が挟むように配置されたIII族窒化物半導体発光素子であり、発光層と基板との間にある層のa軸格子定数a1と発光層のa軸格子定数a2との差の割合Δa(=100(a1−a2)/a1)の範囲が、−0.05≦Δa≦0.05(単位:%)であるIII族窒化物半導体発光素子を製造する方法であって、III族窒化物半導体をMOCVD法で成長させる際のV族原料とIII族原料のモル比(V/III比)が、発光層と基板との間にある層を成長させる際には300〜1600であり、井戸層を成長させる際には70000〜190000であることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】熱伝導性、導電性、強度に優れたAl−Mg−Si系合金板を簡単で少ない工程で製造する。
【解決手段】Si:0.2〜0.8質量%、Mg:0.3〜1質量%、Fe:0.5質量%以下、Cu:0.5質量%以下を含有し、さらにTi:0.1質量%以下またはB:0.1質量%以下の少なくとも1種を含有し、残部Alおよび不可避不純物からなるAl−Mg−Si系合金鋳塊を、熱間圧延し、さらに冷間圧延する工程を含む合金板の製造方法であって、熱間圧延後で冷間圧延終了までの間に、200〜400℃で1時間以上保持することにより熱処理を行う。 (もっと読む)


【課題】基板に発光装置を実装する発光モジュール等において、基板に対する発光装置の着脱を容易にする。
【解決手段】孔33を有する基板30に取り付けられるLEDパッケージ20は、発光するLEDチップ21と、弾性変形する板状の部材によって構成され、LEDチップ21の一方の電極に接続して給電経路を形成するアノード用リード部40と、弾性変形する板状の部材によって構成され、LEDチップ21の他方の電極に接続して給電経路を形成するとともに、アノード用リード部40に対向しながらアノード用リード部40と同方向に延びて設けられるカソード用リード部50と、LEDチップ21、アノード用リード部40及びカソード用リード部50を保持する容器23とを備える。 (もっと読む)


【課題】透明性、耐熱性、耐水性に優れた硬化物を与えることができ、ハンドリング性に優れた硬化性組成物を提供すること。
【解決手段】(a)シリカ微粒子と、(b)2つ以上のエチレン性不飽和基を有しかつ環構造を有しない(メタ)アクリレート化合物と、(c)エチレン性不飽和基を有しかつ脂環式構造を有する(メタ)アクリレートと、(d)重合開始剤とを含み、前記シリカ微粒子(a)が、特定のシラン化合物(e)およびシラン化合物(f)で表面処理されていることを特徴とする硬化性組成物。 (もっと読む)


【課題】有機発光素子が形成された基板と封止板との間の空間を光硬化性樹脂で満たした発光装置であって、光硬化性樹脂を硬化させるために封止板側から照射される紫外光から有機化合物層を保護できる発光装置、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第1電極、少なくとも発光層を含む1層以上の有機化合物層、および不透明な第2電極を有しこれらがこの順序で積層された有機発光素子、ならびに前記有機発光素子における前記有機化合物層の露出部分を覆う、波長が380nm以下の紫外光を反射または吸収する光遮断層を有する光遮断層付き有機発光素子と、前記光遮断層付き有機発光素子の前記第1電極側に、前記第1電極に接して配置された透明な第1基板と、前記第1基板の前記光遮断層付き有機発光素子側に、前記第1基板に対向して配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に、光遮断層付き有機発光素子を覆いつつ充填された光硬化性樹脂の光硬化物部とを有することを特徴とする発光装置。 (もっと読む)


【課題】コーキングによる触媒の失活を抑制できる、芳香族炭化水素及び/又は軽質オレフィンの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化水素を、酸量が0.001〜1mmol/gの固体酸触媒(A)を含む第1の触媒部を通過させ、その後更に酸量が前記固体酸触媒(A)の酸量の90%以下である固体酸触媒(B)を含む第2の触媒部を通過させることを含み、かつ、前記第1の触媒部および前記第2の触媒部において該炭化水素を600℃以上の反応温度で接触分解することを含む、ことを特徴とする芳香族炭化水素及び/又は炭素数4以下のオレフィンの製造方法。 (もっと読む)


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