【課題】基板に含まれる珪素系材料に対してダメージを与えることなく、常温で高速に長時間安定してタングステン系金属を除去することができるエッチング用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の金属エッチング用組成物は、過硫酸塩の添加量が８〜３０質量％、塩基性化合物の添加量が１〜１５質量％、となるように配合された、フッ素含有化合物を含まない２５℃でのｐＨが８以上の水溶液であることを特徴とする。過酸化水素をさらに添加することによりタングステン系金属とチタン系金属の積層膜あるいは合金膜の除去に適用することができる。他方、過酸化水素を無添加とすることにより、チタン系金属に優先してタングステン系金属を選択的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】ナフサの接触分解に用いられる触媒の劣化を抑制し、当該触媒の長寿命化を図る。
【解決手段】実施の形態に係る触媒は結晶性アルミノシリケートを含む。当該結晶性アルミノシリケートに含有されるアルミニウム原子は、^２７Ａｌ−ＭＡＳＮＭＲを用いて得られたケミカルシフト４６〜６２ｐｐｍの間のスペクトルにおいて、５０〜５４ｐｐｍの領域にピーク頂点を有している。 （もっと読む）

【課題】冷媒が冷媒流入口を通って流入する際の通路抵抗の上昇および冷媒流動音の発生を抑制しうる熱交換器を提供するを提供する。
【解決手段】エバポレータ１は、複数の熱交換管19を有する熱交換コア部４と、熱交換コア部４における熱交換管19の長手方向の両側に設けられかつ一端部に冷媒流入口8,17を有するヘッダ部5,14とを備えている。ヘッダ部5,14は、両端が開口したヘッダ部本体24,25、ヘッダ部本体24,25の両端開口を閉鎖するキャップ26,27,28,29、およびヘッダ部本体24,25内を熱交換管19が通じている第１空間31,32と第２空間33,34とに区画する仕切部材35,36からなる。冷媒流入口8,17を、一方のキャップ26,28に第２空間33,34内に通じるように形成する。冷媒流入口8,17の開口面積を、第２空間33,34における長手方向の中間部の通路断面積よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高い温度で使用可能であり、加えて従来よりも高い誘電率を有する誘電体組成物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式：Ｍ（１）_１−ｘＭ（２）_ｘＭ（３）_１−ｙＭ（４）_ｙＯ_{２＋ｘ―ｙ}Ｎ_{１―ｘ＋ｙ}で示される組成であることを特徴とする誘電体組成物（但し、Ｍ（１）元素はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｇｄから選ばれる1種以上の元素であり、Ｍ（２）元素はＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ（３）元素はＴｉ，Ｚｒから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ（４）元素はＶ，Ｎｂ，Ｔａから選ばれる１種以上の元素であり、Ｏ元素とＮ元素は酸素と窒素である。）により上記課題が解決できる。 （もっと読む）

【課題】磁性部とその凹部内に埋め込まれた非磁性部とを露出させて研磨面を形成する際に、非磁性部の研磨ムラを防止すること。
【解決手段】磁性材料を含む磁性部１１と、該磁性部１１に形成された複数の凹部１２０を覆うように埋め込まれた非磁性材料１２５とからなる複合体１５を、磁性部１１と凹部１２０内に埋め込まれた非磁性材料からなる非磁性部１２とが露出して平坦な研磨面１６を形成するまで研磨するために用いられる研磨液である。研磨液は、上記非磁性材料に対する接触角が１０°以下である。好ましくは、研磨液は、界面活性剤を０．０１〜２０質量％含有することがよい。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、インジウム組成の大小に対応したピーク波長が異なる複数の光を得る。
【解決手段】ｐｎ接合型のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であって、第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び第１の導電型とは逆の導電性を示す第２の半導体層が積層された積層半導体層を備え、積層半導体層の発光層は、発光層からの発光の取り出し方向と反対側に配置され第１のインジウム組成を有する第１の窒化ガリウム・インジウム層と、第１の窒化ガリウム・インジウム層より発光の取り出し方向側に配置され第１のインジウム組成より小さい組成の第２のインジウム組成を有する第２の窒化ガリウム・インジウム層と、第１の窒化ガリウム・インジウム層と第２の窒化ガリウム・インジウム層との間に設けられ、第１の窒化ガリウム・インジウム層及び第２の窒化ガリウム・インジウム層を構成する材料より格子定数が小さい材料からなる中間層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の厚み方向に異なる距離に複数段にわたって脆弱領域を形成しても、半導体素子の特性の劣化を抑制できる半導体ウエーハのレーザ加工方法等を提供する。
【解決手段】第１のレーザ照射工程では、レーザ光４５−１が基板１１０の裏面１１０ｂから入射され、開口数ＮＡ１の集光レンズ４４−１により裏面１１０ｂから距離ｄ１の位置に集光される。そして、吸着ステージ５２の−Ｘ方向への移動とともに、複数の脆弱領域２３が繰り返して形成される（図７（ａ１））。第２のレーザ照射工程では、レーザ光４５−２が基板１１０の裏面１１０ｂから入射され、開口数ＮＡ２が開口数ＮＡ１より大きい集光レンズ４４−２により裏面１１０ｂから距離ｄ２の位置に集光される。そして、吸着ステージ５２の−Ｘ方向への移動とともに、複数の脆弱領域２４が繰り返して形成される（図７（ｂ１））。 （もっと読む）

【課題】順方向電圧の上昇を抑制し、且つ光取り出し効率を向上させたフリップチップ実装半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び第２の導電型を有する第２の半導体層１６０が積層された積層半導体層と、第１の半導体層と接続する第１の電極と、第２の半導体層の表面に設けた第２の電極１７０と、を備え、第２の電極は、他の部分より膜厚が大きい複数の膜厚部を有し、光透過性を示す透明導電層１７１と、透明導電層上に積層され第１の屈折率を有し光透過性を示す第１の絶縁層と、第１の屈折率より高い第２の屈折率を有し光透過性を示す第２の絶縁層とを交互に積層して構成された多層絶縁層１７２と、多層絶縁層上に積層され導電性を有する金属反射層１７３ａと、多層絶縁層を通して設けられ一端が透明導電層の膜厚部に電気的に接続され他端が金属反射層と電気的に接続される導体部１７６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム素管を引抜き加工することにより感光ドラム基体用アルミニウム管を製造する感光ドラム基体用アルミニウム管の製造方法であって、素管の引抜き速度の高速化を図るとともに、素管の引抜き加工時に潤滑不良による焼き付きの発生を防止する。
【解決手段】引抜き加工用ダイス２の上流側に配置されたスクレーパ５により、アルミニウム素管20の外周面に付着した潤滑油８を掻き取るとともに該潤滑油８を素管20の外周面にその周方向に塗り広げながら、素管20を引抜き方向Ｘに移動させる。これにより、素管20を引抜き加工する。スクレーパ５は、ダイス２の上流側の端面2aあるいはダイス２を保持したダイスホルダ３の上流側の端面3aに取外し可能に且つ当該端面に沿って移動可能に貼り付いている。 （もっと読む）

【課題】環境面及びエネルギー効率に優れる二酸化炭素からの有用物質であるギ酸の生産方法を提供する。
【解決手段】二酸化炭素を吸蔵可能な多孔性金属錯体と、１，１’−ジメチル−４，４’−ピピリジニウムなどの両親媒性の電子供与剤と、前記多孔性金属錯体と複合化された［（Ｃ５Ｈ５Ｃｏ）３Ｓ２］などの三核遷移金属硫黄クラスター触媒と、を含む水性媒体中において、二酸化炭素を電解還元してギ酸を生成させる工程を実施する。 （もっと読む）