説明

昭和電工株式会社により出願された特許

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【課題】膜上に付着し又は膜中に埋没したSiCパーティクル等が低減されたSiCエピタキシャル膜を作製することができるCVD装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るCVD装置は、ウェハを水平に載置するウェハ載置部材と、該ウェハ載置部材に対向してその上方に配置する加熱部材と、該加熱部材の材料よりも膜材料の付着性が高い材料からなり、前記加熱部材と前記ウェハ載置部材との間に前記加熱部材に近接して配置して気相中から前記加熱部材へのガスの堆積を遮る遮蔽部材と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】溶媒への溶解性が高く、高軟化点で光学的等方性を有するピッチおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】アントラセンおよびピレンから選ばれる少なくとも一種が構造式(1):


で結合されており、その軟化点が130℃〜300℃であるピッチであり、当該ピッチはアントラセンおよびピレンから選ばれる少なくとも一種の基質とα,α’−ジブロモパラキシレンを、基質とα,α’−ジブロモパラキシレンの量論比(基質(モル)/α,α’−ジブロモパラキシレン(モル))を1.5〜3.0の割合として反応させて製造することができる。 (もっと読む)


【課題】p型コンタクト層のドーパント濃度の低下と結晶性低下に起因する、順方向電圧の増大、発光出力の低下が生じにくいIII族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にn型半導体層と多重量子井戸構造からなる発光層とp型クラッド層とを順次積層した後、キャリアガスとGa源及び窒素源を含む原料ガスとを連続的に供給するとともに、Mg源を含むドーパントガスを間欠的に供給するMOCVD法により、前記p型クラッド層上にp型コンタクト層を形成する工程を有し、前記ドーパントガスを供給する際に前記キャリアガスの流量を減少させることにより、前記p型コンタクト層の形成中における前記キャリアガスと原料ガスとドーパントガスとの総流量を一定に保つことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 (もっと読む)


【課題】はんだ接合性が良好であり、接合界面での割れや剥離の発生及びNi層の表面の変形の発生を防止することができる絶縁基板用積層材の製造方法を提供する。
【解決手段】積層材1は、表面2aに半導体素子21が接合されるNi又はNi合金で形成されたNi層2と、Ni層2の表面2a側とは反対側に配置された中間層3と、中間層3のNi層2配置側とは反対側に配置されたTi又はTi合金で形成されたTi層4と、Ti層4の中間層3配置側とは反対側に配置されたAl又はAl合金で形成されたAl層5と、を備える。中間層3は、Al若しくはAl合金で形成されたAl層3aであるか、又は、Cu若しくはCu合金で形成されたCu層3cである。これらの層2、3、4、5を積層状に一体化する。 (もっと読む)


【課題】絶縁基板とヒートシンクとが応力緩和材を介してろう材箔によってろう付された放熱装置の製造において、接合に供されない余剰ろう材量を減らす。
【解決手段】 応力緩和材(20)は少なくとも片面に開口する応力吸収空間(21)を有し、この応力緩和材(20)の応力吸収空間(21)が開口する面に絶縁基板(11)またはヒートシンク(13)を接合するために絶縁基板(11)またはヒートシンク(13)と応力緩和材(20)との間に介在させる放熱装置用ろう材箔(30)(40)であって、前記応力緩和材(20)の応力吸収空間(21)の開口部に相対する開口部対応領域の一部もしくは全部に、ろう材箔を厚み方向に貫く貫通部(32)(42)がろう材箔を切除することなく形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】均一な形状、粒径及び磁気特性を有するFePt又はCoPtナノ粒子を、その磁化容易軸の向きを垂直に揃えて非磁性基板の表面に均一に配列することが可能な磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板2の表面2aにテクスチャリング処理を施すことにより、円周方向成分を有する複数の溝3を形成する工程と、テクスチャリング処理が施された非磁性基板2の表面2aに、FePt又はCoPtナノ粒子5の分散溶液を接触させることにより、この非磁性基板2の上に垂直磁性層4となるFePt又はCoPtナノ粒子配列体5Aを形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】無色透明で、高耐熱性を有する光学用途、オプトデバイス用途、表示デバイス用途、機械部品材料、電気・電子部品材料等として有用な硬化物を与えることができ、さらに、短時間で成型可能な熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記平均組成式(I)及び条件(1)を満たす変性オルガノポリシロキサンと、カチオン硬化剤とを含有し、150℃における熱板ゲルタイムが30秒以下であり、硬化後の組成物のガラス転移温度が100℃以上であることを特徴とするものである。
平均組成式(I):
(R13SiO1/2)m(R22SiO)n(R3SiO3/2)p(R4SiO3/2)q(SiO2)r
(式中、R1、R2及びR3は、それぞれ独立に、炭素数が1〜10である一価の炭化水素基を示し、R4は3,4−エポキシシクロヘキシル基を末端に有する炭素数1〜5のアルキル基を示す。)
条件(1):
m、n、p、q及びrは、0.3≦q/(m+n+p+q+r)≦0.6を満たす。 (もっと読む)


【課題】加工コストや加工時間を増大させることなく、欠陥や割れの少ない長尺な単結晶を製造可能な単結晶製造装置及びこれを用いた単結晶の製造方法、並びに、このような方法を用いて製造された単結晶及びウェハを提供すること。
【解決手段】ガイド部材24の内底面に種結晶4を固定し、ガイド部材24の周囲に温度勾配調節部材26を配置する。単結晶6の成長過程において、単結晶6の成長面側近傍ではガイド部材24の外側から単結晶6に向かって熱が流入し、かつ、単結晶6の種結晶4側近傍では単結晶6からガイド部材24の外側に向かって熱が放出する温度勾配を生ずるように、ガイド部材24と温度勾配調節部材26の相対位置を調節しながら、原料2を加熱し、種結晶4上に単結晶6を成長させる。 (もっと読む)


【課題】窒化ガリウム等からなるクラッド層等の下地層上に、窒化ガリウムより格子定数が大きい窒化ガリウム・インジウムからなる発光層を設けるのに際し、発光層中へのインジウムの取り込みを促進させた窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】n形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と、接して配置され且つn形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層よりも大きな格子定数の結晶を含む窒化ガリウム・インジウム層からなる発光層と、発光層上に設けられたp形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層とを備え、インジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物の原子濃度を、n形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層の内部よりもn形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と発光層との界面において低く、且つ、上記界面よりも発光層とp形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層との界面において高くする。 (もっと読む)


【課題】接合体の厚さが不均一になるのを防止することができる導電性被接合部材の接合方法を提供する。
【解決手段】 複数の導電性被接合部材2、4が積層されて形成された積層体8をその周囲をダイで包囲せずに積層方向にパンチ32で加圧し、積層体8における互いに隣接する被接合部材2、4同士を放電プラズマ焼結法により接合する。この接合方法では、パンチ32の加圧面32aと当接する積層体8の表面8aがパンチ32の加圧面32aよりも相対的に大きく設定されている。そして、積層体8の表面8aにその外周縁部がパンチ32の加圧面32aからパンチ32の全周に亘ってはみ出るようにパンチ32の加圧面32aを当接させた状態で、パンチ32で積層体8を加圧する。 (もっと読む)


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