説明

昭和電工株式会社により出願された特許

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【課題】接合体の厚さが不均一になるのを防止することができる導電性被接合部材の接合方法を提供する。
【解決手段】 複数の導電性被接合部材2、4が積層されて形成された積層体8をその周囲をダイで包囲せずに積層方向にパンチ32で加圧し、積層体8における互いに隣接する被接合部材2、4同士を放電プラズマ焼結法により接合する。この接合方法では、パンチ32の加圧面32aと当接する積層体8の表面8aがパンチ32の加圧面32aよりも相対的に大きく設定されている。そして、積層体8の表面8aにその外周縁部がパンチ32の加圧面32aからパンチ32の全周に亘ってはみ出るようにパンチ32の加圧面32aを当接させた状態で、パンチ32で積層体8を加圧する。 (もっと読む)


【課題】金属からなる電極を用いても発光効率が高く、また発光面内の輝度均一性が高く耐久性の高い有機発光素子を提供する。
【解決手段】金属からなる第1電極層12と、発光層を含む有機化合物層13と、金属からなる第2電極層14と、が順次積層されてなり、第1電極層12に、第1電極層12を貫通する複数の貫通部15が形成され、貫通部15の内部が誘電体17で充填され、例えば、誘電体17の有機化合物層13側の上面が、貫通部15の中央部分で窪んだ曲面形状を有する有機発光素子10。 (もっと読む)


【課題】最下流側の冷媒凝縮パスにおける冷媒側の圧力損失の上昇を抑制しうるコンデンサを提供する。
【解決手段】コンデンサ1の一端部側に、第3および第4熱交換パスP3,P4の第1熱交換管2Aを接続する第1ヘッダタンク3と、第1および第2熱交換パスP1,P2の第2熱交換管2Bを接続する第2ヘッダタンク4とを、前者が左右方向外側に来るように設ける。第3熱交換パスP3が、最下流側の冷媒凝縮パスである。第1ヘッダタンク3の上端を第2ヘッダタンク4の下端よりも上方に位置させる。第1ヘッダタンク3は気液を分離して液を溜める機能を有する。第1ヘッダタンク3に接続された第1熱交換管2Aの相当直径を、第2ヘッダタンク4に接続された第2熱交換管2Bの相当直径よりも大きくする。 (もっと読む)


【課題】高品質で、かつ長尺とされた炭化珪素単結晶を製造可能な炭化珪素単結晶製造装置、及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝31内の台座33に取り付けた炭化珪素種結晶35の成長面35aに、原料ガスを供給して、炭化珪素種結晶35に炭化珪素単結晶71を成長させる炭化珪素単結晶製造装置であって、台座33の厚さを薄くすることが可能な構成とし、炭化珪素単結晶71の成長に応じて、台座33の厚さを薄くする。 (もっと読む)


【課題】絶縁基板とヒートシンクとが応力緩和材を介してろう材箔によってろう付された放熱装置の製造において、接合に供されない余剰ろう材量を減らすことができるろう材箔を提供する。
【解決手段】応力緩和材20は少なくとも片面に開口する応力吸収空間21を有し、この応力緩和材20の応力吸収空間21が開口する面に絶縁基板11またはヒートシンク13を接合するために絶縁基板11またはヒートシンク13と応力緩和材20との間に介在させる放熱装置用ろう材箔60、70であって、応力緩和材20の応力吸収空間21の開口部に相対する開口部対応領域61、71に、開口部対応領域の少なくとも一部が切除されて貫通部62、72が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】アスコルビン酸−2−リン酸−6−パルミチン酸ナトリウムを含有し、かつ製剤安定性に優れた皮膚外用剤およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アスコルビン酸−2−リン酸誘導体を含有する皮膚外用剤であって、前記アスコルビン酸−2−リン酸誘導体としてアスコルビン酸−2−リン酸−6−パルミチン酸ナトリウムのみが配合され、さらに、下記式(1)または(2)で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種のベタイン型両性界面活性剤を含むことを特徴とする皮膚外用剤。
−N(CH−CHCOO …(1)
−CONH−CH−CH−CH−N(CH−CHCOO …(2) (もっと読む)


【課題】磁気記録媒体に対する検査精度を向上させた磁気記録媒体の検査方法を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板の上に磁性層を有する磁気記録媒体Mの表面を検査する方法であって、検査対象となる磁気記録媒体Mの面上において、感熱素子を有する検査ヘッド22を第1の高さで走査しながら、感熱素子から出力される信号のうち、欠陥部分として特定した箇所の感熱素子から出力される第1の信号を抽出するステップと、この後に、検査ヘッド22を第1の高さとは異なる第2の高さで走査しながら、特定した箇所の感熱素子から出力される第2の信号を抽出するステップと、第1の信号と第2の信号とを比較することによって、欠陥部分が磁気記録媒体Mの表面において凹形状又は凸形状を有するかを判別するステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】優れたガス吸着性能及びガス分離性能を有する金属錯体を提供。
【解決手段】式(I)


(式中、R〜Rはそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基等である。)で表されるジカルボン酸化合物(I)と、周期表の2族、7〜10族及び12族に属する金属のイオンから選択される少なくとも1種の金属イオン(例えば、亜鉛イオン)と、該金属イオンに二座配位可能な特定な有機配位子(例えば、1,2−ビス(4−ピリジル)エタン)とからなる金属錯体の提供。 (もっと読む)


【課題】複雑な金型形状であっても成形孔内に閉じ込められたガスをスムーズに逃がし、欠肉の発生を抑えた寸法精度の良好な鍛造成形品を製造する。
【解決手段】成形時に鍛造金型の成形孔内に閉じ込められたガスを排出するためのガス抜き通路を有する鍛造用金型において、前記ガス抜き通路は、ガス流方向と垂直方向の断面積が異なる複数の段部を有し、前記成形孔壁面に臨む第1段部の開口部面積がこれに接続する第2段部の開口部面積より小さく、かつ、その開口部が型分割部からなる壁面又は一体型部からなる壁面に設けられ、前記第1段部の開口部面積より大きく、前記第2段部の開口部面積より小さい径を有する制御ピンが備えられているので、ガス抜き通路に進入した鍛造用素材が製品排出時に折れても、次の鍛造時にガスの圧力により次段まで押され、ガス抜き通路が塞がれることがない。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の駆動時に生じる熱応力を緩和しつつ、半導体素子の発する熱の熱拡散が阻害されにくくすること。
【解決手段】半導体モジュールは、回路基板と、回路基板上に半田付けにより接合された半導体素子12と、ヒートシンク13とから構成されている。裏金属板16における半導体素子12の直下領域A1は、貫通孔17の形成を許容する形成領域A3と、貫通孔の形成を許容しない非形成領域A4に分割されている。非形成領域A4には貫通孔17が形成されないため、貫通孔17は直下領域A1の形成領域A3(周縁部)に形成され、形成領域A3に形成される貫通孔17より内側の領域である内側領域A2は、セラミックス基板とヒートシンク13を接合する接合層となっている。 (もっと読む)


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