【課題】炭化珪素基板に形成された回路素子層上に、厚さが７μｍ以上で、かつ面内均一性に優れたポジ−ネガ反転型レジストが形成可能な厚膜金属電極の形成方法、及び厚膜レジストの形成方法を提供する。
【解決手段】ＨＭＤＳ処理された回路素子層の上面に、第１の粘性値を有した第１のポジ−ネガ反転型レジストを形成し、次いで、第１のポジ−ネガ反転型レジスト上に、第１及び第２のポジ−ネガ反転型レジスト（厚膜レジスト）の合計の厚さが７μｍ以上となるように、第１の粘性値よりも大きい第２の粘性値を有した第２のポジ−ネガ反転型レジストを形成する。 （もっと読む）

【課題】被貼り合せ部材の凹凸の大きさの影響を受けにくい貼り合せ装置等を提供する。
【解決手段】貼り合せ装置１は、収容容器７３内の底部７１側に被貼り合せ部材１１０と被貼り合せ部材１１０の一部に重ねられた貼り合せ部材１２０とからなる加工対象物１００を保持する保持部材８１を備えている。収容容器７３の蓋部７２の内側に、保持部材８１に対向するように設けられた加圧部材８２を備えている。加圧部材８２が貼り合せ部材１２０を加圧できるように、加圧部材８２の先端は貼り合せ部材１２０に対応した加圧面８２ａを有している。そして、貼り合せ装置１は、被貼り合せ部材１１０と貼り合せ部材１２０とを加熱する発熱体７５を備えている。 （もっと読む）

【課題】超音波振動を利用したワイヤボンディングの際にオーミック電極が破壊されない炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板１と、炭化珪素基板１上に形成されたｎ型炭化珪素層２と、ｎ型炭化珪素層２の表面近傍に形成されたp型不純物領域３と、p型不純物領域上に形成されたp型オーミック電極４と、p型オーミック電極４を覆うようにｎ型炭化珪素層２上に形成されたショットキー電極５と、を備え、p型オーミック電極４はp型不純物領域３の表面に設けられた凹部３ａ内に形成されており、p型オーミック電極の上面はｎ型炭化珪素層の表面２ａよりも低い位置にある、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤色光及び／又は赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することである。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、発光部は、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層及びバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有し、井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被験者がベッド寝床部の周縁部の乗降領域上に存在してベッド設置面上に足を着けたことを判定できるベッドの在床状況検出方法を提供すること。
【解決手段】検出方法は、ベッド寝床部21の４つの端角部にそれぞれ掛かる荷重を４個の荷重検出手段２により検出する荷重検出工程S1と、被験者Ｈの重心位置がベッド寝床部21の中央部の在床領域23内にある場合に、全荷重検出手段の合計出力を在床荷重として記憶する在床荷重記憶工程S10と、重心位置が在床領域23内にあるか否かを判定する第１判定工程S30と、重心位置が在床領域23内にないと判定された場合に、全荷重検出手段の現在の合計出力が在床荷重に対して所定の割合以下であるか否かを判定する第３判定工程S36と、を備える。そして、現在の合計出力が所定割合以下であると判定された場合に、被験者Ｈがベッド寝床部21の周縁部22上に存在してベッド設置面29上に足を着けたことを判定する。 （もっと読む）

【課題】化成処理液や半導体層形成溶液が腐食性を有する場合であっても、化成処理液や半導体層形成溶液を汚染することなくコンデンサ素子を製造でき、コンデンサ素子を製造する途中で熱処理する場合にも支障なく熱処理を実施できる連結ソケットを提供する。
【解決手段】本発明の連結ソケット１は、差込口３７が設けられた複数個の導電性のソケット本体部２と、ソケット本体部２の少なくとも一部を受容し得る収容部６が複数個形成され、下面５ｂに収容部６の底面に連通する小孔７が複数個設けられた絶縁部５とを備え、絶縁部５は、耐熱性及び耐腐食性を有する材料で構成され、絶縁部５の収容部６内にソケット本体部２の少なくとも一部が収容されて固定され、差込口３７と小孔７が連通されている。 （もっと読む）

【課題】ガス吸着性能、ガス吸蔵性能及びガス分離性能を有する金属錯体の提供。
【解決手段】式（Ｉ）


で表されるジカルボン酸化合物（Ｉ）と、周期表の２族、７〜１０族及び１２族に属する金属のイオンから選択される少なくとも１種の金属イオンと、該金属イオンに二座配位可能な特定な有機配位子（例えば、１，２−ビス（４−ピリジル）エタン）とからなる金属錯体。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子のＦＣ（フリップチップ）実装技術において、順方向電圧（Ｖｆ）の上昇を抑制し、且つ発光出力（Ｐｏ）を増大させる。
【解決手段】第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び当該第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第２の半導体層が積層された積層半導体層と、前記第１の半導体層と接続する第１の電極と、前記第２の半導体層の表面に設けた第２の電極と、を備え、前記第２の電極は、他の部分より膜厚が大きい複数の膜厚部を有し且つ前記発光層から出射する光に対して透過性の透明導電層と、前記透明導電層上に積層され且つ当該透明導電層より低屈折率の絶縁層と、前記絶縁層上に積層され且つ導電性の金属反射層と、前記絶縁層を通して設けられ、一端が前記透明導電層の前記膜厚部に電気的に接続され且つ他端が前記金属反射層と電気的に接続される導体部と、を含むことを特徴とする半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】漏れ電流の低い、良質な固体電解コンデンサを高い生産歩留まりで製造する方法を提供する。
【解決手段】表面に誘電体層を有する陽極体３００個以上を電解重合液に同時に浸けて、陽極体を電解重合液中で振動させて半導体層表面に付着する気泡を除去しながら、電解重合することによって前記誘電体層の上に半導体層を形成する工程、および前記電解重合後に各陽極体毎に陽極体または半導体層から放電させて電解重合終了時から１０秒間以内に陽極体と半導体層との間の電位差をゼロにする工程を有する。こうして電解重合工程の気泡表面に発生する不所望なポリマー成長を抑制し、ひいては膜状突起物の発生を抑え、漏れ電流を改善する。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールの使用時に絶縁回路基板の絶縁層に割れが発生することを防止しうる絶縁回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁回路基板４は、絶縁板５の一面に導電層６がろう付されたものであり、導電層６における絶縁板５にろう付された面とは反対側の面が電子素子搭載面８となっている。導電層６の輪郭を形成しかつ導電層６の厚み方向に幅を持つ輪郭面９に、ろう材を、絶縁板５に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部11を形成する。導電層６の輪郭面９に、絶縁板５側の端部から電子素子搭載面８に向かって所定の幅を有し、かつろう材貯留部11内のろう材と絶縁板５との接触を抑制する接触抑制部12を設ける。ろう材貯留部11は、輪郭面９における接触抑制部12よりも電子素子搭載面８側の部分に形成し、かつ接触抑制部12に対して凹んだ凹部13からなる。 （もっと読む）