昭和電工株式会社により出願された特許
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導体パターン形成方法および導体パターンを備える基板
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オフセットフィンおよびその製造方法
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ヒートシンク
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炭化珪素半導体装置の製造方法
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触媒担体の製造方法、複合触媒の製造方法、複合触媒、およびこれを用いた直接酸化型燃料電池
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炭化珪素半導体装置及びその製造方法
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フレキシブル回路基板保護膜の形成方法
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発光ダイオード及びその製造方法
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炭化珪素半導体装置の製造方法及びその検査方法、並びに、炭化珪素半導体ウェハの製造方法及びその検査方法
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多価グリシジル化合物の製造方法
【課題】酸化剤として過酸化水素水溶液を用いて多価アリル化合物を酸化することにより多価グリシジル化合物を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】基質としてアリル基を3つ以上有する多価アリル化合物を用い、エポキシ化反応途中で反応を停止して反応液中の水を除去し、その後再度エポキシ化反応を行なう工程を含む。反応途中で反応液中の水を除去することにより反応進行に伴い生成する反応中間体のグリシジル基の加水分解を抑制することができる。好ましくはアセトニトリルおよびアルコールの存在下で反応を行なう。
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