【課題】被制御装置を動作状態から不動作に遠隔制御する制御信号の検出回路に関し、この検出回路に用いられるコンデンサを小容量とし、小型軽量で動作安定な検出回路を得る。
【解決手段】被制御装置５を動作状態から不動作状態に遠隔制御装置１２からの制御信号Ｖ1 により制御する際に、制御信号Ｖ1 が所定時間継続するか否かをコンデンサと抵抗器とを備えた検出回路により検知し、制御信号Ｖ1 が所定時間継続した場合に検出回路１５が出力する遅延電圧Ｖ3 により被制御装置５を不動作状態に制御するようにした遠隔制御信号の検出回路１５において、遠隔制御装置１２にコンデンサ１６と抵抗器１７の直列回路を並列に設け、制御信号Ｖ1 によるコンデンサ１６の端子電圧が所定値に上昇したときオン動作する半導体素子２０を被制御装置５に直列に設け、半導体素子２０の出力で被制御装置５を不動作状態に制御する。 （もっと読む）

【目的】 金属ベ−ス配線板を絶縁ベ−ス配線板に、互に、主表面がほぼ直交するように形成したプリント配線板の実装構造において、少なくとも第１、第２の電子部品を金属ベ−ス配線板に搭載し、別に放熱板を設けることなく、又、配線導体層を迂回させないで、実装密度を向上し、製造容易とする構造を得る。
【構成】 第１の電子部品は金属ベ−ス配線板の突起部表面の配線導体層を、又第２の電子部品はその外部リ−ド線を直接、絶縁ベ−ス配線板にそれぞれ半田付けするように構成したことを主たる特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 逆漏れ電流及び順電圧降下を増大することなく、高速でかつ高耐圧の半導体装置を得る。
【構成】 Ｎ⁺ 型半導体層４上に設けられたＮ型半導体層３とＰＮ接合を形成すると共に、前記Ｎ型半導体層３の表面に該Ｎ型半導体層３の複数個の露出した領域を画成するように設けられたＰ⁺ 型半導体層２を形成し、前記Ｎ型及びＰ⁺ 型半導体層の表面に亘って接触させ、ショットキ接触又はオーミック接触を有する金属電極１を設け、前記Ｎ型半導体層３と金属電極１の接触面ｅからの深さＤと、該接触面ｅの直下にあってＰ⁺ 型半導体層２の対向する領域間の最近接距離Ｗとの関係をＤ≧０．５Ｗとすることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 トランスと回路基板を一体化することにより小型の電子装置を構成することを目的とする。
【構成】 トランス本体（ボビン）のリ−ド端子と電子回路基板端子を共用化し電子回路とトランスを一体化した電子装置を構成する。 （もっと読む）

【目的】 セルサイズに対する有効なチャネル幅の比を決定する順電流有効領域比を増大した順方向特性、逆方向特性及びスイッチング特性の優れた半導体装置を得ることを目的とする。
【構成】 一導電型半導体１表面を凹凸５，６状とし、凸部６の上部に第１の逆導電型半導体領域２ａ、凸部の底部又は側部の一部を含む底部に第２の逆導電型半導体領域２ｂを形成し、第１と第２の領域がはさむ凸部の少なくとも一つの側部にショットキ３又はオ−ミック接触を形成する金属層を設けることを特徴とする。 （もっと読む）