説明

ソニー株式会社により出願された特許

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【課題】光学混色を低減させ、色再現性を向上させることができるようにする。
【解決手段】固体撮像素子の2次元配列された各画素は、光電変換素子の上側に形成された平坦化膜と、平坦化膜の上側に形成されたフィルタと、フィルタの上側に形成されたマイクロレンズとを少なくとも有する。複数の画素のうち、一部のフィルタは、所定の色成分の光を透過させるカラーフィルタであり、他の一部のフィルタは、可視光領域全体の光を透過させるホワイトフィルタである。ホワイトフィルタ、マイクロレンズ、および平坦化膜の各屈折率は、ホワイトフィルタ≧マイクロレンズ>平坦化膜の関係にある。本発明は、例えば、固体撮像素子に適用できる。 (もっと読む)


【課題】紫外線の膜へのダメージ量の正確な予測が行えるようにするシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】粒子密度の微分方程式に基づくシミュレーションを行って算出した粒子密度に基づいて、可視領域の各波長の発光強度を計算し、対象とする製造プロセスにおける発光種及び発光波長の情報を参照して、計算した可視領域の各波長の発光強度と、実際に検出された可視領域の発光スペクトルとを比較して、電子エネルギー分布関数を求め、この電子エネルギー分布関数と、発光種に関する反応断面積とを用いて、紫外領域の発光スペクトルを予測し、予測した紫外領域の発光スペクトルから、半導体装置の製造における、紫外線によるダメージ量を予測するシミュレーション方法を実行する。 (もっと読む)


【課題】紫外線の膜へのダメージ量の正確な予測が行えるようにするシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】可視領域の発光スペクトルに関連付けした、紫外領域の各波長の発光強度の予測式を、多変量解析によって算出し、算出した予測式と、実際に検出された可視領域の発光スペクトルと、を用いて、紫外領域の発光スペクトルを予測し、予測した紫外領域の発光スペクトルから、半導体装置の製造における、紫外線によるダメージ量を予測するシミュレーション方法を実行する。 (もっと読む)


【課題】基板におけるチップ面積の確保を容易に行うことができ、基板の保持方法による影響を受けることなく、また、高価な計測機器を用いることなく、高精度かつ簡便に、基板の歪みを測定することができる基板の歪み測定装置を提供する。
【解決手段】基板20を保持する保持面に、前記基板20に設けられた位置ズレ測定用のマーク40の比較対象となる基準マーク50を有する基板保持部31と、前記基板20を透過する光を照射する光源部32と、前記光源部32により前記光が前記基板20に照射されることで得られる前記位置ズレ測定用のマーク40と前記基準マーク50との重なりを観察する観察部33と、前記観察部33により観察された前記重なりから、前記基準マーク50に対する前記位置ズレ測定用のマーク40のズレ量を算出する算出部36と、前記算出部36により算出された前記ズレ量から、前記基板の歪みを測定する測定部37とを備える測定装置。 (もっと読む)


【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。そして記憶層は、Co−Fe−B磁性層と、少なくとも1つの非磁性層を有し、酸化物層、Co−Fe−B磁性層、非磁性層が順に積層された積層構造が形成されているようにする。 (もっと読む)


【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。記憶層は、少なくともCo−Fe−B磁性層を有する。また記憶層に接する中間層と、該中間層とは反対側で記憶層が接する他方の層は、少なくとも記憶層と接する界面が酸化物層とされており、さらに上記他方の層は、酸化物層が、Liを含むLi系酸化物層とされている。 (もっと読む)


【課題】環境温度によらず、熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。そして上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。この場合に、記憶層は正の磁歪定数を持つ磁性層を有するようにし、上記層構造に加えてさらに、負熱膨張材料層が設けられるようにする。 (もっと読む)


【課題】熱安定性の情報書き込み方向に対する非対称性をすくなくし特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。そして上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。この場合に、磁化固定層を少なくとも2層の強磁性層とCrを含む非磁性層とを有する積層フェリピン構造とする。 (もっと読む)


【課題】熱安定性の情報書き込み方向に対する非対称性をすくなくし特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。そして上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。この場合に、磁化固定層を少なくとも2層の強磁性層と非磁性層とを有する積層フェリピン構造とし、かつ、いずれかの上記強磁性層に接して反強磁性酸化物層が形成されているようにする。 (もっと読む)


【課題】ワイドダイナミックレンジ化を図るに当たって、被写体の持つ本来の輝度情報を階調性豊かに表現することを可能にする固体撮像素子の信号処理回路、信号処理方法、及び、当該信号処理回路を有する電子機器を提供する。
【解決手段】第1の画素群と、当該第1の画素群に対して電荷の蓄積時間または光感度がα倍異なる第2の画素群とを有する固体撮像素子の信号処理に当たって、第1の画素群における着目画素の信号値をα倍し、第2の画素群の画素の信号値と合成する際に、着目画素の信号値に対して当該着目画素に関連する画素の信号値を基に重み付けを行うようにする。 (もっと読む)


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