説明

ソニー株式会社により出願された特許

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【目的】 基板に設ける基板支持のためのスペースを極力小さくすると共に外部からの振動・衝撃に強くビデオカメラの小型化に適する。
【構成】 ケース本体A内にインナーケース20を配置し、このインナーケース20の基板支持スリット24に基板21の各角21aを挿入してインナーケース20に基板21を支持し、インナーケース20の上下左右の4方向にケース圧接片28を設け、この各ケース圧接片28をケース本体Aの内面にそれぞれ圧接させてインナーケース20をケース本体Aに支持する。 (もっと読む)



【目的】 記録膜への水分の侵入を防ぎ、高温高湿下でも良好な耐蝕性を有する光磁気ディスクを提供する。さらには、ヘッドに対する動摩擦係数を低減し、摺動記録方式用として好適な光磁気ディスクを提供する。
【構成】 希土類−遷移金属等からなる記録磁性膜上に紫外線効果樹脂形成し、さらにその上に非加水分解性の撥水性物質の被膜を形成する。非加水分解性の撥水性物質の被膜としては、ポリシロキサン系やパーフルオロポリエーテル系の撥水剤の塗膜や、テトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂のスパッタ膜、プラズマ重合膜である。また、非加水分解性の撥水性物質の被膜の膜厚は、2〜200nmとする。 (もっと読む)


【目的】 シリコン基板等の貼り合わせ基板の熱処理中における金属汚染を低減する。
【構成】 シリコン基板1,2を貼り合わせ、貼り合わせ後の熱処理の雰囲気を塩化水素(HCl)を含むガスとする。この塩化水素を含む雰囲気中で熱処理することで、シリコン基板1,2中の金属不純物4は塩素と結合してハロゲン化して蒸発し易くなる。従って、シリコン基板1,2中の金属不純物4による汚染が低減される。 (もっと読む)


【目的】 反射防止膜に被覆された下層配線材料層へコンタクトを形成する場合に、下層配線材料層へダメージを与えずに低抵抗コンタクトを実現する。
【構成】 上面にTiON反射防止膜2を有するAl−1%Si層1上でPSG層間絶縁膜3にビアホール3aを開口する場合、TiON反射防止膜2が露出したところでイオン・モードによるエッチングを終了し、レジストを剥離した後、ウェハをアンモニア−過酸化水素混合溶液に浸漬し、比抵抗の高いTiON反射防止膜2を選択的に除去する。これにより、上層配線を形成した後にもコンタクト抵抗が増大しない。また、この除去工程はウェット・エッチングなので、従来のように下地のAl−1%Si層1のスパッタ生成物がビアホールの側壁部に再付着する虞れがなく、上層配線のカバレッジも改善される。 (もっと読む)


【目的】 周囲に騒音がある場合であっても良好な通話が行なえるようにする。
【構成】 周波数特性の違いから、音声信号のレベルとノイズ信号のレベルがレベル測定器5で測定される。そして、レベル測定器5の出力信号に基いて、聴感データがメモリ9から読み出され、その聴感データに基いて、音声信号に対して、周波数特性の補正およびレベルの補正がかけられる。 (もっと読む)


【目的】 高周波回路に対応でき、かつフリップチップによりICチップを搭載する場合に、優れた放熱性が得られる配線用基板を得る。
【構成】 シリコン基板2上に複数の導電層からなる配線層7を有し、かつフリップチップ用のバンプ8を有する配線用基板であって、該バンプ8が配線層7の最内層の導電層6に接続している。 (もっと読む)



【目的】 分極のシングルドメイン化が可能で、非線形光学材料としてSHGの効率が高く高品質なKTP単結晶の作製が可能な製造方法を提供する。
【構成】 先ず、TSSG法によりKTPのキュリー点以上の温度でKTP単結晶を析出,育成する。次いで、キュリー点以上の温度を保ったまま育成したKTP単結晶が融液と接触した状態で、種結晶と融液間に構成される電気回路よりKTP単結晶に直流電圧を印加し、キュリー点以下の温度まで冷却する。この際、印加電流をIp、c軸育成する際のa軸,b軸の結晶の大きさをa,bとした時に、D=Ip/(a×b)なる式で規定される電流密度Dの値が0.01≦D≦1.0(mA/cm2 )となるように直流電圧を印加する。 (もっと読む)


【目的】 記録プログラム内容の確認が容易かつ確実に行えるとともに、未記録部分の位置および時間が容易に確認可能とする。
【構成】 ビデオヘッド1とCTLヘッド11で、各々再生されたインデックス信号とCTL信号とがマイクロコンピュータ9に取り込まれ、マイクロコンピュータ9では、キャラクタジェネレータ7で記録プログラム等の画面表示内容を作成させて、モニターTV19に表示させる。 (もっと読む)


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