【課題】配線電極が見えたり、配線電極の一部が半点灯することが無く、簡素な製造方法により製造可能な光散乱型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】表示電極５と配線電極６を形成し、その上に絶縁膜８を形成し、その上に背景電極９を形成している。背景電極９は、絶縁膜８を介して表示電極５の外周部を重なるように、更に、配線電極６も絶縁膜８を介して重なるように形成する。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上およびアウトガスの低減を図るとともに共振周波数変動およびトルク変動の発生を防止する。
【解決手段】同軸に配置された内輪３ａ，３ｂおよび外輪５ａ，５ｂと、これら内輪３ａ，３ｂと外輪５ａ，５ｂとの間の円環状空間に周方向に間隔をあけて複数配置される転動体７とを備え、軸方向に間隔をあけて配列される２つの転がり軸受１Ａ，１Ｂと、内輪３ａ，３ｂに嵌合されるシャフト１３と、外輪５ａ，５ｂを嵌合させる嵌合孔２５を有するスリーブ２３とを備え、内輪３ａ，３ｂとシャフト１３との嵌合部分および外輪５ａ，５ｂとスリーブ２３との嵌合部分の少なくとも一箇所がレーザ溶接され、レーザ溶接された嵌合部分における内輪３ａ，３ｂとシャフトとの境界または外輪５ａ，５ｂとスリーブ２３との境界に対してキーホールＨがずらして配置されている転がり軸受装置１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が一時的に大きく低下した場合でも、電源電圧が低下する以前の論理データを保持することが可能なデータ保持回路を提供する。
【解決手段】データ保持回路と電源の間に、ダイオードと容量で構成した電源電圧維持回路を挿入し、データ保持回路を入力端子にダイオードによって遮断された側の電圧が入力されたときにデータが変化する構成とした。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置のγ調整において、最小限のメモリ容量で、短時間に一定範囲のγ値が調整できる方法を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置のγ調整において、あらかじめ、複数のγカーブに対応するレジスタ群をそれぞれ求め、これらのレジスタ群をパラメータとして用意しておく。さらに液晶表示装置の白、黒、灰色の輝度を測定し、その輝度からγ値を計算する。このγ値に対応するγカーブのパラメータを求め、パラメータに対応したγ調整用のレジスタ群の値を設定し、液晶表示装置のγ値を調整する。 （もっと読む）

【課題】高電源電圧回路部に十分なラッチアップ耐性を持たせつつ、低電源電圧回路部においても高電源電圧回路部と同じトレンチ分離を使用しながら高い素子集積度を持った半導体装置を提供する。
【解決手段】トレンチ分離構造を有する半導体装置において、高電源電圧回路部には少なくとも一つのウエル領域とＭＯＳ型トランジスタが形成されて成り、ウエル領域の端部にラッチアップを防止するために高エネルギーのアルゴンイオン注入などにより結晶性を破壊されたシリコン領域や、金などの重金属を注入した領域からなるキャリア捕獲領域を形成し、配置する。 （もっと読む）

【課題】低消費電流の中間端子はずれ検出回路を備えた充放電制御回路及び充電式電源装置を提供する。
【解決手段】充放電制御回路の２次電池が接続される端子に設けられた中間端子はずれ検出回路の定電流回路を、デプレッション型ＭＯＳトランジスタと、デプレッション型ＭＯＳトランジスタのゲート端子とソース端子間に接続した抵抗とで構成する。 （もっと読む）

【課題】レーザートリミング加工を行うヒューズ素子を有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】隣り合うヒューズ素子に接続する第１層目のアルミニウム配線間のスペース幅を第１層目の金属間絶縁膜の側壁厚さの２倍未満とすることで、吸湿性のＳＯＧの露出を防止する。また、第１層目のアルミニウム配線側面にサイドスペーサーを設けることでより一層の信頼性向上を図る。 （もっと読む）

【課題】入力端子に接続される素子のオフセット電圧を補正することができるオペアンプを提供する。
【解決手段】入力端子を共通に接続したメインアンプとオフセット補正用アンプとを備えたオペアンプであって、メインアンプは、測定用の第１トランスコンダクタンスアンプとオフセット補正用の第２トランスコンダクタンスアンプと第２トランスコンダクタンスアンプの入力端子に接続された第１の容量とを備え、オフセット補正用アンプは、測定用の第３トランスコンダクタンスアンプとオフセット補正用の第４トランスコンダクタンスアンプと第４トランスコンダクタンスアンプの一方の入力端子に接続された第２の容量とを備え、オフセット補正用アンプは第４トランスコンダクタンスアンプの他方の入力端子にオフセット電圧調整回路を設けた。 （もっと読む）

【課題】相対的に厚いゲート絶縁膜を有するＭＯＳトランジスタと相対的に薄いゲート絶縁膜を有するＭＯＳトランジスタを同時に形成する半導体装置およびその製造方法の提供。
【解決手段】相対的に薄いゲート絶縁膜２５を有するＭＯＳトランジスタが形成される領域のフィールド絶縁膜端２３を相対的に厚いゲート絶縁膜２４で覆うことにより、フィールド絶縁膜下部に形成された反転防止拡散層３１から相対的に薄いゲート絶縁膜２５を有するＭＯＳトランジスタのチャネル領域３３をオフセットさせることによって、フィールド絶縁膜の膜厚ばらつきや相対的に厚い第一のゲート絶縁膜２４のエッチングばらつき、および反転防止拡散層によるチャネル端の濃度変動の影響を受けず、ＭＯＳトランジスタのチャネル幅を短く設計した際に生じる狭チャネル効果の影響を抑制することが可能となり、素子特性が安定した半導体装置。 （もっと読む）

【課題】占有面積の大きな増加なく、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置において、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域上には、薄い絶縁膜を介して前記外部接続端子からの信号を受ける電極が形成されている半導体装置とする。 （もっと読む）