説明

セイコーインスツル株式会社により出願された特許

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【課題】生産性の向上およびアウトガスの低減を図るとともに共振周波数変動およびトルク変動の発生を防止する。
【解決手段】内輪軌道面30a,30bを有する内輪3a,3bおよび外輪軌道面50a,50bを有する外輪5a,5bと、これら内輪3a,3bと外輪5a,5bとの間に各軌道面30a,30b,50a,50bにより形成される円環状空間に周方向に間隔をあけて複数配置される転動体7とを備え、軸方向に間隔をあけて配列される2つの転がり軸受1A,1Bと、転がり軸受1A,1Bの内輪3a,3bに嵌合されるシャフト13と、転がり軸受1A,1Bの外輪5a,5bを嵌合させる嵌合孔25を有するスリーブ23とを備え、内輪3a,3bが、軸方向の一端に軌道面30a,30bから離れる方向に延び、レーザ溶接により局所的に熱変形してシャフト13に接合される突出部34a,34bを備える転がり軸受装置10を提供する。 (もっと読む)


【課題】被実装体に電子部品を埋め込む構成において、プリント配線の断線を防止することができる電子回路部品および電子機器を提供する。
【解決手段】樹脂製の被実装体5の表面にプリント配線3が形成された電子回路部品1であって、被実装体5に、接続端子20を有する電子部品2が埋設され、電子部品2は、接続端子20が設けられた端子面21を被実装体5の表面側に向けて配設され、端子面21には、接続端子20に被せて塗布した後に表面を研磨することで接続端子20の接続面24を露出させた接着剤6が積層され、接着剤6は、少なくとも被実装体5と接続端子20との間に介在され、プリント配線3は、被実装体5の表面上から接着剤6上を通って接続面24まで延設されて接続面24に電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】吊り革に取り付けられた表示機器に内蔵されるバッテリの交換間隔を長くし、メンテナンス費用を削減し、情報量の増大にも対応し、消費電力の大きなバックライトを使用しなくても表示品位の高い吊り革用情報表示装置を提供する。
【解決手段】吊り革のベルト2の取り付け部を挟み2つの平面を有するケース3と、ケース3に外部端末からの情報を受信する受信部21と、ケース3の一方の平面に情報を表示する電子ペーパーで構成される表示部6と、ケース3に表示部6の情報を切り替え制御する電子回路部5と、ケース3の他方の平面に情報の表示に必要な電力の少なくとも一部を供給する太陽電池9とを備える吊り革用情報表示装置。 (もっと読む)


【課題】近接場光ヘッドに光束を供給するための光曲げ構造を容易に行うことで、加工コスト及び製造コストを低減して製造効率を向上させることができるヘッドジンバルアセンブリを提供することである。
【解決手段】近接場光により記録媒体に情報を記録するヘッドジンバルアセンブリであって、記録媒体の表面に沿って延設され、厚さ方向に撓む板状の撓み部材と、撓み部材の先端側において、記録媒体の表面と対向するように配置され、光束を用いて近接場光を発生するスライダと、光束を前記撓み部材の先端まで導く導光部と、撓み部材と一体に形成されており、撓み部材に対して傾斜しているとともに導光部から出射した光束をスライダに反射するミラー部材とを備えることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。 (もっと読む)


【課題】レーザートリミング加工を行うヒューズ素子を有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】隣り合うヒューズ素子に接続する第1層目のアルミニウム配線間のスペース幅を第1層目の金属間絶縁膜の側壁厚さの2倍未満とすることで、吸湿性のSOGの露出を防止する。また、第1層目のアルミニウム配線側面にサイドスペーサーを設けることでより一層の信頼性向上を図る。 (もっと読む)


【課題】入力端子に接続される素子のオフセット電圧を補正することができるオペアンプを提供する。
【解決手段】入力端子を共通に接続したメインアンプとオフセット補正用アンプとを備えたオペアンプであって、メインアンプは、測定用の第1トランスコンダクタンスアンプとオフセット補正用の第2トランスコンダクタンスアンプと第2トランスコンダクタンスアンプの入力端子に接続された第1の容量とを備え、オフセット補正用アンプは、測定用の第3トランスコンダクタンスアンプとオフセット補正用の第4トランスコンダクタンスアンプと第4トランスコンダクタンスアンプの一方の入力端子に接続された第2の容量とを備え、オフセット補正用アンプは第4トランスコンダクタンスアンプの他方の入力端子にオフセット電圧調整回路を設けた。 (もっと読む)


【課題】相対的に厚いゲート絶縁膜を有するMOSトランジスタと相対的に薄いゲート絶縁膜を有するMOSトランジスタを同時に形成する半導体装置およびその製造方法の提供。
【解決手段】相対的に薄いゲート絶縁膜25を有するMOSトランジスタが形成される領域のフィールド絶縁膜端23を相対的に厚いゲート絶縁膜24で覆うことにより、フィールド絶縁膜下部に形成された反転防止拡散層31から相対的に薄いゲート絶縁膜25を有するMOSトランジスタのチャネル領域33をオフセットさせることによって、フィールド絶縁膜の膜厚ばらつきや相対的に厚い第一のゲート絶縁膜24のエッチングばらつき、および反転防止拡散層によるチャネル端の濃度変動の影響を受けず、MOSトランジスタのチャネル幅を短く設計した際に生じる狭チャネル効果の影響を抑制することが可能となり、素子特性が安定した半導体装置。 (もっと読む)


【課題】占有面積の大きな増加なく、十分なESD保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するESD保護用のN型のMOSトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】素子分離にシャロートレンチ構造を有するESD保護用のN型MOSトランジスタを有する半導体装置において、ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域上には、薄い絶縁膜を介して前記外部接続端子からの信号を受ける電極が形成されている半導体装置とする。 (もっと読む)


【課題】障害が起きた場合においても、ユーザが情報を把握することができる。
【解決手段】ESLサーバ2は、情報表示装置1が設置されている位置を示す設置情報を記憶する管理装置記憶部と、障害が起きている第1の情報表示装置1を特定する障害装置特定部と、設置情報に基づいて、第1の情報表示装置1の近傍に設置されている第2の情報表示装置1を特定する近傍装置特定部と、第1の情報表示装置1に関連付けられている表示情報と、第2の情報表示装置1に関連付けられている表示情報とを、当該第2の情報表示装置1に送信する管理装置送信部とを備える。情報表示装置1は、ESLサーバ2から送信される、第1の情報表示装置1に関連付けられている表示情報と、第2の情報表示装置1に関連付けられている表示情報とを表示する表示部を備える。 (もっと読む)


【課題】工程の増加や占有面積の増加もなく、十分なESD保護機能を持たせたESD保護用のN型のMOSトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ESD保護用のN型MOSトランジスタの基板電位固定用P型拡散領域とESD保護用のN型MOSトランジスタのソースおよびドレイン領域との間に設置されたトレンチ分離領域の深さは、内部素子のN型MOSトランジスタの基板電位固定用P型拡散領域と内部素子のN型MOSトランジスタのソースおよびドレイン領域との間に設置された前記トレンチ分離領域の深さに比べて深く設定されている半導体装置とした。 (もっと読む)


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