【課題】てん真の支持状態の変動によるてんぷの動作の変動が最低限に抑えられ得る耐振軸受機構、これを備えたてんぷ及び時計の提供。
【解決手段】時計２のてんぷ３の耐振軸受機構１は、スラスト軸受として働く受石１０と、ジャーナル軸受として働く穴石部１７及び該穴石部と一体の穴石枠部２０を備えた穴石・穴石枠一体構造体９と、該穴石・穴石枠一体構造体９を支えると共に大径の開口端側に係合部を備える耐振座体３０と、外周側において耐振座体３０の係合部で支持され内周側において受石を穴石・穴石枠一体構造体９に弾性的に押付けて保持する押さえばね３７とを有し、受石１０のうち耐振軸受機構１により支えられる軸４０の端面４５に対面し該軸の端面に当接する表面１１が外に突出するように湾曲した凸面からなる。受石１０の凸面１１が球面の一部からなる。 （もっと読む）

【課題】比較的小さな押圧力で確実に動力を伝達し得且つ飛びを小さく抑えることが可能になるクラッチ機構及び該クラッチ機構を備えた時計の提供。
【解決手段】時計のクラッチ機構は、駆動側平面状表面部５２を備えた駆動側クラッチ部材５０であって該駆動側平面状表面部４２に間隔をおいて形成された多数の駆動側係合突起部５３を具備するもの５０と、従動側平面状表面部４２を備えた従動側クラッチ部材４０であって該従動側平面状表面部４２に間隔をおいて形成された多数の従動側係合突起部４３を具備するもの４０とを有し、駆動側係合突起部５３及び従動側係合突起部４３の夫々は、先端側ほど断面積が小さくなるように先細になっており、駆動側クラッチ部材５０及び従動側クラッチ部材４０は駆動側係合突起部５３の少なくとも一部が従動側係合突起部４３の少なくとも一部に対して係脱され得るように近接離間されるべく構成されている。 （もっと読む）

【課題】多層配線プロセスでＳＯＧエッチバックにて平坦化を行なうプロセスにて、ヒューズ開口部に起因する水分の浸入における長期信頼性の劣化を防止する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ヒューズ開口部からの水分侵入を防ぐためのメタル１層目のガードリングの下部まで多結晶シリコンが伸びているヒューズ形状にする。これによりヒューズの電極をとるためのメタル配線とガードリングのメタル配線の高さがそろい、ＳＯＧ層がＩＣ内部に到達することを防ぐことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】印字耐久性と印字効率を向上させたサーマルヘッドおよびその製造方法、並びにサーマルプリンタを提供する。
【解決手段】支持基板３と、グレーズ層５と、グレーズ層５の表面に設けられた発熱抵抗体７と、発熱抵抗体７の表面に形成された一対の電極部８とを備え、一対の電極部８のそれぞれが、厚さｈ１の平坦面３０ａと平坦面３０ａから発熱抵抗体７表面の中心Ｃ方向に設けられた傾斜面３０ｂとを有する厚電極部３０と、厚さｈ１より厚さｈ２を有し、厚電極部３０を覆うように形成された薄電極部３１を備えるサーマルヘッドを提供する。 （もっと読む）

【課題】特性ばらつきの少ないホール素子を提供する。
【解決手段】Ｐ型基板７に、平面図で正方形になるＮ型ウェル６を設ける。ホール素子１０の四隅以外には、Ｎ型ウェル６の上部にＰ型拡散層５を設け、ホール素子１０の四隅には、Ｎ型ウェル６の上部にＮ型拡散層１〜４を設ける。そして、Ｐ型拡散層５とＰ型拡散層５の下のＮ型ウェル６との間に空乏層が発生する電圧をＰ型拡散層５に印加する。 （もっと読む）

【課題】視覚的な時刻の強調を視認しやすく、かつ複数の時刻において同時に実現すると共に、デザインの自由度を損なわない腕時計を提供する。
【解決手段】本発明にかかる腕時計は、時刻を示す為に用いられる複数のインデックスが備えられた文字盤と、インデックスのそれぞれが設けられた領域のうち、少なくとも２以上の領域にインデックスを強調するインデックス強調部と、インデックス強調部のそれぞれを制御する制御部と、を備えることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】蓄電部の充電が行われていない可能性があることをユーザーに知らせることができる。
【解決手段】発電部１０は、受光面に照射される光に応じた電力を発電する。蓄電部２０は、発電部１０が発電した電力を蓄電し、蓄電した電力を出力する。表示部７０は、文字や図形を表示する。温度計測部３０は、蓄電部２０の動作環境の温度を計測する。温度判定部６３は、温度計測部３０が計測した温度に基づいて、蓄電部２０の動作環境の温度は低温であるか否かを判定する。表示制御部６４は、温度判定部６３が蓄電部２０の動作環境の温度は低温であると判定した場合、充電が行われていない可能性があることを示す図形を表示部７０に表示させる。 （もっと読む）

【課題】 ゲート長方向に対し水平に複数本のトレンチを形成することにより単位面積当たりのゲート幅を増大させる高駆動能力横型ＭＯＳにおいて、素子面積を増加させずに更に駆動能力を向上させる。
【解決手段】 半導体基板表面から一定の深さに設けられた高抵抗第一導電型半導体のウェル領域と、前記ウェル領域の表面から途中の深さまで達する複数本のトレンチと、前記トレンチが形成する凹凸部の表面に設けられたゲート絶縁膜と、前記トレンチ内部に埋め込まれたゲート電極と前記トレンチ両端付近を除く前記凹凸部領域において前記トレンチ内部に埋め込まれたゲート電極と接触して基板表面に設けられたゲート電極膜と、前記ゲート電極膜と接触して前記トレンチ両端付近のトレンチ内部に半導体基板表面より深い位置に表面が位置するように埋め込まれたゲート電極膜と、前記ゲート電極膜と接触していない半導体面から前記ウェル領域の深さより浅く設けられた２つの低抵抗第二導電型半導体層であるソース領域とドレイン領域を有する半導体装置とした。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧ばらつきを改善した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板を用いた半導体装置の製造方法において、活性層基板を酸化して埋め込み酸化膜４ｂを生成する工程と、支持基板３表面に、ＭＯＳトランジスタ１の閾値電圧を決定するためのチャネルドープ１０を行う工程と、支持基板３と活性層基板５とを前記埋め込み酸化膜を介して貼り合せる工程と、活性層基板を部分的に除去し埋め込み酸化膜４ａを露出させる工程と、埋め込み酸化膜４ａ上にゲート電極６ａを形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】押さえばねの外径を可変とし、一作業による小径化を可能とすることで、押さえばねの枠体への着脱作業を容易化し、作業効率を向上することができる時計用軸受、ムーブメント及び時計を提供する。
【解決手段】外径Ｄを備える押さえばね３１６は、把持部３１６ｄをピン３５６により軸中心Ｉ方向に変位させることで、弾性部３１６ｅが弾性変形し、係止部３１６ａも軸中心Ｉ方向に変位することで外径Ｄ’へと小径化し、枠体３１２の内径Ｂを挿通可能となることを特徴とする。 （もっと読む）