【課題】強誘電体記憶装置の高速化及び低消費電力化を図る技術を提供すること。
【解決手段】ゲートが一方のビット線と接続される第１トランジスタ(21)と、ゲートが他方のビット線と接続される第２トランジスタ(22)と、第１及び第２トランジスタと異なる導電型であり、ゲートが第２トランジスタのドレインと接続され、ソースが第１トランジスタのドレインと接続される第３トランジスタ(23)と、第３トランジスタと同じ導電型であり、ゲートが第１トランジスタのドレインと接続され、ソースが第２トランジスタのドレインと接続される第４トランジスタ(24)と、を含むセンスアンプ回路と、当該センスアンプ回路の出力信号を反転させた反転信号を生成し、当該反転信号を選択的に出力する反転信号生成回路(25,26)と、を備え、反転信号生成回路から出力される反転信号を用いてデータの再書き込みを行う、データ読み出し／再書き込み回路(2)である。 （もっと読む）

【課題】非破壊読み出しであって、高速化、高集積化、長寿命化を実現できる強誘電体メモリの提供。
【解決手段】この発明は、ゲート部に強誘電体薄膜を有するＭＦＳＦＥＴ１００、ワード線１０４、ビット線１０５、およびビット線１０６を備え、第１の書き込みタイミングでビット線１０５とワード線１０４との間に強誘電体薄膜の抗電界以上の電圧を加え、第２の書き込みタイミングでビット線１０６とワード線１０４との間に上記の抗電界以上の電圧を加えるようにし、第１の読み出しタイミングでビット線１０５とワード線１０４との間に強誘電体薄膜の抗電界以下の電圧を加え、その両ビット線の間に流れる電流を検出し、第２の読み出しタイミングでビット線１０６とワード線１０４との間に上記の抗電界以下の電圧を加え、その両ビット線の間に流れる電流を検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】 効率的に放電ランプを点灯する技術を提供する。
【解決手段】 周波数発生部１１０は、放電ランプ６００が点灯状態になるまで、正弦波信号Ａ１の周波数を増大させ、点灯状態に至った後は、正弦波信号Ａ１と、共振部信号Ａ１０との位相比較結果に基づいて、正弦波信号Ａ１の周波数を発生させ、点灯状態を維持する。点灯状態か否かは正弦波信号Ａ１と、共振部信号Ａ１０との位相差に基づいて判断する。 （もっと読む）

【課題】特性の異なる薄膜を同一基板上にパターニング成膜する場合、薄膜材料液体がバンクを超えて流れ出るという事態を防止し、平坦且つ均一厚みの色むらなどの無い安定した特性の薄膜層を確実に高精度に比較的簡単に歩留まり良く形成でき、高精細な微細パターニングを可能とする。
【解決手段】無機材料の部分を有するバンク形成面に選択的に少なくとも有機材料を含むバンクを形成し、上記バンクで囲まれた領域に、薄膜材料液を充填して所定の厚さの薄膜層を形成する工程を含む表示装置の製造方法において、プラズマ処理を上記バンクおよび上記バンク形成面に対して施す表面処理工程と、上記バンクで囲まれる領域に上記薄膜材料液を吐出する材料液吐出工程と、上記薄膜材料液の溶媒成分を除去する乾燥工程と、を備え、上記薄膜層が所定の厚さとなるように上記材料液吐出工程と溶媒成分除去工程とを繰り返すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光源装置における照度分布が不均一となることを防止しつつ発光チップを冷却する。
【解決手段】 電流を供給されることによって発光し発熱する発光チップ２がバンプ２１を介して基台３上にフリップチップ実装された光源装置１であって、上記発光チップ２と上記基台３との間に少なくとも配置されかつ上記発光チップ２の射出面側に少なくとも非配置とされる絶縁性の冷却媒体Ｘを備える。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ基板を用いることなく、ボディの複数面にゲート電極が配されたＳＯＩトランジスタを形成する。
【解決手段】 半導体基板１上に凸部３を設け、凸部３の側方から内側に向かって進入するように凸部３と半導体基板１との間に酸化膜２を形成し、ゲート絶縁膜４を介して凸部３に跨るように配置されたゲート電極５を半導体基板１上に形成することにより、凸部３上および左右の３面にゲート電極５を配するとともに、ゲート電極の側方にそれぞれ配置されたソース層６ａおよびドレイン層６ｂを凸部３に形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板が平坦な状態で電子部品同士を確実に圧着し、電気的な接合の信頼性を高めることができる半導体装置の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ボンディングステージ１４上に基板４を載置する。基板４上面側から圧搾空気２４を吹き付ける。ボンディングステージ１４に基板４を押し付ける。基板４下面側から空気を排出する。ボンディングステージ１４に基板４を吸着させる。基板４に半導体チップ２をボンディングする。 （もっと読む）

【課題】 配線接続の精度を向上させながら、その配線接続の近傍について折り曲げることができる配線基板、配線基板の製造方法および電子機器を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１１の一部を接続部材に接続する接続工程と、前記接続部材に接続されたシリコン基板１１の一方面には樹脂膜１２及び配線パターン１３が形成されてなり、樹脂膜１２及び配線パターン１３によってシリコン基板１１を保持した状態で前記シリコン基板１１を割る割断工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 配線接続の精度を向上させながら、その配線接続の近傍について折り曲げることができる配線基板、配線基板の製造方法および電子機器を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１１に溝４を形成する溝形成工程と、シリコン基板１１の一方面には樹脂膜１２及び配線パターン１３が形成されてなり、樹脂膜１２及び配線パターン１３によってシリコン基板１１を保持した状態でシリコン基板１１について溝４を割断部として割る割断工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 配線間に層間絶縁層として好適に用いることができるＳｉＯＣ膜の形成することができるＳｉＯＣ膜の形成方法およびＳｉＯＣ膜を提供することにある。
【解決手段】 本発明のＳｉＯＣ膜の形成方法は、
（ａ）基体上にシリコーンポリマー膜を形成する工程と、
（ｂ）前記シリコーンポリマー膜に高エネルギー線を照射することによりＳｉＯＣ膜に変える工程と、
（ｃ）前記第２の膜に脱水処理を施す工程と、を含む。 （もっと読む）