説明

セイコーエプソン株式会社により出願された特許

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【課題】接続孔の直径を小さくしても、接続孔に埋め込まれたプラグと、プラグ上の配線との接触抵抗を低くする。
【解決手段】第1の導電層4上に、絶縁膜8を形成し、絶縁膜8に、第1の導電層4上に位置する接続孔8cを形成する。接続孔8cの中及び絶縁膜上に導電膜を形成し、さらに、絶縁膜8a上に位置する導電膜をCMP法で除去することにより、接続孔8cに導電体9を埋め込む。接続孔8cに埋め込まれた導電体9の表層を、不活性イオンを用いたスパッタエッチングにより除去し、その後、絶縁膜8上に、導電体9に接続する第2の導電層10aを形成する。 (もっと読む)


【課題】 薄膜トランジスタ等の半導体装置において半導体膜のエッジ部分における電界集中を回避して信頼性を向上させることを可能とする技術を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁基板(10,11)の上に半導体膜(12)を島状に形成する第1の工程と、半導体膜(12)のエッジ部を含んで半導体膜(12)を第1の絶縁膜(13)で覆う第2の工程と、半導体膜(12)上部の第1の絶縁膜(13)を該半導体膜のエッジ部を避けて開口する第3の工程と、少なくとも絶縁膜(13)の開口部の半導体膜(12)上に第1の絶縁膜(13)よりも相対的に薄い厚さの第2の絶縁膜(14)を形成する第4の工程と、第2の絶縁膜(14)上に電極配線膜(18)を形成する第5の工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造において、ウェハ表面に付着した異物を確実に除去でき、異物の再付着、配線の溶解等のない洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造における洗浄方法は、アルミ配線パターンの形成工程後に、アルミ配線パターンが形成された表面に対して、流体をノズル4から吐出させて行う洗浄を使用し、流体は、超純水、または、不活性ガスと超純水又は少なくとも超純水を含む液体とを混合した2流体である。 (もっと読む)


【課題】 積層された半導体チップの接合強度が高く、これにより高い信頼性を確保することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置、並びに当該半導体装置を備える電子機器を提供する。
【解決手段】 半導体基板10の能動面10aから半導体基板10の内部にかけて第一孔部H3を形成する工程と、第一孔部H3の内側に導電材料を充填して第一接続端子20を形成する工程と、半導体基板10の能動面10aとは反対側の裏面10bから第一孔部H3の底面に到達する第二孔部H6を形成する工程と、第二孔部H6の内面に導電材料を充填して第二接続端子21を形成する工程と、を有する。
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【課題】 樹脂と金属箔との接着強度を強くした、信頼性の高い配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板42と、基板42に形成された配線パターン44と、を含む。それぞれの配線パターン44は、複数の配線46を含む。配線46は、第1及び第2の端子38,40と、第1及び第2の端子38,40の接続部52と、を含む。第1の端子38の表面が粗面化される。配線パターン44の第1の端子38以外の部分の表面が光沢化される。 (もっと読む)


【課題】 針を用いて層間膜にコンタクトホールを形成し、導電性材料を埋め込むことで導電部を形成する場合に、導電部による導通の信頼性を備え、凸部による配線の断線を防止した、コンタクトホールの形成方法、回路基板の製造方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板20と、基板20上に設けられた第1の電極34bと、第1の電極34b上に設けられた層間膜32と、層間膜32上に設けられた第2の電極34とを備えた回路基板10に、層間膜32のコンタクトホールH内に埋め込まれて第1の電極34bと第2の電極34とを導通させる導電性材料からなる導電部300を形成する。まず、層間膜32に、針Pで機械的に孔を開けつつ、針Pに含有させた溶剤によって層間膜32を化学的に溶解することで、第1の電極34bに到達するコンタクトホールHを形成し、コンタクトホールH内に導電性材料を埋め込んで導電部300を形成する。 (もっと読む)


【課題】 外部から供給される電源電圧に基づいて複数の電源電位を生成する電源回路を含む半導体集積回路において、実動作時における電圧関係を改善する。
【解決手段】 この半導体集積回路は、電源電圧を昇圧して昇圧電圧を生成する第1の昇圧回路10と、基準電位に基づいて第1の電位を生成して電源電位として出力する第1の増幅回路20と、第1の電位を分圧して第2の電位を含む複数の電位を生成する分圧回路30と、分圧回路によって生成される第2の電位をバッファして出力する第2の増幅回路42と、第2の電位以外の所定数の電位をバッファして電源電位として出力する増幅回路41及び43と、第1の電位と第2の電位とに基づいて昇圧動作を行うことにより、第1の昇圧回路によって生成される昇圧電圧よりも高い電源電圧を生成する第2の昇圧回路50とを具備する。 (もっと読む)


【課題】測定時に発生するノイズを低減でき、しかも、製造時の位置合わせ精度を高めることなく信頼性が高い半導体素子用測定装置を提供する。
【解決手段】カード2上にあって、ウェハ上に形成された複数の半導体素子と一対一に対応する複数のDUT201と、カード2上にあるDUT201のうちの少なくとも1つを選択する選択情報を入力し、選択情報によって選択されたDUT201のみと対応する半導体素子と導通可能にするリレースイッチ203a、203bとでコンタクトカードを構成する。 (もっと読む)


【課題】 積層された半導体チップの接合強度が高く、これにより高い信頼性を確保することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置、並びに当該半導体装置を備える電子機器を提供する。
【解決手段】 半導体基板10を貫通する電極20,21を有する半導体装置の製造方法であって、集積回路が形成された半導体基板10の能動面10aから半導体基板10の内部にかけて孔部H3を形成する工程と、孔部H3の内側に導電材料を充填して第一接続端子20を形成する工程と、半導体基板10を裏面側10bから薄板化して、電極20の先端部を露出させる工程と、先端部の周辺に導電材料を配置して第二接続端子21を形成する工程と、を有する。
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【課題】レジストを「焦げ」の発生を防ぎつつ除去し、さらにプラズマ酸化珪素膜を半導体ウェハ内部の不純物の再分布を抑制しながら高速に形成する半導体素子の製造方法及び半導体素子を提供する。
【解決手段】レジスト301の灰化時には低めのRF電力を用いることで、レジスト301の「焦げ」の発生を防いで灰化する。レジスト301の灰化が終了した時点から高めのRF電力に切り替えることで酸化レートの高いプラズマ酸化を行い、ポリシリコンからなるN型配線部103、P型配線部104の表面に不純物の外方拡散防止膜としてのプラズマ酸化珪素膜401を形成する。熱工程を行うことなくポリシリコンをくるむようにプラズマ酸化珪素膜401を形成するため、半導体ウェハ101中の不純物を殆ど再分布させない。 (もっと読む)


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