説明

セイコーエプソン株式会社により出願された特許

50,431 - 50,440 / 51,324


【課題】固定パターンノイズの発生を防止する
【解決手段】 入射光に応じた光発生電荷を発生させる光電変換素子と、前記光電変換素子に隣り合う領域に配置された変調トランジスタであって、前記光発生電荷の電荷量に応じた信号を生成する前記変調トランジスタと、含む固体撮像装置において、前記変調トランジスタは、環状ゲート4と、前記環状ゲートの内側に形成されたソース領域5と、前記環状ゲートの外側に形成されたドレイン領域と、前記ソース領域と前記光電変換素子との間に位置する前記環状ゲートの下方に形成されたキャリアポケットであって、前記光電変換素子からの光発生電荷を保持して前記変調トランジスタの閾値を変化させる前記キャリアポケット7と、前記キャリアポケットが形成されていない前記環状ゲートの下方に、前記キャリアポケットとの間に電位障壁を介して配置された制御ポケット9と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 信頼性の高い配線基板を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 チオ尿素及びその誘導体の少なくとも一方を含有するめっき液20を利用して、ベース基板10に設けられた配線パターン12に無電解メッキ処理を行う。アミンを含有する溶剤30を利用してベース基板10を洗浄する。その後、ベース基板10にレジスト層40を形成する。 (もっと読む)


【課題】 信頼性の高い配線基板を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 チオ尿素及びその誘導体の少なくとも一方を含有するめっき液20を利用して、ベース基板10に設けられた配線パターン12に第1の無電解めっき処理を行って、厚みが0.1μm未満のめっき層15を形成する。アミンを含有する溶剤30を利用してベース基板10を洗浄する。ベース基板10に、めっき層15を部分的に覆うレジスト層40を形成する。めっき層15におけるレジスト層40からの露出部に、第2の無電解めっき処理を行う。第1の無電解めっき処理工程とレジスト層40を形成する工程との間では、加熱工程を行わない。 (もっと読む)


【課題】
従来の主な強誘電体メモリはデータを破壊読み出しするので寿命に限界があり、用途が限られた。また非破壊読み出しの強誘電体メモリでも強誘電体膜の組成が複雑で、開発に多大な期間を要し、かつ信頼性確保や製造上に困難を抱えていた。
【解決手段】
強誘電体コンデンサの2つの電極材料に異なる仕事関数の材料を用いて分極電荷−印加電圧特性を電圧軸の方向へ平行移動させ、ヒステリシス特性を非対称性とする。この強誘電体コンデンサに抗電圧以下の微小な電圧を加え、2つの異なる残留電荷をもつ状態における分極電荷−印加電圧特性の非対称性から1,0の記憶データを非破壊で読み出す構成とする。 (もっと読む)


【課題】 下地層の段差を吸収して平坦な面を提供する絶縁層であって、コンタクトホールを有する絶縁層を、インクジェット法で形成すること。
【解決手段】 インクジェット法を用いた層形成方法は、(a)第1レベル面上に位置する第1導電層21の側面が第1絶縁材料31Aで覆われるように、前記第1レベル面上に第1の濃度を有する前記第1絶縁材料31Aを吐出するステップと、(b)吐出された前記第1絶縁材料31Aを活性化または乾燥して、前記第1導電層21に接する第1絶縁層31Bを形成するステップと、(c)前記第1導電層21上と前記第1絶縁層31B上とに、前記第1の濃度よりも高い第2の濃度を有する第2絶縁材料を吐出するステップと、(d)吐出された前記第2絶縁材料を活性化または乾燥して、前記第1導電層21と前記第1絶縁層31Bとを覆う第2絶縁層を形成するステップと、を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】 半導体集積回路内において、小さい面積で異常電圧のバイパス性能に優れた保護回路を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 導電層パターン11は、例えば、異常電圧の印加によりゲート絶縁破壊が懸念されるMOS型素子Q1のゲート電極に接続される。また、導電層パターン11は、外部接続端子12に接続関係を有する。導電層パターン11は、製造工程中に利用されるプラズマ処理に起因するチャージアップやESD(静電放電)によって異常電圧が伝達される。そこで、導電層パターン11は、異常電圧のみを通電させるギャップG1を配備した。ギャップG1は、MOS型素子Q1へ伝達されようとする異常電圧のみを半導体基板は基準電位(接地電位)にバイパスさせるため、所定の離間距離をもって互いに対向する尖端部11A1,11A2を有する。 (もっと読む)


【課題】固定パターンノイズの発生を防止する
【解決手段】 一方導電型の基板50と、前記基板内に設けられ、入射した光に応じた光発生電荷を発生させる光電変換素子と、前記光電変換素子に隣接配置される変調トランジスタを構成する環状のゲート4と、前記環状のゲートの中央開口の前記基板表面に形成される他方導電型のソース領域5と、前記ゲートの周辺に形成される他方導電型のドレイン領域3と、前記ソース領域と前記光電変換素子との間に直線的な形状を有して形成されて前記光電変換素子からの光発生電荷を保持して前記変調トランジスタの閾値を変化させるキャリアポケット7と、前記キャリアポケット上において前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の基板表面にチャネルとして形成される他方導電型の拡散層と、前記キャリアポケットが形成されていない前記ソース領域の周辺において、前記ゲート下方の基板表面に形成される一方導電型の領域9とを含む固体撮像装置。 (もっと読む)


【課題】低照度時の感度を向上させると共に、ダイナミックレンジを向上させる。
【解決手段】 基板50と、前記基板内に設けられ、入射した光に応じた光発生電荷を発生させる光電変換素子と、前記光電変換素子に隣接配置される変調トランジスタを構成する環状のゲート14と、前記環状のゲートの中央開口の前記基板表面に形成されるソース領域15と、前記ゲート下方の前記基板内に形成された高濃度領域であって、前記光電変換素子において発生した光発生電荷を保持して前記変調トランジスタの閾値を変化させる第2キャリアポケット19と、前記ゲート下方の前記基板内に形成された高濃度領域であって、少なくとも一部が前記第2キャリアポケットのいずれの部分よりも前記光電変換素子に隣接して形成され、前記光電変換素子からの光発生電荷を保持して前記変調トランジスタの閾値を変化させる第1キャリアポケット17と、前記第1キャリアポケットと前記第2キャリアポケットとの間に形成される電位障壁2とを含む。 (もっと読む)


【課題】 Oリング近傍のガラス部材を保護しながらOリングをも保護し、高い真空度を維持できる真空装置用チャンバを提供する。
【解決手段】 カバー1と、カバー1と共に閉空間100を形成するフランジ5とを備え、形成された閉空間100内の真空状態をOリング10によって封止する真空装置用チャンバにおいて、フランジ5は、カバー1と対向する周縁面5aと、周縁面5aにあってOリング10と嵌合する溝部22とを備える。また、カバー1は、周縁面5aと対向する対向面1aと、対向面1a上にあって、かつ耐プラズマ性を有する第1面30と、第1面30に比して平滑度が高く、かつ溝部22に対向する溝対向面22aに沿う第2面32とを備える。 (もっと読む)


【課題】工数を増加させることなく、探針が滑り難く、脱落しない電極パッドを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】パッド接続領域101aは、半導体集積回路に関係して設けられた所定の金属配線層101における一部のパターンである。パッド接続領域101a上に層間絶縁膜12による島状パターン12iが設けられている。島状パターン12iの側部に導電部材、ここでは配線間の接続部材13が配されている。接続部材13は、層間絶縁膜12を貫通するビア接続部材を利用したものである。島状パターン12iとその側部の接続部材13によってパッド接続領域101a上に凸形状PRJが形成されている。凸形状PRJを覆うようにパッド接続領域101a上に次層の金属配線層102が形成され、凸形状PRJが反映された表面を現出した電極パッドPADが形成されている。 (もっと読む)


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