【目的】 普通紙・再生紙にも容易に印字できるインクジェットプリンタ用インク及び目詰まりのないインクジェットプリンタ用インクおよびその印字機構を提供する。
【構成】 １．水系インクにおいて、紫外線硬化型樹脂プレポリマー、反応開始剤、染料を含む。２．紫外線硬化型樹脂プレポリマーと非水系染料、反応開始剤からなる。３．上記プレポリマーと反応開始剤が、別々のノズルから噴射されて用いられる。４．上記プレポリマーが、染料吸着サイトを持つ。５．100mJ/cm²以下のＵＶ量で硬化する。６．フッ素系化合物を含む。 （もっと読む）

【目的】 プリント回路基板の銅ペースト層の形状を全面あるいは部分的に編み目形状としたことにより、高速信号でも波形歪や伝搬遅延を起こすことなく電磁波の輻射を低減させることが可能なプリント回路基板の提供にある。
【構成】 プリント回路基板において、プリプレグ１と信号パターン層２とアンダーレジスト層３と網目形状の銅ペースト層４１とオーバレジスト層５にて構成する。 （もっと読む）

【目的】 視角の広い液晶表示素子を提供する。
【構成】 位相差フィルムの屈折率楕円体の３つの主軸、即ち光学弾性軸は、通常の一軸延伸法ではフィルム面と平行あるいは垂直な方向にある。この光学弾性軸をフィルム面に対して傾斜させることによって、ＳＴＮ液晶が電圧により立ち上がった状態を正しく補償することが出来、従来よりも上下左右の均衡が取れた広い視角特性を得ることができる。 （もっと読む）

【目的】クロストークによる輻射ノイズ発生を抑制し、電波障害を起こさない小型薄型電子機器を提供すること。
【構成】コネクタ８を備えたマザー基板１と、コネクタ９を備えたメカコントロール基板２と、マザー基板１とメカコントロール基板２を接続するためのコネクタ１０および１１を備えたフレキシビリティを有する接続基板４とからなる。 （もっと読む）

【目的】 高精度、細密な流路形成を持つインクジェットヘッドを得る。
【構成】 エキシマレーザ１１ーにより、流路パターンを形成したマスク１２を介して、流路原料基板１ａを大きな面積にわたって同時加工する。 （もっと読む）

【目的】 能動領域が薄く、ソース及びドレイン領域が厚く、かつ能動領域とソース及びドレイン領域との接合欠陥をなくすことによって、高速化・高性能化・低消費電力化・微細化・高集積化が可能な薄膜トランジスタを構成する。。
【構成】 基板上に半導体層を積層し、窒化珪素膜層を積層・パターニングした後、窒化珪素膜層の開孔部の半導体層を熱酸化させ、窒化珪素膜層を除去した後、熱酸化膜をマスクとして不純物イオンを導入し、ソース及びドレイン領域と薄い不純物領域と能動領域を形成した後、熱酸化膜を除去し、ゲート絶縁膜とゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【目的】 インク滴の飛翔方向及びインク滴の吐出タイミングにばらつきが生じないノズルプレートの提供。
【構成】 ノズル孔４の周囲の部分６を除いてノズルプレート１の裏面２全体をレジストテープにより被覆し、ついでこのノズルプレート１を金属イオンと撥水性樹脂の粒子を分散させた電解液に浸漬してメッキ処理をした後、さらにこれを撥水性樹脂の融点以上の温度で加熱処理することにより、ノズルプレート１の表面３とこれに続くノズル孔４の内面５から裏面２にかけての部分全体に、強固な撥水性の共析メッキ層８を形成して、インクの濡れ等によるインク滴の曲りを押えるようにしたもの。 （もっと読む）

【目的】ＡＬ及びＡＬ合金の単層または多層より成る配線層をドライエッチングした後、１００℃以下でレジストアッシングすることで、ドライエッチング中に形成される側壁保護膜の硬化を防止する。
【構成】ＡＬ合金エッチング後、９０℃で２０６のレジストを酸素（Ｏ₂）ガスとＣＨＦ₃ガスをプラズマ化して除去する。次に、酸素（Ｏ₂）ガスとメタノール（ＣＨ₃ＯＨ）ガスにより２０７の残留塩素を除去する。以上より、レジストアッシングの処理温度を９０℃にすることにより２０８の側壁保護膜の硬化を防止出来る。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、一部のＮｉアレルギー体質の人が携帯した際に、Ｎｉアレルギーによる かぶれ現象を防止する装飾部材を提供する。
【構成】 本発明は 合金素材の表面上に Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｄ−Ｃｏ、Ｓｎ−Ｚｎ等の下地メッキ層を被覆構成し、該表面上に ＡｕーＣｏ、ＡｕーＰｄ−Ｃｕ、Ａｕ−Ｃｕ等の金色仕上げメッキ層を 被覆積層したことを特徴とし、更に該金色の装飾部材表面に Ｐｄ−Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔメッキ等の内の一種の白色メッキを部分選択的に 被覆積層し、金色と白色で二色に構成したことを特徴とする。
【効果】 Ｎｉを含有しない新規なメッキの構成により Ｎｉアレルギーを防止することができる。 （もっと読む）

【目的】 薄膜トランジスタに於いて、ゲート電極とソース及びドレイン領域との重なりである寄生容量を小さくして、高速化及び高性能化及び特性の均一化を実現し、ゲート電極として低抵抗の金属を用い、配線層を同時に形成する事に依って、簡単なプロセスで配線の低抵抗化を図り、高集積化を可能にする。
【構成】 基板上に半導体層を形成しゲート絶縁膜層を形成し、レジストを塗布、パターニングし、それをマスクとしてソース及びドレイン領域を形成した後、異方性の絶縁膜を形成し、レジストを除去しリフトオフを行った後、ソース及びドレイン領域の活性化を行い、その後ゲート電極及び配線層を同時に形成する。 （もっと読む）