【構成】 非磁性薄膜を介して２層以上の磁性薄膜を積層して磁性多層膜を形成する。隣合う磁性薄膜の保磁力は互いに異なっており、保磁力の小さい第１の磁性薄膜の角形比およびＨｋを規制し、さらに保磁力の大きな第２の磁性薄膜と非磁性薄膜とを含めて各薄膜の膜厚を規制して第１〜第３の発明を構成する。
【効果】 第１の発明の磁性多層膜は、数Oe〜数十Oeの外部磁場で大きなＭＲ変化率を示し、０磁場で良好なＭＲ変化立ち上がり特性と高い耐熱性とをもつ。第２の発明ではさらに−１０〜１０Oeの外部磁場でヒステリシス特性とＭＲ傾きが改善され、第３の発明ではこれらに加えて−５０〜５０Oeの外部磁場での大きなＭＲ傾きと、すぐれたヒステリシス特性と、高周波磁界での大きなＭＲ傾きとをもつ。従って、高感度の磁気抵抗効果型センサや高密度磁気記録可能な磁気ヘッドが実現する。 （もっと読む）

【目的】 フォトポリマー法により磁気ディスク用基板を作製する際、スタンパーからの溝の転写を確実とし、歩留りの向上を図る。
【構成】 好ましくは可撓性基体等の非磁性基体上にフォトポリマー層を形成する際、下地膜を介して形成する。下地膜は、プラズマ重合膜あるいはガラス転移温度が３０℃以下の熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂の樹脂膜とする。 （もっと読む）

【目的】 金属磁性粉を用いた塗布型の磁気記録媒体において、反転磁界分布（ＳＦＤ）の点で優れたものとし、ひいては電磁変換特性に優れたものとする。
【構成】 鉄を主体とし、Ａｌおよび／またはＳｉと希土類元素とを含有し、Ａｌおよび／またはＳｉがＦｅに対して０．５〜５．０wt% 、希土類元素がＦｅに対して１〜１０wt% である金属磁性粉を用いる。 （もっと読む）

【目的】 真空蒸着における膜厚を一定に制御すること。
【構成】 るつぼに収容した金属または合金を電子ビームで溶融させ、一定速度で供給されている基体フィルムに、前記溶融した金属または合金から蒸発した金属蒸気を蒸着させ、得られた蒸着金属の厚さｔを間欠的または連続的に測定し、その値を設定厚さｔ₀ と比較して誤差Δｔ＝ｔ−ｔ₀ を算出し、その値をフィードバック率５０％以下で負帰還して電子ビームのエネルギーを制御し目標範囲に蒸着膜厚を規制することを特徴とする、真空蒸着における膜厚制御方法。 （もっと読む）

【目的】 生産性に優れ、溝の加工精度が良好な磁気ディスク用基板とする。
【構成】 例えば、フロッピーディスク用の可撓性基板１０を作製する際、表面を親水化処理した、例えばＰＥＴ等の非磁性基体上に、塩化ビニルが８０〜９２モル％で、酢酸ビニルが８〜２０モル％の主骨格を有する塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー層を形成した非磁性基体１００を順次繰り出して、加熱下スタンパ２１をプレスし、スタンパ２１の溝を前記コポリマー層に転写して溝を形成する。 （もっと読む）

【目的】従来のストリップ線路やマイクロストリップ線路と同じく製造が容易で薄形化でき、かつ伝送損失を向上させることができ、用途の拡大が図れる高周波用伝送線路を提供する。
【構成】誘電体１とその内部または表面に一体に形成された信号線２とグランドプレーンとからなるストリップ構造またはマイクロストリップ構造の伝送線路に適用する。信号線２とグランドプレーン３との間に、信号線２より幅の狭い寄生信号線７ａ、７ｂを信号線２に短絡して設けた。 （もっと読む）

【目的】 傾斜配置による誤動作を生じない加速度センサを提供する。
【構成】 非磁性ケース１と、マグネット２と、磁気応動スイッチ３と、支持装置５とを有する。マグネット２は、非磁性ケース１内に配置され磁性流体４によって支持されて非磁性ケース１の底部１０１の内面上に浮上している。磁気応動スイッチ３はマグネット２の位置に応動するように、底部１０１の下方外部に配置されている。支持装置５は、それが傾斜したときにも非磁性ケース１が傾斜前の水平位置を保つように、非磁性ケース１を支持している。 （もっと読む）

【目的】 映像信号から求められるコントラスト値にノイズ成分があっても、このノイズ成分の影響を少なく抑え得る、また、その焦点合せの再現性も向上できて誤差の少ない自動焦点合せを行う。
【構成】 テレビカメラにて撮影した被撮像物の画像から数ライン分のテレビ走査線上の映像信号を得、その各映像信号を重ね合せて平均化させた最大のコントラスト値を合焦位置の割出しデータとして求め、また、対物レンズを被撮影物から離間するＺ軸方向に原点より所定量づつステップ移動させ、その各ステップにおけるテレビカメラにて撮影した被撮像物の画像からテレビ走査線上の映像信号を得て各コントラスト値を求め、これらコントラスト値のピーク値近傍前後に位置するコントラスト値を重心演算し、その演算値から対物レンズの焦点を合焦位置に自動設定するコントラスト値のピーク値並びに当該ピーク値に応じた位置を割り出す。 （もっと読む）