説明

株式会社東芝により出願された特許

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【構成】 ブラウン管の漏斗状ファンネル2の径大部外表面にこの外表面上のアドレスを指定することが可能なパターンを設け、このパターンにより指定されるファンネルの径大部外表面上の所定のアドレスに画面特性を補正する補正部材を配置し得る構成とした。
【効果】 シャーシ・エフェクト対策の補正を容易かつ適正におこなうことができるようになる。 (もっと読む)


【目的】 エミッタの形状再現性や均一性、さらにゲート−エミッタ間の距離の制御性を高め得ると共に、その形成領域を容易に大面積化することができる電界放出型冷陰極の製造方法を提供する。
【構成】 底部を尖らせた凹部12を有する第1の基板11に、熱酸化絶縁層13を形成する。凹部12内を埋めつつ、熱酸化絶縁層13上にエミッタ材料層14を形成する。第1の基板11と構造基板からなる第2の基板17とを接合する。第1の基板11をエッチングにより除去し、熱酸化絶縁層13を露出させると共に、凹部内に充填されたエミッタ材料に相当する凸部18を突出させる。露出された熱酸化絶縁層13上にゲート電極層19を形成した後、凸部先端部18aが露出するように、熱酸化絶縁層13およびゲート電極層14の一部を除去して、エミッタ18を形成する。 (もっと読む)


【目的】 伝送変換損失が少ないマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造を提供すること。
【構成】 マイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造において、同軸線路の中心導体14aとマイクロストリップ線路の誘電体基板11との間、または中心導体14aと誘電体基板11および導電性基板13の両基板との間に位置する誘電体のうち、中心導体14aと線路導体12側の導電性基板13面とを結ぶ領域の少なくとも一部14cの誘電率を、これと反対側の領域の誘電率より大きくする。 (もっと読む)


【構成】 検査物体に導電性の探針を接近させて、両者間で構成されるコンデンサの静電容量を一定に保つように探針を上下方向に微動させながら検査物体上を走査してその表面状態を検査する。
【効果】 探針の尖鋭度に応じて容易に分解能を向上させることができ、また、簡易かつ正確に付着異物の材料を同定することができる。 (もっと読む)



【目的】 命名規則に従って自動的にプログラム上の名前の変換を行う。
【構成】 ソースコード1上の、整数型の1次元配列である変数“A”(図(A))は、命名規則に従って“ALst”という名前に変換される(図(B))。文字型の変数である“Knam”、文字型のポインタである“Snam”はそれぞれ“KnamLtr”,“SnamLtrPtr”という名前に変換される。レコード型の変数である“Data”は“DataStr”に変換され、そのレコード型に含まれるメンバーも命名規則に従って名前が変換される。
【効果】 設計者が自らのコーディングスタイルで迅速かつ容易にプログラムソースの入力を行える。設計データの共有化が容易で、設計効率が良くなる。 (もっと読む)


【目的】 簡単且つ安価な構成でレーザ光出力を設定値どおりに得られるように励起出力を制御する。
【構成】 共振器1の放電電極2,3には高圧電源装置4から励起出力が与えられる。高圧電源装置4および共振器1は冷却装置5により一定温度に保持される。高圧電源装置4および冷却装置5は、制御装置6により駆動制御される。光センサ7は共振器1から出力されるレーザ光の強度を検出して制御装置6に検出信号を与える。制御装置6は、電源投入時に立ち上げ処理を行った後、一定時間だけ所定励起出力で運転を行った後に、初期設定動作としての自動出力較正を実施する。これにより、自動出力較正は、レーザ光出力が安定領域に入ってから実施されるので、励起出力に対応した正確な値として得られる。 (もっと読む)



【目的】 ベ−ス表面近傍の不純物濃度を低下させて、ホットキャリアの発生を無くし、ベ−ス抵抗を減少させて高速化を促進した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【構成】 バイポ−ラトランジスタのベ−ス領域11表面にシリサイド膜31を形成して、ベ−ス抵抗を下げる。この半導体装置の製造工程において、ベ−ス領域11上に、エミッタ領域12形成工程前に、Tiなどの金属薄膜を堆積させ、加熱処理して金属薄膜を少なくとも部分的にシリサイド化して、前記シリサイド膜31を形成する。そして、この膜のボロン吸出し効果によってベ−ス領域11の表面不純物濃度を減少させる。 (もっと読む)


【目的】 本考案は実装面積を食う高周波リレーを使用しなくても、装置の送受信回路をアンテナ側と高周波コネクタ側のいずれか一方に切り替えることができる無線電話装置を提供することを目的としている。
【構成】 本考案において、アンテナ3が装着されてない場合、移相回路8は、共用器7が評価用高周波コネクタ4側のみに接続され、移送回路8側には接続されず、これがオープンとなっているような等価回路を形成する。 (もっと読む)


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