説明

株式会社東芝により出願された特許

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【目的】 MOS初特性及びホットキャリア信頼性を向上することを目的とする。
【構成】 ゲート絶縁膜4は窒素原子濃度が1atom・%以下のシリコン酸化膜である。 (もっと読む)


【目的】中性子検出器出力をデジタル化すると共に、多数の周波数帯域に分割し、ノイズを含む周波数帯域を特定排除して、信号応答の早い出力を得て、ノイズの影響の少ない中性子検出器出力の監視装置を提供する。
【構成】中性子検出器の出力信号を入力して初段信号のデジタル化等の処理を行う信号入力装置と、この信号入力装置から入力した信号を複数の周波数帯域の信号に分割する帯域分割装置と、各周波数帯域の信号を比較する信号比較器と、この信号比較器の演算結果から特定周波数帯域を選択して演算出力する信号出力装置を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【目的】現在時刻と予約時刻の同時表示、保温温度と現在温度の同時表示、現在温度と保温温度の同時表示等を行うことにより使い勝手をよくする。
【構成】設定及び判定処理手段1により湯沸かし動作中には第1の表示部21に保温温度を表示し、第2の表示部22に現在湯温を表示する。また保温動作中には第1の表示部に現在時刻を表示し、第2の表示部に現在湯温を表示する。またタイマ動作中には第1の表示部に現在時刻を表示し、第2の表示部に予約時刻を表示する。また予約時刻の設定中には第1の表示部に現在時刻を表示し、第2の表示部に予約時刻を点滅表示する。また保温温度の設定中には第1の表示部に保温温度を点滅表示し、第2の表示部に現在湯温を表示する。 (もっと読む)


【目的】 配置の評価値を劣化させずにタイミング制約を満足させる。
【構成】 未配置セルの各配置領域における接続強度を算出し(step1)、未配置セルを各配置領域に仮割り当てを行い、未配置セルと接続する各クリティカルネットの仮想配線長を算出し(step3)、各クリティカルネットのスラック値(クリティカルネット長の上限値−仮想配線長)を算出し(step4)、スラック値の最小となる未配置セル群の中で、接続強度が最大となる未配置セルを選出し(step5)、選出された未配置セルを、スラック値が正或いはスラック値が最大となる配置領域群の中で接続強度が最大の配置領域に割り当てる(step6〜8)。
【効果】 タイミング制約を満足させる論理セルの配置領域への初期配置を行う事ができ、配置の質の劣化を防ぐ事ができる。 (もっと読む)




【目的】 高精度の蛇行制御を行うことが可能な圧延材蛇行制御装置を得る。
【構成】 圧延機(1) の両サイド位置に配設した各圧下駆動装置(5,6) をそれぞれ制御する圧下位置制御装置(17,18) の圧下位置基準を、圧下位置レベリング量によって補正して蛇行制御を行うに当たり、蛇行量検出手段(101,102) が圧延機(1) の出側における圧延材の蛇行量を検出すると、レベリング量演算手段(106)は検出された蛇行量を入力し、比例、積分及び微分の各演算のうちの少なくとも一つの演算を実行して圧下位置レベリング量を演算する一方、張力検出手段(7,8) が圧延機(1) の入側における圧延材の両サイドの張力をそれぞれ検出すると、偏差演算手段(9) が張力偏差を演算し、ゲイン演算手段(104) は検出された蛇行量と、演算された張力偏差とをファジィ変数としてレベリング量演算手段(106)の適切なゲインをファジィ演算によって求め、乗算手段(105) は演算されたゲインによってレベリング量演算手段(106) のゲイン調整をする。 (もっと読む)


【目的】 この発明は、メモリアクセスならびにプログラムステップ数をともに削減し、セマフォを実行する処理の高速化を達成し得るマイクロプロセッサを提供することを目的とする。
【構成】 この発明は、条件オペランド書込み演算命令をデコードした際に条件オペランド書込み信号を出力する命令デコーダ2と、前記命令デコーダ2における命令のデコード結果にしたがってオペランドデータを演算する演算器4と、前記演算器4における演算結果の条件フラグが設定されるフラグレジスタ5と、前記フラグレジスタ5に設定された条件フラグの内容と前記デコーダ2から出力される条件オペランド書込み信号に基づいて演算結果のオペランドデータ書込みを禁止する禁止信号を出力するANDゲート6と、前記ANDゲート6から出力される禁止信号にしたがって演算結果のオペランドデータ書込みを禁止制御するオペランド書込み制御ユニット7とからなる。 (もっと読む)


【目的】 従来に較べてさらに高い選択比を得ることができ、シリコン層に損傷を与えることなく、目的とする薄膜のエッチングを行うことのできるエッチング方法を提供する。
【構成】 排気機構15で真空排気を実施することにより、処理チャンバ2内を所定の真空度に保持しつつ、上部電極3の多数の細孔から半導体ウエハ5に向けて、Ar供給源7、CHF3 供給源8、CF4 供給源9、CO供給源10a、10bからのガスを供給し、これとともに、高周波電源13から電力を供給してエッチング処理を行う。 (もっと読む)


【目的】 本発明の目的は、冷却材による炉心のボイド反応度を小さく抑えることにより、異常時に、炉心の正の反応度投入要因を低減することにより、安全性を向上しつつ、より大きな出力の炉心を得ることができる高速炉の炉心を提供することにある。
【構成】 本発明に係る高速炉の炉心20は、核燃料物質を充填した燃料集合体21を装荷して形成した炉心領域22と、この燃料集合体21の間に挿入したボイド化集合体33とから成り、このボイド化集合体33は、容器本体56内部に下部開放容器46を収容し、この下部開放容器46の上部に気体を加圧封入したガスキャビティ容器42を配設し、このガスキャビティ容器42の開閉蓋45を所定温度にて開動作させる形状記憶合金で形成された伸縮金具38を具備して構成される。 (もっと読む)


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