【課題】干渉縞が発生しやすい試料でも、良好な赤外吸収スペクトルを得ることが出来る干渉縞低減冶具を提供することを目的とする。
【解決手段】干渉縞低減冶具５は、一対の加圧セル板１，１により試料４を挟んで圧延する際に、一対の加圧セル板１，１の一方と試料４との間に介在されるフィルム状の薄板である。薄板に多数の孔６が互いに間隔をおいて貫通形成されており、孔６の断面積は１００００μｍ^２以下であり、互いに隣り合う孔６の外周縁どうしの間隔７は１００μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】小型であっても、ＬＥＤ発光素子から発生する駆動熱や、環境条件による熱に対する放熱性が高められたＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板を提供する。
【解決手段】本発明のＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板１０は、第１の面に１以上の凹部１２を有した樹脂成形体１１と、凹部の底面に設けられ、少なくとも１つのＬＥＤ発光素子２０を搭載するためのパッド部１３、およびＬＥＤ発光素子と電気的に接続するためのリード部１４を有したリードフレーム５０とを備え、リードフレームには、凹部が形成されている側とは反対側の面に、凹凸が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子用リードフレーム基板において、切断時に発生するタイバーの切り口のダレを防止することができるようにする。
【解決手段】ＬＥＤチップが搭載されるパッドを有するＬＥＤチップ搭載部２と、ＬＥＤチップ搭載部２と離間して配置されＬＥＤチップに電気的に接続されるリードを形成する電気的接続エリア部３とが、タイバー部６０、７０、８０によって複数連結されたリードフレーム１と、ＬＥＤチップ搭載部２および前記電気的接続エリア部３の一部を除くリードフレーム１の部位を覆う樹脂部とを備え、樹脂部とともにタイバー部６０、７０、８０を切断して個片基板を製造するためのＬＥＤ素子用リードフレーム基板であって、タイバー部６０、７０、８０は、切断代よりも長く延ばされ、樹脂部に外周を囲まれて形成された構成とする。 （もっと読む）

【課題】反射型マスクの裏面に形成された導電膜と、マスク固定用の静電チャックとの接合の結果、発生する異物や接合面の劣化を防止できる反射型マスクおよび露光装置を提供する。
【解決手段】ＥＵＶマスク１２は、基材上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜及び吸収膜を形成し、基材の裏面に導電膜及び保護被膜を均一に塗布したもので、ＥＵＶ露光装置のマスクステージ１３に吸着させる。ＥＵＶマスク１２と露光装置内の静電チャックが、炭素原子を基本骨格とする保護被膜を介して接触することで、ＥＵＶマスク裏面の導電膜と静電チャック双方の表面劣化、異物の発生、固着を防ぐ。同時に、静電チャック側に残留した異物は装置内で洗浄用光源１７からエネルギー線１８を照射することで除去する。 （もっと読む）

【課題】熱転写時に抜けや濃淡ムラ、印画シワ等、画像の不均一性の欠陥のない熱転写記録媒体の提供を目的とする。
【解決手段】支持体の一方の面に、少なくとも染料とバインダー樹脂とポリエチレンワックスフィラーおよびシリコーンフィラーを含有してなる熱転写層と、他方の面に、少なくとも耐熱滑性層が設けられた熱転写記録媒体であって、前記ポリエチレンワックスフィラーおよびシリコーンフィラーの総含有量が、前記バインダー樹脂に対して０．５〜６重量％であり、且つ、ポリエチレンワックスフィラーの粒径をR、シリコーンフィラーの粒径をｒとしたとき、その粒径比［ｒ／R］が０．５〜２であることを特徴とする熱転写記録媒体。 （もっと読む）

【課題】動作速度を向上出来る半導体記憶装置を提供すること。
【解決手段】動作がプロセッサ２の制御によって自動で行われる半導体記憶装置１であって、不揮発性のメモリセルＭＣを備えたメモリセルアレイと、第１レジスタを保持し、電圧を発生する電源回路１１と、第２レジスタを保持し、前記メモリセルからデータを読み出し増幅するセンスアンプ７と、第３レジスタ３０を保持し、前記電源回路１１と前記センスアンプ７の動作を制御する制御回路１２と、前記第１乃至第３レジスタに命令を与えることにより、前記電源回路１１、前記センスアンプ７、及び前記制御回路１２の動作を制御する前記プロセッサ２とを具備し、前記制御回路１２は、前記第３レジスタ３０で受け取った前記命令をデコードして、デコード結果に基づいて前記電源回路１１及び前記センスアンプ７を直接制御可能である。 （もっと読む）

【課題】透明基板の一面に、紫外線の照射により硬化する着色層を少なくとも具備するカラーフィルタ基板の製造工程において着色層形成時に、基材を損傷することなく、容易に低コストで欠陥を修正することができるカラーフィルタ基板の欠陥修正方法、及び、その欠陥修正方法によって欠陥部分が修正されたカラーフィルタ基板を提供する。
【解決手段】透明基板上に紫外線の照射により硬化する着色層を少なくとも具備するカラーフィルタ基板の製造工程において前記着色層の欠陥を修正するカラーフィルタ基板の修正方法であって、前記着色層を硬化する前に欠陥検査を行って修正対象箇所を特定する検査工程と、前記修正対象箇所を遮光性樹脂で覆う被覆工程と、紫外線の照射により前記着色層を硬化させる硬化工程と、アルカリ溶液又は有機溶剤により未硬化の前記修正対象箇所の前記着色層と前記遮光性樹脂とを共に洗い流す洗浄工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】潜像を可視化するのに、偏光フィルターを用いず、物品の偽造防止及び真贋判定が容易に行える可とう性を有する偽造防止用媒体及びその検証方法を提供することを目的とする。
【解決手段】反射体に翳すことで潜像を可視化でき、画像形成体を透明可撓性支持体に積層してなる偽造防止用媒体であって、画像形成体は、複数の光軸に配向された潜像が形成された潜像画像部を持つ位相差層を、偏光子上に設けたことを特徴とする偽造防止媒体。 （もっと読む）

【課題】パターンの高さを非破壊で迅速に測定することができるパターン高さ測定装置及びパターン高さ測定方法を提供する。
【解決手段】試料表面の観察領域を電子ビームを照射で走査し、観察領域の斜め上方に配置された検出器９９ａによる二次電子の検出信号に基づいて画像（ＳＥＭ画像）を取得し、その画像に現れるパターン８２の影の長さＬを検出する。そして、あらかじ求めた検出器９９ａの試料表面に対する見掛け上の角度θと検出された影の長さＬとに基づいて、パターン８２の高さＨをＨ＝Ｌ×ｔａｎθにより求める。パターン８２の影の長さＬは、例えばパターン８２のエッジ８２ａ、８２ｂと直交するラインＸ−Ｘ上の二次電子の強度分布を抽出し、その二次電子の強度分布の凹部が所定のしきい値Ｉと交差する２点間の距離として求める。 （もっと読む）

【課題】電子線照射によって表面が帯電した場合でも、パターン寸法を高精度で計測することができる。
【解決手段】電子線源およびビーム偏向機構と、被測定基板上の規定の位置に規定量の電子を走査して照射し、基板表面から放出された二次電子を検出器で検出する機構と、検出器に入った電子の個数から二次電子画像を構成する機構とを有する装置であって、連続的に取得した画像の差分情報をもとに帯電の影響による計測値の変動を補正する手段を備えることを特徴とするパターン計測装置。 （もっと読む）