説明

東ソー株式会社により出願された特許

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【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体の製造方法及びヘテロアセン誘導体の前駆体であるテトラハロターフェニル誘導体を提供する。
【解決手段】 一般式(1a)で示されるヘテロアセン誘導体の製造方法であり、一般式(2a)で示されるテトラハロターフェニル誘導体をメタル化剤を用いてジメタル化し、硫黄、セレン、あるいはテルルと反応させた後、環化することを特徴とするヘテロアセン誘導体の製造方法;一般式(1b)で示されるヘテロアセン誘導体の製造方法であり、一般式(2b)で示されるテトラハロターフェニル誘導体をメタル化剤を用いてジメタル化し、硫黄、セレン、あるいはテルルと反応させた後、環化することを特徴とするヘテロアセン誘導体の製造方法及び新規なテトラハロターフェニル誘導体。 (もっと読む)


【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ビフェニレン誘導体、それを用いた耐酸化性有機半導体材料並びにそれからなる有機薄膜、発光材料、及び該ビフェニレン誘導体を簡便に経済的に製造する方法の提供。
【解決手段】式(1)で示されることを特徴とするビフェニレン誘導体。


(ここで、置換基R〜Rは同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、炭素数2〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数2〜30のアルケニル基、又は炭素数4〜20のアリール基を示し、mは1又は2であり、nは0〜2の整数を示す。但し、R及びRは同時に水素原子であることはない。) (もっと読む)


【課題】フェニル基置換1,3,5−トリアジン化合物を製造し、これを構成成分とするりん光性の有機電界発光素子を得る。
【解決手段】一般式(1)


[式中、ArおよびArは、各々独立してフェニル基等を示し、R,RおよびRは、各々独立して水素原子等を示す。Xは、同一または相異なって、フェニレン基等を示す。pおよびqは、同一または相異なって、0〜2の整数を示す。ArおよびArは、同一または相異なってピリジル基等を示す。]で表されることを特徴とするフェニル基置換1,3,5−トリアジン化合物を製造し、これを構成成分とするりん光性の有機電界発光素子を作製する。 (もっと読む)


【課題】 組成物のバンバリー作業性、押出機のダイ掃除性及びロール作業性が優れるクロロスルホン化ポリエチレンを提供する。
【解決手段】 重量平均分子量(Mw)/数平均分子量(Mn)の比が14以上であるクロロスルホン化ポリエチレン、又は重量平均分子量(Mw)/数平均分子量(Mn)の比が14以上であり、Z平均分子量(Mz)/重量平均分子量(Mw)の比が7.0以下であるクロロスルホン化ポリエチレン。 (もっと読む)


【課題】 塩化ビニル単量体又は塩化ビニル単量体とこれに共重合し得る単量体との混合単量体を、重合開始剤の存在下において水性媒体中で重合を行うに際して、重合時間を大幅に短縮し、塩化ビニル単量体とこれに共重合し得る単量体の反応性比が高いペースト塩ビの製造方法を提供する。
【解決手段】 塩化ビニル単量体又は塩化ビニル単量体とこれに共重合し得る単量体との混合単量体を、重合開始剤の存在下において水性媒体中で重合を行い、ペースト加工用塩化ビニル系樹脂を製造するに際し、重合開始前に塩化ビニル単量体又は該混合単量体の全仕込み量に対して15重量%〜45重量%の塩化ビニル単量体又は該混合単量体(1段目仕込み単量体)を仕込み、重合を開始後、残りの単量体を2段階以上に分割して、追加仕込みし、それぞれの追加仕込みは、仕込まれた単量体の重合転化率が80%を超えて95%に達するまでの期間に開始することを特徴とするペースト加工用塩化ビニル系樹脂の製造方法。 (もっと読む)


【課題】アーキングやノジュールの発生を低減させ、製品の品質が安定しているITO等の酸化物焼結体よりなるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸化物焼結体からなる酸化物スパッタリングターゲットにおいて、ターゲットの被スパッタリング領域の算術平均粗さ(Ra)や最大高さ粗さ(Rz)と酸化物焼結体の結晶粒径(d)とが以下の少なくとも1式を満たすことにより、アーキングやノジュールの発生を低減することができる。
0.05μm≦Ra(μm)≦d(μm)×0.2 (1)式
0.4μm≦Rz(μm)≦d(μm)×1.8 (2)式 (もっと読む)


【課題】 組成物のバンバリー排出性と押出機のダイ掃除性が良好で、押出成形した加硫物のヘタリ率が小さく、かつ加硫物の引張応力が大きいクロロスルホン化ポリエチレンを提供する。
【解決手段】 Z平均分子量(Mz)/重量平均分子量(Mw)の比が6.0以上であり、重量平均分子量(Mw)/数平均分子量(Mn)の比が2.0〜7.0であることを特徴とするクロロスルホン化ポリエチレン、その製造法及び用途。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム金属又はアルミニウム合金よりなる半導体製造装置部品にダメージを与えることなく、堆積した付着物を除去することができ、安全な洗浄方法を提供する。
【解決手段】a)半導体製造装置部品を、フッ化物:カルボン酸:ホウ酸とを例えば、1ppm〜4%:0.1〜20%:0.1〜5%の組成比(重量比)で含んでなる組成物で洗浄する工程、b)半導体製造装置部品を非イオン系界面活性剤及び/又は酸化剤を、0.01〜10重量%含んでなる組成物で洗浄する工程、のa)、b)両工程で洗浄する。 (もっと読む)


【課題】低温で保存しても凍結せず、接着物性が良好であるクロロプレンラテックスを提供する。
【解決手段】カルボン酸のアルカリ金属塩からなる乳化剤及び、HLBが9〜16である下記一般式(1)で表されるノニオン系乳化剤を含むことを特徴とするクロロプレンラテックス、並びにその製造法。R−O(CHCXHO)nH(1)(式中、Rは炭素数9〜16で分岐を有するアルキル鎖からなる親油基を表し、Xは水素又は炭素数1〜2のアルキル鎖を表し、nはノニオン系乳化剤のHLBが9〜16になる範囲の整数を表す。) (もっと読む)


【課題】 高活性かつ高選択的にエチレンを製造する方法を提供する。
【解決手段】 エタノールの脱水反応によりエチレンを製造するにあたり、プロトン型フェリエライトを用いた触媒の存在下で、エタノールを接触させることを特徴とするエチレンの製造法。 (もっと読む)


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