説明

株式会社豊田中央研究所により出願された特許

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【課題】非接触による確実な入力が可能な操作装置を実現すること。
【解決手段】電磁場を検出するセンサ25と、電磁場に感応するセンサから出力される検出信号に対してPLL同期した信号を発振させる第1PLL回路28Aと、センサから出力される検出信号に対してPLL同期した信号を発生させる第2PLL回路28Bと、第1PLL回路の出力信号と第2PLL回路の出力信号とをミキシングする第1ミキサ30と、第1ミキサの出力信号から所定周波数以上を遮断する第1ローパスフィルタ31と、を有し、出力装置は、第1PLL回路及び第2PLL回路の同期確立直前における位相雑音に起因する周波数変動に応じて、同期確立直前の状態であることを操作者に伝達する装置である。 (もっと読む)


【課題】超撥水性を備えた新規な撥水材及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基材と、前記基材の表面に形成された微細凹凸構造と、前記微細凹凸構造の表面を被覆する疎水性分子とを備え、前記微細凹凸構造は、複数の板状粒子の集合体からなる花弁状構造と、柱状粒子からなる柱状構造とを備え、前記基材の表面から前記柱状構造の先端までの長さが前記基材の表面から前記花弁状構造の先端までの長さより長いものからなる撥水材。このような撥水材は、基材表面に、複数の板状粒子の集合体からなる花弁状構造と、板状粒子からなる柱状構造とを備え、基材の表面から柱状構造の先端までの長さが基材の表面から花弁状構造の先端までの長さより長いものからなる微細凹凸構造を形成し、前記微細凹凸構造の表面を疎水性分子で被覆することにより得られる。 (もっと読む)


【課題】特性ばらつきの少ない絶縁ゲートを備えた窒化物半導体の半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置が備える絶縁ゲートは、窒化物半導体層1上に設けられているアモルファスの酸化シリコン膜2と、酸化シリコン膜2上に設けられているゲート電極8を有している。ゲート電極8に対向する窒化物半導体層1が酸化されている。 (もっと読む)


【課題】部品点数を増加させることなく、過電流の発生を防止して直流電源をプリチャージおよび/またはディスチャージすることが可能な電源システムを提供する。
【解決手段】電力変換器50は、スイッチング素子S1〜S4のオンオフを切換えることによって、直流電源10および直流電源20を並列に充放電させる動作と、直流電源10および直流電源20を直列に接続して両者を共通に充放電する動作とを切換えるように構成される。制御装置40は、直流電源20を直流電源10によってプリチャージまたはディスチャージする際に、直流電源10が周期的に充放電を繰り返す一方で、直流電源20がプリチャージ時には充電のみ、ディスチャージ時には放電のみとされ、かつ、各スイッチング周期内で直流電源10および20の電流が共通となる期間を有するように、スイッチング素子S1〜S4のオンオフを制御する。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で、前方に存在する障害物を精度よく検出することができるようにする。
【解決手段】前照灯投光装置によって、光が照射される照射領域の上端部であるカットライン境界部分の明度が変化するように前方を照射する。撮像装置12によって、自車両の前方を撮像する。カットライン検出部20によって、撮像された画像から、高さ方向の輝度変化に基づいて、カットライン境界部分のエッジ対を検出する。障害物検出部22によって、検出されたカットライン境界部分のエッジ対の高さ方向の幅に基づいて、自車両の前方に存在する障害物を検出する。 (もっと読む)


【課題】逆導通IGBTに内蔵されたダイオードで発生するリカバリ電流を低減させる。
【解決手段】逆導通IGBTに内蔵されているダイオードに順方向電流が流れている間に、逆導通IGBTのゲート−エミッタ間にゲート閾値電圧よりも低い電圧を印加することで、逆導通IGBTのドリフト領域への正孔の注入を抑制し、リカバリ電流を低減させる。 (もっと読む)


【課題】ヘテロ接合を利用した新規な保護素子を提供すること。
【解決手段】 半導体装置10の保護部36は、配線下層11Bと、配線下層11Bとは異なるバンドギャップを有する配線上層13を有している。配線上層13は、第1部位41と中間部位43と第2部位45を含んでいる。配線上層13と配線下層11Bの接合面に形成される2次元電子ガス層が、第1部位41と中間部位43の間で分離されており、第2部位45と中間部位43の間で分離されている。第1部位41と配線下層11Bの接合面に形成される2次元電子ガスが、ドレイン電極21に電気的に接続されている。第2部位45と配線下層11Bの接合面に形成される2次元電子ガスが、ソース電極28に電気的に接続されている。中間部位43と配線下層11Bの接合面に形成される2次元電子ガスが、ゲート電極25に電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】耐熱性を維持したまま、接着性を発揮し得る耐熱性接着剤を提供する。
【解決手段】ポリイミド系樹脂およびイミダゾリウムカチオンで有機化された有機化クレイを含有してなる耐熱性接着剤。 (もっと読む)


【課題】駆動電圧を調整可能な駆動回路を提供すること。
【解決手段】駆動回路10は、チャージポンプ回路部14を備えている。チャージポンプ回路部14は、メインスイッチング素子SW10がターンオンする遷移期間の初期段階において、キャパシタC1に充電された充電電圧に基づいて駆動電源18の電圧Vsを昇圧して駆動電圧Vgprを生成する。チャージポンプ回路部14では、指示信号S1に基づいてキャパシタC1に充電される充電電圧が調整可能に構成されている。 (もっと読む)


【課題】中空欠陥や介在物の少ないSiC単結晶及びその製造方法、このようなSiC単結晶から製造されるSiCウェハ及び半導体デバイス、並びに、中空欠陥や介在物の少ないSiC単結晶の製造に適したSiC単結晶製造用原料を提供すること。
【解決手段】{0001}面に略垂直な面を成長面とする種結晶を用いて、前記成長面上にSiCを成長させることにより得られる単結晶からなり、前記単結晶の成長方向に略平行に伸びる中空欠陥の密度が600個/cm2以下であるSiC単結晶、並びに、これを用いたSiCウェハ及び半導体デバイス。このようなSiC単結晶は、SiC粉末の質量の2%以上を予備昇華させることにより得られるSiC単結晶製造用原料を用いて、a面成長基板上に単結晶を成長させることにより得られる。 (もっと読む)


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