【課題】不均質性が存在する半導体ウエハを処理して不均質性の影響を効率的に軽減できる処理技術を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの表面を複数区域に分割し、分割された区域ごとに、特性低下要因の平均存在密度を特定する（Ｓ１２）。分割された区域ごとに、その区域内の平均存在密度に基づいて、予め用意されている複数種類のマスクパターンのなかから１種類のマスクパターンを選択する(Ｓ１５)。複数種類のマスクパターンは、複数の開口部を備えており、開口部が均一に分布しているとともに、種類によって開口比率が相違するという制約に従っており、平均存在密度が高いほど開口比率が高い種類のマスクパターンを選択する。分割された区域ごとに選択したマスクパターンの開口部から、異種物質を注入する（Ｓ２１）。 （もっと読む）

【課題】熱分解温度およびガラス転移温度が高く、且つ成形加工が可能なイソソルビド系ポリアミドを提供すること。
【解決手段】下記式（１）


（式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^４はそれぞれ独立に水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒは炭素数１〜１４の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基、炭素数１〜１４の直鎖状もしくは分岐状のアルケニレン基、炭素数３〜６のシクロアルキレン基、または２価の芳香族含有基を表す。）で表される繰り返し単位を含有することを特徴とするイソソルビド系ポリアミド。 （もっと読む）

【課題】生物の関節のように拮抗制御を行うことでフォークリフトの荷台を重力方向に対して目標とする一定姿勢に維持するとともにその高さを目標とする一定高さに維持する。
【解決手段】荷台１０の上部に高度制御用の拮抗チェーン１５ａ、１５ｂを設けるとともに、回転軸制御用の拮抗チェーン２０ａ，２０ｂを設ける。拮抗チェーン１５ａ，１５ｂはそれぞれ駆動モータ１８ａ，１８ｂで駆動され、拮抗チェーン２０ａ，２０ｂはそれぞれ駆動モータ２４ａ，２４ｂで駆動される。このメカニズムは、学習制御プロセスによって外力や振動等の環境変化に対応して拮抗チェーン１５ａ，１５ｂ，２０ａ，２０ｂを制御し、荷台１０の一定姿勢及び一定高さを維持する。 （もっと読む）

【課題】原料の混合処理に必要なエネルギー投入量が相対的に少なく、相対的に低温での加熱によりエネルギーガスが得られ、しかも、資源的にも十分な添加剤を用いることが可能なエネルギーガス製造方法及びエネルギー貯蔵材料を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えたエネルギーガス製造方法。（１）前記エネルギーガス製造方法は、炭素水素酸素含有化合物にギ酸Ｆｅ系添加物又はその水溶液を添加し、これらを混合する混合工程と、前記混合工程で得られた混合物を不活性雰囲気下で加熱する加熱工程とを備えている。（２）前記ギ酸Ｆｅ系添加物は、ギ酸とＦｅ基添加物との混合物、前記ギ酸と前記Ｆｅ基添加物との反応物、及び、ギ酸Ｆｅから選ばれるいずれか１以上である。上述の混合工程により得られるエネルギーガス貯蔵材料。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素を材料とするＳｉＣ半導体基板にオーミック接合するオーミック電極のコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】 オーミック電極は、鉄（Ｆｅ）を主成分とするＦｅ系電極層を含んでいる。Ｆｅ系電極層は、オーステナイトもしくはマルテンサイトを少なくともその一部に有しているため、カーボンを固溶して取り込むことができる。Ｆｅ系電極層が、オーミック電極のシンター処理工程における副生成物であるカーボンを取り込むことによって、カーボンがＳｉＣ半導体基板とオーミック電極との接合界面に堆積してＳｉＣ半導体基板とオーミック電極とのコンタクト抵抗が高くなることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ショットキーバリアハイトの低減とリーク電流の低減を両立する。
【解決手段】ショットキー電極４とＳｉＣとの界面にＳｉＯ_Xにて構成される界面層が形成されることなく、ショットキー電極４を構成する金属の各粒子がＳｉＣの表面において、原子配列が連続的となった格子整合した状態となるようにする。具体的には、ショットキー電極４を構成する金属の粒子構造が柱状構造ではなく粒状構造となるようにし、柱状構造となっている場合と比較して、粒子間の境界を通じて界面に酸素が取り込まれ難くなるようにすることで、ＳｉＯ_Xが形成されないようにしてショットキー電極４を構成する金属をＳｉＣと格子整合させる。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で給電コイルの抵抗損失の低減が可能な非接触給電設備を提供することである。
【解決手段】共通の交流電源１０から電力が供給され、強磁性体２８を有する移動体３に対して非接触で給電する給電ユニット部２５ａ，２５ｂ，２５ｃを備える非接触給電装置２において、給電ユニット部２５ａ，２５ｂ，２５ｃは、移動体３の強磁性体２８との間の距離に応じてインダクタンスの値が変化する給電コイル２０ａ，２０ｂ，２０ｃと、移動体３の強磁性体２８が給電コイル２０ａ，２０ｂ，２０ｃに近接したときのみに給電コイル２０ａ，２０ｂ，２０ｃとともに共振回路を形成する給電コンデンサ２１ａ，２１ｂ，２１ｃと、を有し、給電ユニット部２５ａ，２５ｂ，２５ｃは、移動体３の移動状態に応じて、いずれか１つの給電ユニット部のみが移動体３に給電するように、移動体３の走行路に沿って配置される。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクルに対する耐久性が高い半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体素子１０と、配線部１６及び絶縁基板１８の少なくとも一部とを接続するはんだ接合部１２を設ける。はんだ接合部１２は、配線部１６の一部が除去されている除去領域の表面に接合が存在し、除去領域に繋がる段差の側面に接合が存在しない構成とする。 （もっと読む）

【課題】不可逆容量をより低減することのできる非水電解液空気電池を提供する。
【解決手段】Ｆ型電気化学セル２０は、ケーシング２１に、正極２３と負極２５とがセパレータ２７を介して互いに対向してセットされ、非水電解液２８が正極２３と負極２５との間に注入されている。正極２３には酸素の酸化還元触媒として電解二酸化マンガン又はニトロキシルラジカルを有するラジカルポリマーなどが含まれている。また、非水電解液２８には所定元素における質量数のより大きい安定同位体を含むものである重質量数溶媒が含まれている。重質量数溶媒は、放電時に正極で発生すると考えられる酸素ラジカルに対して安定であるため、酸素ラジカルと非水溶媒との反応による非水電解液の分解などがより抑制されるなどして、不可逆容量をより低減することができる。 （もっと読む）

【課題】加速度検出装置において、出力信号に含まれる雑音成分を低減することを目的とする。
【解決手段】加速度検出装置は、自らに作用する加速度に応じて静電容量が変化する加速度検出用キャパシタＣ⁺およびＣ^-と、スイッチングされた電圧を加速度検出用キャパシタＣ⁺およびＣ^-のそれぞれに印加するスイッチング電圧印加手段とを備える。直流電圧源１２、充電切り換えスイッチＳＡ⁺、ＳＡ^-、ＳＢ⁺、ＳＢ^-、およびコントローラ１４は、スイッチング電圧印加手段として機能する。また、加速度検出用オペアンプ１６は、帰還スイッチＳｆおよび帰還キャパシタＣｆと共に帰還アンプ回路を構成し、加速度検出用キャパシタＣ⁺およびＣ^-の充電状態に応じた信号を出力する。加速度検出装置は、さらに、帰還アンプ回路から出力される信号に対しフィルタ処理を施す低域通過フィルタ２０を備える。 （もっと読む）