式（１ａ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むエネルギー貯蔵デバイス用電極。これにより、エネルギーレベルを高密度化することができる結果、デバイスの小型軽量化が可能なエネルギー貯蔵デバイス用電極を提供することができる。


（式中、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルコキシ基等を表し、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルコキシ基等を表し、Ｘ¹は、−ＮＨ−Ｒ⁵−ＮＨ−又は−ＮＨ−Ｒ⁶−を表し、Ｒ⁵及びＲ⁶は、それぞれ独立して、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）−等を表し、ｎは、少なくとも２以上の整数を表す。）。 （もっと読む）

優れた耐熱性を有し、電気化学的酸化還元電位を容易にコントロール可能で、また、化合物自体のバンドギャップが非常に狭く、更に強い蛍光発光特性を有する下記式（１ａ）で表されるアミノキノキサリン化合物及び該化合物を重合してなるポリアミノキノキサリン化合物を提供する。


（式中、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルコキシ基等を表し、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルコキシ基等を表し、Ｘ¹は、−ＮＨ−Ｒ⁵−ＮＨ₂又は−ＮＨ−Ｒ⁶を表す。） （もっと読む）

急性感染症、膠原病、慢性閉塞性肺疾患（ＣＯＰＤ）、慢性気管支炎、肺気腫、抹消気道病変、痛風、Ｃｕｓｈｉｎｇ症候群、骨髄繊維症、腫瘍性好中球増加症、真性赤血球増加症、ステロイド剤投与時などの病態の発症、進展の治療に有効な好中球増多抑制剤の提供。
式（Ｉ）で表される３（２Ｈ）−ピリダジノン化合物またはその薬理学的に許容される塩を含む好中球増多抑制剤。〔式中、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３はそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を、Ｘはハロゲン原子、シアノまたは水素原子を、Ｙはハロゲン原子、トリフルオロメチルまたは水素原子を、Ａは水酸基で置換されていてもよい炭素数１〜８のアルキレンを示す。〕
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【課題】フォトレジスト層とのインターミキシングが起こらず、スピンコート法によって形成することができる、半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいてにハードマスクとして使用できる下層膜を提供すること。
【解決手段】平均粒子径が１〜１０００ｎｍである金属窒化物粒子及び有機溶剤を含むことを特徴とする、半導体装置の製造に使用される下層膜形成組成物。当該金属窒化物粒子は、チタン、シリコン、タンタル、タングステン、セリウム、ゲルマニウム、ハフニウム、及びガリウムからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を含む。 （もっと読む）

【課題】 安定性に優れた結晶性ピタバスタチンカルシウム原薬製造方法を提供する。
【解決手段】 式（１）
【化１】


で表される化合物（ピタバスタチンカルシウム）を製造するに際し、水分を5〜15％に調節しすること及び結晶形を結晶形態Ａに制御することにより、安定性に優れた原薬を得た。 （もっと読む）

本発明は、コレステロール合成阻害剤、又は蛋白ゲラニルゲラニル化抑制剤を有効成分とするγ−セクレターゼ複合体形成阻害剤、及びそれを製造するためのコレステロール合成阻害剤、又は蛋白ゲラニルゲラニル化抑制剤の使用を提供する。また、本発明は、コレステロールの合成阻害活性を測定すること、又は細胞の脂質ラフトにおけるコレステロールの蓄積量を測定することからなるγ−セクレターゼの活性複合体の形成を阻害する作用を有する物質をスクリーニングする方法に関する。また、本発明は、γ−セクレターゼの活性複合体の形成を阻害する作用を測定することからなるコレステロール合成阻害剤、蛋白ゲラニルゲラニル化抑制剤、又はＨＭＧ−ＣｏＡ還元酵素阻害剤をスクリーニングする方法に関する。さらに、本発明は、細胞内におけるγ−セクレターゼが、その活性複合体を形成するに必要とされるニカストリン（nicastrin）、ＡＰＨ−１、Ｐｅｎ−２などの構成成分の細胞内における分布を測定することにより、被検物質のγ−セクレターゼに対する作用をスクリーニングする方法に関する。 （もっと読む）

基材上に改良された被膜を形成させる方法を提供しようとするものであり、特に、基材上に、１．２８〜１．３８の屈折率と９０〜１１５度の水接触角を示し、かつ当該基材の表面に密着して形成された被膜を提供する。
Ｓｉ（ＯＲ）₄で示される珪素化合物（Ａ）と、（Ｒ¹Ｏ）₃ＳｉＣＨ₂ＣＨ₂（ＣＦ₂）_nＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＲ¹）₃で示される珪素化合物（Ｂ）と、Ｒ²ＣＨ₂ＯＨで示されるアルコール（Ｃ）と、蓚酸（Ｄ）とを特定比率に含有する反応混合物を水の不存在下に５０〜１８０℃で加熱することにより、ポリシロキサンの溶液を生成させ、当該溶液を含有する塗布液を基材表面に塗布し、その塗膜を８０〜４５０℃で熱硬化させることにより当該基材表面に密着して形成され、１．２８〜１．３８の屈折率と９０〜１１５度の水接触角を示す被膜、その被膜の形成方法及びその塗布液の製造方法。 （もっと読む）

基材上に、１．２８〜１．４１の屈折率と９０〜１１５度の水接触角を示し、且つ、当該基材の表面に密着して形成された高硬度な被膜を提供する。
Ｓｉ（ＯＲ）₄で示される珪素化合物（Ａ）と、ＣＦ₃（ＣＦ₂）_nＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＲ¹）₃で示される珪素化合物（Ｂ）と、Ｈ₂ＮＣＯＮＨ（ＣＨ）_mＳｉ（ＯＲ²）₃で示される珪素化合物（Ｃ）と、Ｒ³ＣＨ₂ＯＨで示されるアルコール（Ｄ）と、蓚酸（Ｅ）とを特定比率に含有する反応混合物を形成させ、この反応混合物を、水の不存在下に４０〜１８０℃で加熱することによりポリシロキサンの溶液を生成させ、当該溶液を含有する塗布液を基材表面に塗布し、その塗膜を４０〜４５０℃で熱硬化させることにより当該基材表面に密着して形成され、１．２８〜１．４１の屈折率と９０〜１１５度の水接触角を示す被膜、その被膜の形成方法及びその塗布液の製造方法。 （もっと読む）

下記式［１］で示されるスルホオキシアルキルチオフェン化合物、及び式［２］で示されるヒドロキシアルキルチオフェン化合物。これらにより、酸化重合できる有用なπ共役系導電性高分子モノマーを提供することが出来る。


（式中、Ｒは水素原子、アルカリ金属原子又はアルカリ土類金属原子を表し、ｎは１〜３の整数を表す。）


（式中、ｎは、前記と同じ。） （もっと読む）

式（１）
【化１】


［式中、Ａｒ^１は、フェニル基、ピリジル基、フリル基または２，１，３−ベンゾオキサジアゾール−４−イル基を意味し、含窒素ヘテロ環部分は１，４−ジヒドロピリジン環またはピリジン環であり、Ｚは式（２）
【化２】


またはＣＯ_２Ｒ^２を意味し、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、それぞれ独立して、Ｃ_１−６アルキル基、ＡＮＲ^８Ｒ^９、ＣＨ_２ＯＡＮＲ^８Ｒ^９等を意味し、含窒素ヘテロ環が１，４−ジヒドロピリジン環を意味するとき、Ｒ^１は、Ｃ_１−６アルキル基、ＡＮＲ^８Ｒ^９、ＡＮ（ＣＨ_２ＣＨ_２）_２ＮＲ^８、ＡＮ（ＣＨ_２ＣＨ_２）_２Ｏ、ＡＯＲ^８またはベンジル基を意味し、Ｒ^３は水素原子、Ｃ_１−２０アルキル基、またはＡＮＲ^８Ｒ^９、
【化３】


で表される基を意味する。］で表される化合物、その医薬的に許容される塩またはそれらの溶媒和物であるＴ型カルシウムチャネル阻害剤。 （もっと読む）