【課題】反りの発生をより有効に回避できる、簡便な基板の製造方法およびその製造方法で得られる基板を提供すること。
【解決手段】（ａ）支持体上に膜形成用組成物を用いて第１層を形成する、または、支持体上に粘着層を設けることで第１層を形成する工程と、
（ｂ）前記第１層上にフィルムの貼合により、または、膜形成用組成物を用いて第２層を設ける工程と、
（ｃ）前記工程（ａ）、工程（ｂ）において膜形成用組成物を用いる場合には、前記第１層および／または前記第２層を硬化させる工程と、
（ｄ）前記第２層上に素子を形成する工程と、
（ｅ）素子が形成された積層体から支持体を取り除いて、少なくとも素子が形成された第２層を含む基板を得る工程と
をこの順で含み、
前記工程（ｃ）の後の前記第１層および／または第２層が、特定の構造単位を有するポリイミド前駆体に由来するポリイミドを含む、
基板の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】工程１：ポリシロキサン（Ａ）、光酸発生剤（Ｂ）および保護基を有するアミン（Ｃ）を含有するネガ型感光性組成物の被膜を基板上に形成する工程、工程２：前記被膜を選択的に露光し、露光された被膜を現像する工程、および工程３：現像後の被膜を加熱する工程を有することを特徴とするマイクロレンズの形成方法、および前記ネガ型感光性組成物。
【効果】本発明のマイクロレンズの形成方法によると、耐熱性に優れたマイクロレンズを形成することができる。本発明のネガ型感光性組成物は、前記マイクロレンズの形成方法の用いることができ、耐熱性に優れたマイクロレンズを形成する。 （もっと読む）

【課題】視野角が広く、液晶分子の応答速度が速く、表示特性に優れ、長期耐熱性に優れる液晶表示素子を製造するための方法を提供すること。
【解決手段】上記方法は、導電膜を有する一対の基板の該導電膜上に、それぞれ、（Ａ）ビシクロ［３．３．０］オクタン−２，４，６，８−テトラカルボン酸二無水物に代表される特定の脂環式テトラカルボン酸二無水物を含むテトラカルボン酸二無水物およびジアミンを反応させて得られるポリアミック酸ならびに該ポリアミック酸のイミド化重合体よりなる群から選択される少なくとも一種の重合体、ならびに（Ｂ）重合性不飽和結合を２個以上有する化合物を含有する重合体組成物を塗布して塗膜を形成し、前記塗膜を形成した一対の基板を、液晶分子の層を介して前記塗膜が相対するように対向配置して液晶セルを形成し、前記一対の基板の有する導電膜間に電圧を印加した状態で前記液晶セルに光照射する工程を経る方法である。 （もっと読む）

【課題】金属含有膜を用いる多層レジストプロセスにおいて、金属含有膜からの金属溶出を抑制することができるパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）被加工基板の上側に金属含有膜を形成する工程、（２）上記金属含有膜上に保護膜を形成する工程、（３）レジスト組成物を用い、上記保護膜上にレジスト膜を形成する工程、（４）フォトマスクを介した露光光の照射により、上記レジスト膜を露光する工程、（５）上記露光されたレジスト膜の現像により、レジストパターンを形成する工程、及び（６）上記レジストパターンをマスクとしたエッチングにより、被加工基板にパターンを形成する工程を有するパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】電圧保持率に優れ、コントラストの高い着色組成物を提供すること。
【解決手段】次の成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）；
（Ａ）シクロヘキサノンに対する溶解量が１重量％を超えて２０重量％未満である染料を含む着色剤、
（Ｂ）バインダー樹脂、及び
（Ｃ）架橋剤
を含有することを特徴とする着色組成物。
上記染料は、シクロヘキサノンに対する溶解量が１重量％を超えて２０重量％未満である限り特に限定されるものではないが、本発明においては、シクロヘキサノンに対する溶解度が好ましくは１重量％を超えて１５重量％以下、特に好ましくは３重量％以上８重量％以下である。また、上記染料はキサンテン系染料であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】感度等の基本性能に加えて、ナノエッジラフネス、解像度、パターン倒れ耐性、ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ Ｅｒｒｏｒ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａｃｔｏｒ）等に優れると共に、これらのバランスに優れるレジスト膜を形成するために用いられる化合物、それを用いて得られる重合体及びその重合体を含有するフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物である。
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【課題】低誘電体材料等の基板に与える影響を抑えつつ、エッチング工程を経た後のレジスト下層膜を容易に除去できるパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は（ａ）カリックスアレーン系化合物を含むレジスト下層膜形成用組成物を用い被加工基板の上面側にレジスト下層膜を形成する工程と、（ｂ）レジスト下層膜の上面側にレジストパターンを形成する工程と、（ｃ）レジストパターンをマスクとした少なくともレジスト下層膜及び被加工基板のエッチングにより被加工基板にパターンを形成する工程と、（ｄ）被加工基板上のレジスト下層膜を塩基性溶液で除去する工程とをこの順に有し、（ｄ）工程の前にレジスト下層膜を加熱又は酸処理する工程をさらに有し、カリックスアレーン系化合物の芳香環又はヘテロ芳香環の少なくとも一部に下記式（ｉ）で表される基が結合しているパターン形成方法である。
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【課題】本発明の目的は、液浸露光プロセスにおいて、露光時には大きい動的接触角を示すことにより、レジスト膜表面が優れた水切れ性を示し、現像時には動的接触角が大きく低下することにより、現像欠陥の発生が抑制されるレジスト膜を形成可能なフォトレジスト組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］酸解離性基を有する重合体、［Ｂ］下記式（１）で表される構造単位（Ｉ）を有し、フッ素原子を含む重合体、［Ｃ］酸発生体、及び［Ｄ］溶媒を含有するフォトレジスト組成物である。Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。但し、Ｒ^４とＲ^５とが互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に炭素数３〜２０の環構造を形成してもよい。
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【課題】液浸露光プロセスにおいて、露光時にはレジスト膜表面の優れた水切れ性を示すと共に、現像欠陥の発生を抑制できる新規な化合物、この化合物に由来する構造単位を有する重合体、この重合体を含有するフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物に由来する構造単位を有する重合体、さらに、［Ａ］酸解離性基を有する重合体、［Ｂ］当該重合体、［Ｃ］酸発生体及び［Ｄ］溶媒を含有するフォトレジスト組成物。式（１）中、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。但し、Ｒ^４及びＲ^５のうち少なくとも１つの基は、フッ素原子を有する。ｎは、１〜４の整数である。
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【課題】感度等の基本性能に加えて、ナノエッジラフネス、解像度、パターン倒れ耐性、ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ Ｅｒｒｏｒ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａｃｔｏｒ）に優れるレジスト膜を形成するために用いられる化合物、それを用いて得られる重合体及びその重合体を含有するフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物。


（式（１）中、Ｒ^１は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｒ^２は、単結合又は２価の連結基である。Ｍ^＋は、１価のカチオンである。）また、式（１）におけるＭ^＋の１価のカチオンは、例えば４−シクロヘキシルチオフェニル・ジフェニルスルホニウムのようなスルホニウム好ましい。 （もっと読む）