【課題】コネクタ、電子デバイス及びテストポイントがビアホールを介して配線で接続された配線回路におけるビアホールの断線を確実に診断すること。
【解決手段】基板面に実装されたコネクタ１１、電子デバイス１２及び電圧印加用のテストポイント１３がビアホール１６を介して配線で接続されて成る一配線回路が、多数形成された多層配線基板２０である。この基板２０は、一方の面にテストポイント１３が形成され、他方の面に電子デバイス１２が実装され、これらテストポイント１３及び電子デバイス１２がビアホール１６を介して配線２１，２２で接続され、コネクタ１１が電子デバイス１２と同一面に実装されて当該電子デバイス１２に配線２２で接続されて成る。 （もっと読む）

【課題】基板上に耐圧が異なる容量素子を共通の工程で形成する際に、基板上に残渣を残さないようにする。
【解決手段】基板１０の上に半導体不純物がドープされた第１ポリシリコン層４０を形成し、第１ポリシリコン層４０の上にＣＶＤ法により第１酸化膜４１を層状に堆積する（図２（ａ））。これにより、１回目の酸化で第１酸化膜４１を第１ポリシリコン層４０の粒界部に入り込ませないようにする。そして、第１酸化膜４１を第１ボトム膜２４にパターニングした後（図２（ｂ））、第１ポリシリコン層４０の上に第２酸化膜４２を形成する（図２（ｃ））。２回目の酸化は短時間で終わるので、第１ポリシリコン層４０の増速酸化が進行する前に第２酸化膜４２の形成が完了する。このため、第１ポリシリコン層４０をエッチングする際に第２酸化膜４２の一部がマスクとならないようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】リアクトルコイルから発せられた熱を効率的に放熱することができるリアクトル装置を提供すること。
【解決手段】リアクトルコア３１は磁性粉末の充填率が異なる第１コア部３１１と第２コア部３１２から構成される。また、第１コア部３１１はリアクトルケース３２を構成する端壁部３２２側に配置され、第２コア部３１２はリアクトルケース３２の端壁部３２２と１８０度反対側の反端壁部側に配置される。ここで、第１コア部３１１の磁性粉末の充填率は第２コア部３１２の磁性粉末の充填率より小さい。そのため、リアクトルコイル１５から発せられた熱は、磁性粉末の充填率が高い第２コア部３１２が配置されている方向へ伝導する。よって、リアクトルケース３２を構成する端壁部３２２と１８０度反対側の反端壁部方向に対して、リアクトルコイル１５から発せられた熱を積極的に放熱することができる。 （もっと読む）

【課題】スーパージャンクション構造を構成するためのトレンチの先端での不純物層の結晶欠陥を要因とする耐圧低下やリーク電流増加を抑制する。
【解決手段】スーパージャンクション構造を構成するためのトレンチ２ａの長手方向の両先端部をトレンチ１３によって除去し、絶縁部材１５を配置した構造とする。これにより、トレンチ２ａ内をｐ型領域３で埋め込む際にトレンチ２ａの長手方向の両先端部に形成される結晶欠陥が除去された状態となる。したがって、この結晶欠陥を通じたリーク電流の発生を抑制することが可能となり、結晶欠陥を要因とする耐圧低下やリーク電流増加を抑制できる半導体装置とすることができる。 （もっと読む）

【課題】必要な沿面距離を確保しつつ、半導体モジュールの小型化、つまり半導体モジュールの横幅（半導体チップが並べられる方向の幅）を縮小することを可能とし、さらに組み付け性を向上させる。
【解決手段】接続部材２０を吊リードとしても機能させる。これにより、吊リード３２の数を少なくできると共に、各制御端子１５ａ、１５ｂの間において、ヒートシンク１６ａとヒートシンク１６ｂに接続される吊リードを２つとも備えるような構造にしなくても済む。このため、各制御端子１５ａ、１５ｂから吊リードまでの沿面距離を確保でき、半導体モジュール１０の横幅、つまり半導体チップ１１ａ、１１ｂが並べられる方向の幅を縮小させられ、半導体モジュール１０の小型化が可能となる。また、接続部材２０をリードフレーム３０の一部によって構成できるため、特異な手段で固定する必要がなくなり、組付け性を向上させることも可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の耐圧特性を向上することを課題とする。
【解決手段】半導体装置１００は、セルエリア１０５を取囲む終端エリア１０７を備えている。セルエリア１０５には、メイントレンチ１１３が形成されている。終端エリア１０７には、セルエリア１０５を取囲む終端トレンチ１６１〜１６３が形成されている。終端トレンチ１６１は、終端トレンチの最内周側に位置している。ドリフト領域１１２の表面には、ボディ領域１４１が積層されている。メイントレンチ１１３はドリフト領域１１２に達すると共に、その内部にゲート電極１２２が形成されている。終端トレンチ１６１は、ドリフト領域１１２に達している。終端トレンチ１６１の側壁および底面は酸化膜１７１で被覆されている。終端トレンチ１６１の底面を被覆する酸化膜１７１の表面は、埋め込み電極１２４で被覆されている。ゲート電圧が埋め込み電極１２４に印加されている。 （もっと読む）

【課題】保水チャンバ内に水が浸入し難くすることができ、かつ保水チャンバ内に溜まった水を容易に排水することができる内燃機関用点火コイルを提供すること。
【解決手段】内燃機関用点火コイル１は、筒部２と頭部４とを備えている。頭部４の側面には、シールラバー６を介してプラグホールの内部と外部とを連通する換気通路の一部を形成する柱部４４と、柱部４４を覆うカバー部５とが設けられている。カバー部５は、柱部４４の上方及び周方向を覆う周壁部５５と、周壁部５５の下方を塞ぐ下壁部５１と、周壁部５５と下壁部５１とによって囲まれて形成される空間である保水チャンバ５０と、下壁部５１に設けられた連絡穴５２とを有している。下壁部５１の下方端面は、周壁部５５の下方端面よりも上方に位置している。 （もっと読む）

【課題】ダイオード内蔵ＩＧＢＴを備えた半導体装置において、ダイオード素子とＩＧＢＴ素子のゲート信号との干渉を回避してダイオードの順方向損失増加を防止する。
【解決手段】メイン用のダイオード素子２２ａに流れる電流を電流検出用のダイオードセンス素子２２ｂおよびセンス抵抗３０にて検出する。他方、フィードバック回路部４０にてセンス抵抗３０の両端の電位差Ｖｓがモニタされると共に、当該電位差Ｖｓに基づいてダイオード素子２２ａに電流が流れているか否かが判定される。そして、ダイオード素子２２ａに電流が流れていると判定された場合、フィードバック回路部４０からＩＧＢＴ素子２１ａの駆動を停止させる停止信号がＡＮＤ回路１０に入力され、ＡＮＤ回路１０にてＩＧＢＴ素子２１ａの駆動が停止される。 （もっと読む）

【課題】全ティース３を連結する連結バー６に流れる磁束を低減する、あるいは、連結バー６に磁束が流れない様にすることでトルクリップルを低減する。
【解決手段】全ティース３を環状に連結する連結バー６は、スロット４を半径方向に第１のスロット空間４ａと第２のスロット空間４ｂとに分割し、第１のスロット空間４ａと第２のスロット空間４ｂとが等面積となる位置に設けられている。第１、第２のスロット空間４ａ、４ｂには、それぞれ同一断面積のコイル線が収容され、且つ、同じ大きさの電流を同一方向に流すことにより、同一アンペアターンの磁界Ｈ１、Ｈ２が発生する。この場合、連結バー６では、磁界Ｈ１、Ｈ２が互いに打ち消し合う方向に作用するため、連結バー６に磁束が流れることはなく磁気飽和が起きないので、回転子の回転時にトルクリップルやコギングトルクの発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ピエゾアクチュエータ駆動装置から発生するノイズを低減する
【解決手段】ピエゾアクチュエータ駆動装置１では、ノイズ伝搬防止スイッチ制御部１９は、充放電制御部１７が充放電制御を実行しているときにおいて、電流検出部１６がピエゾ電流を検出している場合に、ノイズ伝搬防止スイッチ１８をオンし、電流検出部１６がピエゾ電流を検出していない場合に、ノイズ伝搬防止スイッチ１８をオフする。これにより、フライホイール電流がゼロになっている間において、ダイオードＤａまたダイオードＤｂと、充放電用コイル１１と、ピエゾアクチュエータ５０とで構成される共振回路の電流経路をノイズ伝搬防止スイッチ１８で遮断することができ、上記共振回路に起因したノイズの発生を抑制することができる。 （もっと読む）