説明

株式会社日立製作所により出願された特許

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【課題】ユーザ端末がWEBシステムにログイン中に予測できないシステム障害が発生しても、第3者によるWEBシステムの不正操作を防止する。
【解決手段】WEBサーバ102は、端末からのセッション情報と記憶部の当該端末のログイン情報が同一の場合、端末情報と認証情報を含む認証要求をアプリケーションサーバ103に送信し、アプリケーションサーバ103からの認証結果がエラーやログイン中であることを示す場合には、この旨を端末に送信し、アプリケーションサーバ103は、WEBサーバ102から認証要求を受信し、認証情報をデータベースサーバ104で保持している場合に、認証情報と端末情報を用いて排他キー情報を生成し、その排他キー情報をデータベースサーバ104で保持している場合に、認証結果としてエラーやログイン中であることを示す情報をWEBサーバ102に送信する。 (もっと読む)


【課題】配置を段階的に確定していくレイアウト設計において、設計制約を満たすような配置の意志決定を効率的に支援すること。
【解決手段】設計支援装置1は、設計データ11を構成する各機器に対して、レイアウトデータと確定度とを対応づけて記憶手段に格納する設計データ入力部21と、設計データ11の各機器について、機器間でのレイアウトデータの衝突を検出する設計衝突検出部24と、設計衝突検出部24により衝突が検出された機器群について、対応づけられている確定度が低い順に機器を選択し、その選択した機器を他の機器を回避するように移動させることにより、設計データ11のレイアウトデータを変更する設計調整部25と、を有する。 (もっと読む)


【課題】プールに内部ボリュームと外部ボリュームとが割り当てられている場合に、内部ボリュームに関連するストレージシステム内部の記憶領域を効率的に利用する。
【解決手段】
内部ボリュームと外部ボリュームとが割り当てられるプールを管理し、書き込み要求を受領した場合にプール内の1以上の実ページが割り当られる仮想ボリュームを提供するコントローラを有するストレージシステムであって、プールの記憶容量を減少させる場合に、内部ボリュームに優先して外部ボリュームのプールへの割り当てを解除する、ことを特徴とするストレージシステム。 (もっと読む)


【課題】
本発明の実施例によると、固体メモリ(例えばフラッシュメモリ)を拡張キャッシュ領域として利用するストレージシステムにおける負荷分散の方法を提供する。
【解決手段】
本発明の一例によると、システムは第一ストレージシステムと第二ストレージシステムを有する。第一ストレージシステムは第一ストレージシステムにおける処理の負荷に基づき、作業モードを第一モードから第二モードに変更する。第一モードにおいて、第一ストレージシステムの処理の負荷は第一ストレージシステムによって実行される。第二モードにおいて、第一ストレージシステムの処理の負荷は第一ストレージシステムと第二ストレージシステムによって実行される。 (もっと読む)


【課題】高温保存時のガス発生抑制の抑制と、電池性能の低下の抑制を図る。
【解決手段】下記(式1)で示される重合体を含むリチウム二次電池正極活物質用被覆材。(式1)において、nは1以上10以下である。xはスルホニル基を含む繰り返し単位の繰り返し単位数である。
【化1】


また、リチウム二次電池正極活物質用被覆材を含むリチウム二次電池正極活物質であって、前記リチウム二次電池正極活物質の表面に形成されているリチウム二次電池正極活物質。また、上記リチウム二次電池正極活物質を含むリチウム二次電池であって、重合体が、リチウム二次電池正極活物質に対して、0.001wt%以上10wt%以下であるリチウム二次電池。 (もっと読む)


【課題】
短いチャネル長の酸化物半導体装置およびそれを低コストで実現することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物半導体装置において、チャネルとなる酸化物半導体層CHと、第1方向に、酸化物半導体層CHを介して延伸する第1の電極層(ソース又はドレイン)LEおよび第2の電極層(ドレイン又はソース)UEと、第1方向と交差する第2方向に延伸し、酸化物半導体層CHと基板SUに垂直な方向においてゲート絶縁層GIを介して重なるゲート電極層GEとを有し、酸化物半導体層CHの膜厚がそのチャネル長となる。 (もっと読む)


【課題】 4h-SiC半導体素子のオン状態の抵抗低減とスイッチング速度向上実現する。
【解決手段】 (0001)面4h-SiC半導体素子のチャネル領域周囲に対してトレンチ溝を設け、シリコン酸化膜を埋め込む。トレンチ溝の酸化膜を、c軸方向へは引っ張り応力が加わり、c軸に垂直な平面上の二つ以上の軸からの圧縮応力が加わるように、平面レイアウトする。例えば、酸化膜で埋め込まれたトレンチ溝を、チャネルを囲む多角形としたり、離散的に配置する場合、チャネルを中心に対称的に配置するレイアウトでもよい。 (もっと読む)


【課題】
半導体素子と基板がはんだで接合され、樹脂でモールドされる半導体装置の信頼性を高めることを目的とする。
【解決手段】
はんだ材106に易揮発金属(Zn、Mg、Sb)を含むはんだを用い、半導体素子104とリードフレーム102を接合し、ワイヤボンディングを実施した後、真空加熱処理を加え、はんだ中の易揮発金属を揮発させ、基板表面に付着してリードフレームとの合金103を形成させることで、基板表面を粗化し、封止樹脂101と基板の密着力を向上させる。 (もっと読む)


【課題】軽量、高放熱効率、高剛性のパワー半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース1と、ベース1に配設される半導体回路2と、半導体回路2を冷却する冷却フィン3と、を備えるパワー半導体装置であって、ベース1には1つ以上の凸部1a,1bが形成され、凸部1a,1bにおける、ベース1表面に平行な方向の幅が、ベース1の厚さよりも長くなっていることにより、軽量、高放熱効率、高剛性のパワー半導体装置100,200,300,400を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】高耐圧、低逆方向リーク電流特性を有する二次元電子ガスを導電層とした性能の高い窒化物半導体ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物半導体積層膜の上面に塩素ガスを用いたドライエッチングにより形成した凹部6の底面および側面部に対して、所望の不純物を拡散させる、または所望の不純物を添加した窒化物半導体を再成長することにより、アノード電極7が接触する窒化物半導体積層膜の側面部を高抵抗化させ、逆方向リーク電流を低減する。 (もっと読む)


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