【課題】従来と同等の耐熱性と絶縁被覆厚さとを有しながら、従来よりも高い部分放電開始電圧を有する絶縁電線を提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁電線は、少なくとも１つの押出被覆層を含む複数の被覆層からなる絶縁被覆が導体上に形成されている絶縁電線であって、前記少なくとも１つの押出被覆層は、ポリフェニレンサルファイド樹脂(A)とオレフィン系共重合樹脂(B)とを含む樹脂組成物を押出被覆した層であり、前記樹脂組成物は、前記ポリフェニレンサルファイド樹脂(A)と前記オレフィン系共重合樹脂(B)とが、重量部比で「(B)/(A) ＝ 45/55 〜 70/30」の範囲で混和されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置用テープキャリアにおけるバンプ高さの全数検査を、実用的な作業能率を以て行うことを可能とするバンプ高さ計測工程を含んだ半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体装置用テープキャリアの製造方法は、絶縁性フィルム基材３の表面上に、少なくとも配線パターン１を形成する工程と、バンプ２を形成する工程とを含んだ半導体装置用テープキャリア５の製造方法であって、バンプ２の形成後、半導体装置用テープキャリア５の表面上におけるバンプ２を含んだ所定の計測対象領域４に参照光１１ａを照射し、その参照光１１ａを計測対象領域４におけるバンプ２を含んだ半導体装置用テープキャリア５の表面上で反射させて得られる反射光１１ｂを検出し、その反射光１１ｂの位相がバンプ２のバンプ高さｈに対応して変化することによって生じる位相変位量に基づいて、バンプ２のバンプ高さｈを計測する工程を、さらに含んでいる。 （もっと読む）

【課題】故障復旧時及びポートの手動切替え時にフレームのロスが発生しないスイッチングハブ、ラインカード、及びフレーム中継方法を提供する。
【解決手段】スイッチングハブ１は、受信ポート及び送信ポートからなるポートと、分散ＩＤ計算部３００と、第１振り分けテーブル３３０と、第２振り分けテーブル３３５と、第１テーブル識別情報又は第２テーブル識別情報をフレームに付加する振り分けテーブル識別情報付加部と、フレームに第１テーブル識別情報が付加されているとき、第１振り分けテーブルを参照し、フレームに第２テーブルが付加されているとき、第２振り分けテーブルを参照し、第１振り分けテーブル又は第２振り分けテーブルから分散ＩＤに対応づけて格納しているポートＩＤを取得する送信側振り分けテーブルアクセス部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁部材を保持する保持用治具を別途設けなくても、挿入側の接合端子の挿抜性の低下を少なくすると共に、例え、絶縁部材が固定される被挿入側の接合端子が変形しても、挿入側の接合端子における最低限の挿入性を確保する接続構造を提供する。
【解決手段】第１接合端子４ａ〜４ｃのそれぞれは、他面側に隣接して配置される絶縁部材８ａ〜８ｃと一体的に固定され、第１ターミナルハウジング５と第２ターミナルハウジング７とが嵌合していない状態において、接合端子対のそれぞれを挟むように対面する絶縁部材８ａ，８ｂ（又は８ｂ，８ｃ、又は８ｃ，８ｄ）の対向面間には、該対向面間に配置される第１接合端子４ａ（又は４ｂ、又は４ｃ）が変形しても、該第１接合端子４ａ（又は４ｂ、又は４ｃ）と対となる第２接合端子６ａ（又は６ｂ、又は６ｃ）の最低限の挿入性を確保すべく、対向面間に所定の隙間を維持する隙間維持手段が設けられるものである。 （もっと読む）

【課題】反応炉内に分解付着物が生成しないような構造とすることにより基板上への異物の付着を抑制し、分解付着物の再蒸発によるエピタキシャル薄膜の劣化を抑制でき、かつ反応炉内の分解付着物を取り除くためのメンテナンス回数を削減可能な構造の化合物半導体エピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】基板１３を収容した反応炉１１内に、Ｖ族元素を含む原料を供給して、基板１３上に気相エピタキシャル成長させる化合物半導体エピタキシャル成長装置１０において、Ｖ族元素を含む原料が分解し、反応炉１１内でその分解付着物が付着する付着部分１７の上流側に水素ラジカルを過剰に含むガスを流すための水素ラジカル供給手段３６を接続した。 （もっと読む）

【課題】クマゼミ対策として有効であり、引裂き性が良好であると共に耐候性に優れた光ドロップケーブルを提供すること。
【解決手段】光ファイバ心線１を保護被覆層３により被覆してなる光ドロップケーブルにおいて、保護被覆層３に、シフルトリン、ビフェントリン、フェンプロパトリン、フェノキシベンジルエーテルの何れかのピレスロイド系化合物もしくはピレスロイド様化合物からなる昆虫忌避剤を塗布もしくは含有させてなる、光ドロップケーブル。 （もっと読む）

【課題】放熱板の厚さ方向の熱伝導率を高くし、かつ、放熱板の厚さ方向における放熱特性を放熱板の部分によらず均一に維持することができ、さらに、Ｉｎｖａｒ比が大きく、板面方向の熱膨張係数が低い放熱板を実現できるディンプル板およびその製造方法、並びに放熱板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】平板５の表面に、平板５の長手方向と幅方向に所定のピッチで形成された複数のディンプル２を有するディンプル板１において、ディンプル２の幅方向のピッチが０．５ｍｍ以下であり、平板５の表面積に対して、ディンプル２の底部にて平板５を貫通する空孔３が形成されている領域の面積の割合が１５％以下である。 （もっと読む）

【課題】冷媒液の空洞部への流入を阻害することなく、核沸騰を促進させ、伝熱性能を向上させることのできる伝熱面形状を有する沸騰用伝熱管及びその製造方法を提供する。
【解決手段】沸騰用伝熱管１は、断面円環状の管本体１０と、管本体１０の外表面１３に螺旋状又は環状に形成され、管本体１０の軸方向に所定の間隔で配置されるフィン部１４と、を備え、フィン部１４は、管本体１０の外表面１３から径方向外側へ延びるフィン本体２０と、フィン本体２０の径方向先端から軸方向一方へ延び、軸方向一方に隣接するフィン本体２０との間に第１空隙３１を形成し、外表面１３及び隣接する２つのフィン本体２０とともに空洞部３０を形成する延在部２１と、空洞部３０の内部をフィン本体２０の径方向中央から軸方向他方へ延び、軸方向他方に隣接するフィン本体２０との間に第２空隙３２を形成する補助フィンと、を有する。 （もっと読む）

【課題】 デバイスホールに突出するように設けられるフライングリードに寸法誤差や形状歪みや変形が発生することを抑制ないしは解消したプリント配線板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性基材１の表面に、配線２と、デバイスホール４と、前記配線２に連なると共に前記デバイスホール４に突出するように設けられたフライングリード３とを有するプリント配線板であって、前記デバイスホール４が、少なくとも前記フライングリード３の先端を含むように設けられた第１のデバイスホール５（５ａ、５ｂ、５ｃ）と、当該第１のデバイスホール５よりも大きな面積を有し、かつ当該第１のデバイスホール５に対して少なくとも部分的に連続するように設けられた第２のデバイスホール６とからなるものである。 （もっと読む）

【課題】段差などの乱れが少ない平坦な劈開面が得られるIII族窒化物半導体基板及びそ
の製造方法を提供する。
【解決手段】直径２５ｍｍ以上、厚さ２５０μｍ以上のIII族窒化物半導体基板であって
、前記III族窒化物半導体基板の外縁から５ｍｍ以内の外周部における少なくとも前記外
縁側の部分は、前記III族窒化物半導体基板の主面内の応力が引張応力であり、且つ前記III族窒化物半導体基板の前記外縁側の部分よりも中心側の部分に比べて相対的に引張応力が大きくなっている。 （もっと読む）