説明

日立電線株式会社により出願された特許

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【課題】第1接合端子及び第2接合端子の変形を抑制することができる接続構造を提供する。
【解決手段】積層状態となるように配置された複数の第1接合端子4a〜4cと複数の第2接合端子6a〜6cと複数の絶縁部材8a〜8dとを、積層方向の上下から挟むように設けられ、隣接する絶縁部材8a又は8bを押圧することで、複数の第1接合端子4a〜4c及び複数の第2接合端子6a〜6cを各接点にて一括して固定し電気的に接続させる2つの接続部材9と、2つの接続部材9のそれぞれを同期させて押圧する同期部材47とを備えるものである。 (もっと読む)


【課題】半導体素子搭載時の加熱による外部接続端子の累積ピッチの変化が小さく、外部機器との接続性を向上させることができると共に、導電性異物の発生を抑制することができ、また、電気信号を取り扱う配線パターンにおいてその信号に対して不適切な挙動が起きないようにこれを抑制することができる、半導体装置用テープキャリア及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】基材2上に微細な配線パターン3を形成してなると共に搭載すべき半導体素子4を位置させるためのデバイスホールを有しない構造の半導体装置用テープキャリアであって、配線パターン3は、その一端に半導体素子4の電極端子16と接続される内部接続端子6を有し、他端に外部機器と接続される外部接続端子7a,7bを有する配線5を備えており、基材2の裏面に、外部機器を構成すると共に外部接続端子7a,7bと接続される配線5を備えた配線基板と同等の熱膨張係数を有する非導電性部材11が設けられている、半導体装置用テープキャリア。 (もっと読む)


【課題】段差などの乱れが少ない平坦な劈開面が得られるIII族窒化物半導体基板及びそ
の製造方法を提供する。
【解決手段】直径25mm以上、厚さ250μm以上のIII族窒化物半導体基板であって
、前記III族窒化物半導体基板の外縁から5mm以内の外周部における少なくとも前記外
縁側の部分は、前記III族窒化物半導体基板の主面内の応力が引張応力であり、且つ前記III族窒化物半導体基板の前記外縁側の部分よりも中心側の部分に比べて相対的に引張応力が大きくなっている。 (もっと読む)


【課題】接続端子がターミナルハウジングに対して垂れ下がっても、対となる接続端子をスムーズに挿入し易い車両用接続構造を提供する。
【解決手段】複数の第1接続端子4a〜4cのそれぞれに固定された絶縁プレート8a〜8cのそれぞれは、固定対象の第1接続端子4a〜4cが第1ターミナルハウジング5に対して垂れ下がっているときに、固定対象の第1接続端子4a〜4cと対面するように挿入される第2接続端子と接触し、第1ターミナルハウジング5に対して垂れ下がっている固定対象の第1接続端子4a〜4cを押し上げるべく、挿入される第2接続端子と対面する側の絶縁プレート8a〜8cの先端側の角部43が面取りされているものである。 (もっと読む)


【課題】シンプルな構成であり、従来の太陽電池モジュールと同等以上の長期信頼性を発揮し、薄型化に対応した太陽電池モジュール、及び太陽電池モジュール用配線基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る太陽電池モジュール3は、受光面14aと、受光面14aの反対の面と、当該反対の面に設けられる電極配線とを有する太陽電池セル1と、電極配線に電気的に接続すると共に、18μm以上75μm以下の厚さを有し、表面、裏面、及び側面が被覆材26bで被覆される導体配線パターンと、太陽電池セル1と導体配線パターンとを封止する封止部36とを備える。 (もっと読む)


【課題】ラック内の電子機器で発生する熱を効率よく除去して、空調機での消費エネルギーの低減を図ることが可能なデータセンタを提供する。
【解決手段】ラック列15の背面R同士を間隔をおいて向かい合わせて床面14上に配置し、ラック列15の左右方向の端部側にパネルを設けると共に、両ラック列15の前縁上部にパーティション23を設けて、空調室13内にホットゾーン24を区画し、ホットゾーン24内の天井20に、ホットゾーン24内の空気を排気する排気口26を少なくとも1つ形成する。そして、空調機51のファン54には、各温度センサ69a、69bが計測する温度差に基づいて、空調室13とホットゾーン24間の温度差を目標とする値に一致させるように、ファン54の回転数を制御する回転数制御装置63cが設けられる。 (もっと読む)


【課題】基板との剥離および電流リークが起こりにくい非鉛の大面積圧電体薄膜を有する圧電体薄膜付き基板を作製する。
【解決手段】基板上に下部電極を形成する工程と、上記下部電極上に組成式(K1−xNa)NbOで表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜を形成する工程を備え、上記圧電体薄膜を形成する工程は、ArおよびO雰囲気下で行われるスパッタ法により、チャンバー内ガス圧力を0.3以上1.8Pa以下、かつO/Arガス混合比を0.002以上、かつ酸素分圧を3.0×10−3Pa以上として成膜する。 (もっと読む)


【課題】
光ファイバを用いた光配線をプラグ本体に固定する際に、当該光配線を捩じれが加わらないように固定可能な固定手段を備えた光モジュールの提供を可能とすることを目的とする。
【解決手段】
本体部18と、本体部18に設けられた基板19と、少なくとも光ファイバを有し、基板19に接続される光配線20と、本体部18に設けられ、基板19から延びた光配線20を挟持するための挟持部12と、を有し、挟持部12は、第1挟持片13と、第1挟持片13の端部が挿入される挿入口16が形成された第2挟持片14と、からなり、挿入口16に第1挟持片13の先端部を挿入して、第1挟持片13及び第2挟持片14を締結することにより、第1挟持片13及び第2挟持片14が光配線20を両側から対称な力で挟持することを特徴とする光モジュール11。 (もっと読む)


【課題】動作電圧の増加を抑制することのできる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子1は、第1導電型の第1半導体層と、第1導電型とは異なる第2導電型の第2半導体層と、第1半導体層と第2半導体層とに挟まれる発光層105とを有する半導体積層構造10と、半導体積層構造10の一方の面側に設けられ、発光層105が発する光を反射し、アルミニウムを含む反射層132と、半導体積層構造10と反射層132との間の一部に設けられ、半導体積層構造10と反射層132とを電気的に接続し、反射層132に接触する側にバリア層124を有する界面電極120とを備える。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング法による配線膜形成において、スパッタリングによる異常放電を抑制しつつ、高速成膜を実現することを可能としたスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット材は、4N(99.99%)以上の無酸素銅に銀を添加した銅合金からなる。銀は、形成される膜の抵抗率が無酸素銅の抵抗率と同等に得られるように微量に添加される。銀の添加量としては、200〜2000ppmの範囲が好適である。 (もっと読む)


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