説明

日立電線株式会社により出願された特許

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【課題】高臨界電流密度(Jc)を有し、圧縮に対する超電導特性(臨界電流密度の劣化率)の低下を抑制することができるNbSn超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】NbSn超電導線材は、Cu又はCu合金からなるCu管5と、Cu管5内に配置され、Nb又はNb合金からなるNb芯材21を有する複数のNb素線20、及びSn又はSn合金からなるSn芯材24を有する複数のSn素線23を含む複数のフィラメント集合体2と、Cu管2内に配置され、フィラメント集合体2同士が隣接しないようにフィラメント集合体2を分割する複数のTa素線(補強用素線)30と、を備えたNbSn超電導前駆体線材1に、熱処理を施すことによりNb芯材21にSn芯材23中のSnが拡散してNbSnを生成してなる。 (もっと読む)


【課題】シースを形成する際のシールド線のずれを抑制することが可能なシールドケーブルを提供する。
【解決手段】シールドケーブル1は、内部導体11、及び内部導体11の外周側に設けられた絶縁体12を有する絶縁電線10と、絶縁電線10の外周に第1〜第4のシールド線21〜24を螺旋状に巻き回して形成されたシールド層20と、絶縁電線10及びシールド層20の外周側を覆うように形成されたシース30とを備え、絶縁体12の外周面12aに、第1〜第4のシールド線21〜24の絶縁体12に対する移動を抑制する凹凸を形成する凹凸形成処理が施されている。 (もっと読む)


【課題】組み立てが容易で、かつ放射特性に与える影響が抑制された構造により組み立てを行うことが可能なアンテナ装置を提供する。
【解決手段】第1のアンテナ装置1は、導電性を有するベース板50に固定される樹脂からなる支持部材10と、支持部材10にインサート成型されたアンテナ素子11とを備え、支持部材10は、アンテナ素子11を支持する支持部100と、ベース板50に形成された貫通孔50cを支持部100が配置される表面50a側から裏面50b側に挿通する軸部101と、軸部101の一端に形成され、ベース板50の裏面50b側に係合して軸部101の表面50a側への移動を規制する係合部102とを一体に有する。 (もっと読む)


【課題】ケース内で光ファイバの曲げ半径を大きくすることができる光電変換モジュール付きケーブルを提供する。
【解決手段】ファイバリボン46は、光電変換素子を囲むように外側ケース内を延びる環状部70を有する。光電変換素子の両側に位置する内側ケースの側壁と外側ケースの側壁の間に、環状部が挿通される光ファイバ挿通用空間が設けられている。また、内側ケースの側壁に、光ファイバ挿通用空間と内側ケースの内側を繋ぎ、環状部が挿通される挿通孔が設けられている。 (もっと読む)


【課題】層間接続部における電気抵抗が低減され、大電流用途に適用可能とする。
【解決手段】絶縁性フィルム10と、絶縁性フィルム10の両面にそれぞれ形成された第1金属層21及び第2金属層42と、絶縁性フィルム10及び第1金属層21を貫通するビアホール30と、ビアホール30内に形成され、第1金属層21と第2金属層42とを電気的に接続する層間接続部50vと、を有し、第1金属層21の厚さは0.08mm以上であり、ビアホール30の直径は0.1mm以上であり、層間接続部50vは、ビアホール30内を満たすようビアホール30内に充填されるメッキ部50からなる。 (もっと読む)


【課題】素子作製時の裏面チッピングを抑制する。
【解決手段】半導体発光素子用ウエハを切削して素子化する半導体発光素子の製造方法において、前記半導体発光素子用ウエハは、半導体積層部と、前記半導体積層部の第一主面側に設けられる第一電極と、前記半導体積層部の第二主面側に設けられる金属層と、前記金属層の前記半導体積層部とは反対側に設けられる支持基板と、前記支持基板の前記金属層とは反対側に設けられる第二電極とを備え、前記半導体発光素子用ウエハの切削は、前記半導体発光素子用ウエハの第一方向及び該第一方向と直交する第二方向の複数の切削ラインに沿って、前記半導体発光素子用ウエハを前記支持基板の途中の深さまで切削して前記半導体発光素子用ウエハに格子状のハーフカット溝を形成する第一切削工程と、前記支持基板を完全に切断し溝の深さが前記半導体発光素子用ウエハに貼り付けたダイシングシートにまで達するように前記ハーフカット溝を更に切削する第二切削工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】十分な長さの保持溝を確保できない場合であっても、基板に対する光ファイバの十分な接続強度を確保することができる光電変換モジュールを提供する。
【解決手段】光電変換モジュール1は、基板10と、基板10に実装された光電変換素子12及びIC(集積回路)チップ14と、基板10に設けられた保持溝20に固定され、光電変換素子12と光学的に結合される光ファイバ22と、基板10に第1接着剤26を用いて固定され、光ファイバ22を押える光ファイバ押さえ部材24と、光ファイバ22の軸線方向にて基板10の端から突出し、基板10から延出する光ファイバ22の延出部が第2接着剤32を用いて接着される光ファイバ接着用部材30と、を備える。 (もっと読む)


【課題】強度、導電性及び耐熱性の要求特性を満足し、かつ異方性を小さくする。
【解決手段】Fe2.1重量%以上2.6重量%以下、P0.015重量%以上0.15重量%以下、Zn0.05重量%以上0.2重量%以下を含有し、残部がCuと不可避的不純物からなる銅合金の鋳塊を、熱間圧延、第一の冷間圧延、第一の熱処理、第二の熱処理、及び第三の冷間圧延して所望の板厚まで加工する銅合金の製造工程において、前記第二熱処理の条件を420℃以上450℃以下で10時間以上30時間以下とし、前記第三の冷間圧延の加工度を60%以下とする。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、リードフレーム等に用いられるCDA Alloy194の強度、導電性、耐熱性の要求特性を満足し、かつ、製造方法をより短縮できる電気・電子部品用銅合金の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、質量で、Fe1.8〜2.6%、P0.01〜0.15%、Zn0.005〜0.2%を含有し、残部がCuと不可避的不純物からなる鋳塊を熱間圧延後、第一の冷間圧延、第一の熱処理、第二の冷間圧延、第二の熱処理、第三の冷間圧延及び第三の熱処理の工程を順次経て所望の板厚まで加工し、第ニの熱処理における第一の焼鈍を650〜750℃の温度範囲に含まれる温度T℃で下式にて導かれる時間tに1〜5を乗じた時間t分で焼鈍し、第三の冷間圧延の加工度を70〜85%とする。
t1=(T+273)/{1.2×1014*exp(−25632/(T+273))} (もっと読む)


【課題】意図しない不純物の混入を抑制した金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置、及び窒化物半導体テンプレートを提供する。
【解決手段】金属塩化物ガス発生装置としてのHVPE装置1は、Ga(金属)7aを収容するタンク(収容部)7を上流側に有し、成長用の基板11が配置される成長部3bを下流側に有する筒状の反応炉2と、ガス導入口64aを有する上流側端部64からタンク7を経由して成長部3bに至るように配置され、上流側端部64からガスを導入してタンク7に供給し、ガスとタンク7内のGaとが反応して生成された金属塩化物ガスを成長部3bに供給する透光性のガス導入管60と、反応炉2内に配置され、ガス導入管60の上流側端部64を成長部3bから熱的に遮断する熱遮蔽板9A、9Bとを備え、ガス導入管60は、上流側端部64と熱遮蔽板9Bとの間で屈曲された構造を有する。 (もっと読む)


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