【課題】成長後にあえて粗面化処理を行うことなく、既にウェハの段階で、凹凸に荒らされた最表面を持つ発光ダイオード用エピタキシャルウェハを提供すること。
【解決手段】導電性の基板１上に、ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型クラッド層４及びＡｌＧａＡｓもしくはＡｌＧａＩｎＰからなる電流分散層５を積層したダブルへテロ構造を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハにおいて、最表面の電流分散層５の成長中にＶ族ガスの供給を一定の間隔で入れたり、切ったりすることで、最表面の電流分散層５に故意に凸凹５ａを設ける。 （もっと読む）

【課題】 タイヤの固体部分に生じている歪みを直接検出し、かつ回転系非回転系間の電力・信号伝達が不要なタイヤ歪み検出用センサシステムを提供する。
【解決手段】 歪みに応じて反射波長が変化するＦＢＧを形成した光ファイバ１をタイヤ２の内層３に埋め込み、この光ファイバ１とタイヤ外部との間で光伝送を行うためのカプラ４をタイヤ２の側部に設けた。タイヤ２の内層３の変形に応じてＦＢＧの反射波長が変化する。 （もっと読む）

【課題】電気特性のみならず、屈曲・捻回特性等の機械特性に優れ、携帯電話の液晶ディスプレイの信号伝送用ケーブルとして好適な差動信号伝送ケーブルを提供する。
【解決手段】内部導体３１の外周にふっ素樹脂による絶縁体３２を被覆したコアを４心で撚り合わせ、コアの撚り合わせ方向とは逆方向に横巻きによるシールド層３３を設け、さらにその外周にシース３４を形成し、ケーブル外径を１．０ｍｍ以下とした。 （もっと読む）

【課題】 軽量で厚みが薄いにもかかわらず、曲げや張り出しなどの加工を行ってもクラックが生じることなく成形性に優れ、かつ耐食性にも優れた高成形性耐食複合材料を提供する。
【解決手段】 ＳＵＳ４３０からなる芯材３の両面に設けた表層１の厚さを２０μｍとし、表層１中のチタンの結晶粒径を５μｍとして、表層１の厚み方向にチタンの結晶粒２が４個程度になるようにする。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓからなるｐ型キャップ層のＺｎをクラッド層や活性層に拡散させないようにした発光素子用エピタキシャルウェハ、従って、安定な高出力動作及び高温動作が可能で、且つ高信頼なＬＥＤ及びＬＤが得られる発光素子を提供すること。
【解決手段】ｎ型基板１上に、少なくともｎ型クラッド層４、活性層６、ｐ型クラッド層７、９、及びｐ型キャップ層１１を順次積層し、ｐ型クラッド層７、９のｐ型ドーパントがＭｇである半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、前記ｐ型キャップ層１１が、基板側から順に形成された、Ｍｇをドーピングした層１１ａとＺｎをドーピングした層１１ｂの少なくとも２つの層からなる形態とする。 （もっと読む）

【課題】 シンプルで気泡の巻き込みの無い転写印刷機および転写印刷方法を提供する。
【解決手段】 表面に微細な凹凸の溝が形成された転写印刷版を被印刷部材に着版・離版させて凹凸の溝を被印刷部材に転写する転写印刷機において、着版時に転写印刷版２１をその中央から下向き湾曲にした状態で着版すると共に離版時に転写印刷部材２１の周囲より被印刷部材２２から離版するように転写印刷版形状を変化させて転写するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】高速度で加工しても破断しにくく生産性を向上できる内面溝付管の製造方法及びその製造装置を提供する。
【解決手段】外周面に溝４が設けられた溝付プラグ５と、溝付プラグ５の設置位置で金属管１を外方から押圧する押圧手段６と、内面に溝形状が転写された金属管１を所定の外径寸法に縮径する引抜ダイス８を有し、押圧手段６と引抜ダイス８との間に、更に、金属管１を冷却する冷却装置１２を設けた。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓベース／ＩｎＧａＰエミッタ界面において、遷移層（ＩｎＧａＰＡｓからなる層）の形成を防止するために流すＨ₂ガスフローがベース層の表面を傷めるのを防止して、ＨＢＴ特性である電流利得βを向上させるヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】ヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造するに際し、ＧａＡｓからなるベース層４を成長した後、ＡｓＨ₃ガスをフローし、次にＨ₂ガスをフローし、その後にＩｎＧａＰからなるエミッタ層５をエピタキシャル成長することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来の端子・コネクタ用材料に比べで優れた導電性を持ち、高い強度、耐力と良好な曲げ加工性を両立しながら、なおかつ特性の異方性が小さい高強度・高導電性銅合金を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＣｕを所定の構成比で含み、Ｆｅ及びＮｉの合計重量とＰ及びＳｉの合計重量との比が所定の値となる合金素材を準備し、前記合金素材を目的とする最終板厚の１．１〜１．２倍の厚さまで冷間圧延した後、前記合金素材を７００〜８５０℃に昇温後、毎分２５℃以上の降温速度で３００℃以下まで冷却する。更に、目的とする最終板厚まで冷間圧延した後、４００〜５００℃に加熱して３０分〜３時間保持することで、高強度・高導電性銅合金を製造する。 （もっと読む）

【課題】従来の圧電薄膜素子の機械的な脆さを改善し、従来品と同等の圧電特性を維持しつつ、その耐久性の向上を可能とする。
【解決手段】上部電極４と下部電極２との間に、圧電体薄膜３ａ、３ｃ、３ｅを少なくとも２層以上設け、各圧電体薄膜の間に、強化用金属薄膜３ｂ、３ｄを挿入することにより、圧電体薄膜と強化用金属薄膜の積層領域３を形成する。強化用金属薄膜３ｂ、３ｄの材料としては、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ、Ｍｇ等々、これら各種金属元素の合金、これらとＰｔとの合金等が好適に用いられる。この積層領域３の形成工程においては、製造すべき圧電薄膜素子を、一つの成膜装置内から外部に出すことなく圧電体薄膜と金属薄膜を交互に、且つ連続的に成膜することが望ましい。 （もっと読む）