【課題】 サイズが小型で加工が容易であり、安定した光減衰減衰制御ができる。
【解決手段】 入力導波路１１と出力導波路１２に一対の分岐導波路１３，１４を接続するマッハツェンダ型光導波路１７を形成し、一対の分岐導波路１３，１４のうちいずれか一方分岐導波路１３の上方に薄膜ヒータ１８を設け、該薄膜ヒータ１８の通電により信号光の減衰量を調整する可変光減衰器１９において、マッハツェンダ型光導波路１７，２７を光路方向に２段にタンデム接続し、そのタンデム接続したマッハツェンダ型光導波路１７，２７，１７ｂ，２７ｂを複数並列に同一基板５１上に形成し、薄膜ヒータ１８，２８を、タンデム接続された２つのマッハツェンダ型光導波路１７，２７においては、互いに異なる側の分岐導波路１３，２４上方に設け、かつ、並列配置されたマッハツェンダ型光導波路１７，１７ｂでは同じ側の分岐導波路１３，１３ｂ上方に設けた。 （もっと読む）

【課題】 固液界面が凹面状に形成されるのを防ぎ、多結晶部の発生を抑制する半導体化合物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 原料及び液体封止剤１９を入れたるつぼ１２を加熱して原料及び液体封止剤１９を融解し、融解した原料融液１８に接触させた種結晶１６を引き上げることにより、単結晶１７を成長させる液体封止チョクラルスキー法を用いた化合物半導体単結晶の製造方法において、
始めに、所定の初期引き上げ速度で単結晶１７の引き上げを行い、単結晶１７の体積がるつぼ内１２に投入した原料融液１８の体積の所定の割合に達した時点で、単結晶１７の引き上げ速度を減速することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 製造時の調整が容易に行え、光信号特性を劣化させず、かつ高密度実装を可能にする光送信器のレーザダイオードの制御方法、制御回路、およびその光送信器を提供する。
【解決手段】 ＬＤ１は、電流源４によってバイアス電流が付与され、変調回路２によって変調電流が印加されることにより変調光を出力する。ＬＤ１の光出力はＰＤ５によって監視され、光出力測定回路６を通してマイクロプロセッサ８に取り込まれる。マイクロプロセッサ８は、ＬＤ１の出力光が目標値に一致するようにＡＰＣ（自動光出力制御）によりバイアス電流を調整し、更に、ＬＤ１のスロープ効率またはその相当量に基づいて、光変調振幅ＯＭＡまたは消光比が所定の値に一致するように、スロープ効率に応じてＡＡＣ（自動光変調振幅制御）により変調電流Ｉｍを調整する。 （もっと読む）

【課題】 低コストで高安定であり２波長以上を同時に増幅するＥＤＦＡを用いた光増幅器を提供する。
【解決手段】 波長分割多重された光信号Ｌａ、Ｌｂを分波する波長バンドフィルタ４ａと、励起光Ｌｅを発光する励起光源１０と、励起光源１０からの励起光Ｌｅを分配する分配カプラ１１と、分配カプラ１１から分配された励起光Ｌｅａ、Ｌｅｂを波長バンドフィルタ４ａにて分波されたそれぞれの光信号Ｌａ、Ｌｂに重畳するための複数のＷＤＭ５ａ、５ｂと、これらＷＤＭ５ａ、５ｂより出力される光信号をそれぞれ励起光Ｌｅａ、Ｌｅｂにより増幅するための増幅媒体６ａ、６ｂと、これら増幅媒体６ａ、６ｂにて増幅された光信号を合波する合波器４ｃとを備えた光増幅器１である。 （もっと読む）

【課題】機械的に強固で、小さな曲げ半径においても破断せず、熱伝導性に優れ、伝送光を低損失で伝送できる中空導波路及びその製造方法を提供する。
【解決手段】内側の金属層と外側の金属層とから成る金属クラッド管と、該金属クラッド管内側に形成される中空領域とから構成され、前記金属クラッド管は互いに異なる金属材料から成る金属パイプを圧接して形成される中空導波路。 （もっと読む）

【課題】 液圧試験後に残留試験流体を完全にかつ容易に除去できる脈動吸収高圧ホースを提供する。
【解決手段】 ホース本体１０と、先端部が上記ホース本体１０の端部内に挿入された環状のニップル１１と、ホース本体１０の端部外周に嵌合され、上記ニップル１１とで上記ホース本体１０の端部を挟み込んで固定するソケット１２と、上記ニップル１１の先端部内に所定長さＬ挿入されて固定された螺旋管１３とを備えた脈動吸収高圧ホースにおいて、上記ニップル１１の先端部の内面に、長手方向に沿って上記螺旋管１３の挿入代Ｌよりも長く延出する一つ又は複数の溝２を設け、上記螺旋管１３の外面と上記ホース本体１０の内面との間に形成される環状空間１５と上記ニップル１１の内部空間１１ａとを連通する連通路３を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】 電子電流の広がりを抑止し、高電界における電子速度を高めることができる窒化物系化合物半導体結晶、その製造方法、および半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置２０は、ＳｉＣ基板２１と、このＳｉＣ基板２１上に順次形成されたアンドープＧａＮ層２２と、Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮ層２３と、このＳｉドープｎ型ＡｌＧａＮ層上にそれぞれ形成されたＴｉＡｌソース電極２４と、ＴｉＡｌドレイン電極２５と、ＮｉＡｕゲート電極２６とを備える。Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮ層２３は、結晶方位の［０００１］方向の電気伝導度が大きく、［０００１］方向に直交する方向が小さくなるように形成されるとともに、電気伝導度の最大値と最小値の比が１０以上になるように形成される。また、各電極は、［０００１］方向と直交する方向に設けられる。 （もっと読む）

【課題】 基板の両面研磨を行った時に、表面もしくは／および裏面の酸化不良を効果的に低減できる基板の両面研磨方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 研磨布１を貼り付けた上下定盤６，２間に、両面研磨用のキャリア５を設け、そのキャリア５に基板４をセットし、上下定盤６，２の回転により両面研磨用のキャリア５を自公転させつつ上下定盤６，２に貼り付けた研磨布１に研磨液９を供給して基板４の両面を研磨し、その研磨後、上定盤を上昇させて基板４を取り出す際に、基板４にシャワー機構１０から純水をかけて、残留研磨液を除去する。 （もっと読む）

【課題】Ｈ₂ＳｅまたはＤＥＴｅを用いたノンアロイ層付ＨＥＭＴ等のエピタキシャルウェハを成長する前後での電気的特性の変動を、Ｎ₂ガスを用いて効果的に低減すること、すなわち反応炉内のＨ₂Ｓｅの「メモリー効果」を低減すること。
【解決手段】目的とするｎ型のノンアロイコンタクト層７を有する電子デバイス構造のためのエピタキシャル層の成長を終了した後、断熱圧縮された窒素ガスを反応炉内に多量、且つバースト状に送り込むプロセスを行い、その後に再び目的とするｎ型のノンアロイコンタクト層７を有する電子デバイス構造のためのエピタキシャル層の成長を行う。 （もっと読む）

【課題】コンタクト層からのＺｎの拡散による活性層の劣化を防ぐことにより、高密度実装等に適した高温動作用途や高出力用途に適したＡｌＧａＩｎＰ系のレーザダイオード用エピタキシャルウェハを得る。
【解決手段】ｎ型基板１上に、ｎ型クラッド層３、活性層４及びｐ型クラッド層５からなる発光部と、その上に形成されたｐ型コンタクト層６を具備し、上記ｐ型クラッド層５がＭｇドープＡｌＧａＩｎＰ層からなるＡｌＧａＩｎＰ系のレーザダイオード用エピタキシャルウェハにおいて、上記ｐ型コンタクト層６を、ＣドープＡｌＧａＡｓ層７と、ＺｎドープＧａＡｓ層８の積層構造により構成し、これによりコンタクト層のＺｎドープＧａＡｓ層８がＭｇドープのｐ型クラッド層５に隣接しない構造とする。 （もっと読む）