【課題】 温度補正の精度が高いＦＢＧセンサ用光ケーブルを提供する。
【解決手段】 測定対象物に沿って布設されるセンサ用光ファイバ４２に、測定対象物の変位を検出するためのセンサ用ＦＢＧ４４を書き込んだＦＢＧセンサ用光ケーブル１において、センサ用光ファイバ４２に沿って温度補正用光ファイバ２を設け、その温度補正用光ファイバ２に、センサ用ＦＢＧ４４を温度補正するための温度補正用ＦＢＧ３を、センサ用ＦＢＧ４４と同じ位置に書き込んだものである。 （もっと読む）

【課題】成長前の反応炉内の不純物を低減し、ＨＥＭＴの電子移動度の低下を抑えることができるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】反応炉内のサセプタ１に基板３をセットし、その基板３をヒータ５で加熱し、基板３に沿って原料ガス６を流すことにより、加熱された基板３上で半導体結晶をエピタキシャル成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法において、上記基板３をセットする前に、反応炉内に、高温ガス７を流すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ろう付け層の融点が低く、ろう付け接合部が十分な接合強度及び耐食性を有するろう付け用複合材及びそれを用いたろう付け方法並びにその方法を用いて製造したろう付け製品を提供するものである。
【解決手段】 本発明に係るろう付け用複合材１０は、基材１１の表面にろう付け層１５を一体的に設けてなる複合材で構成され、被ろう付け部材とろう付けされるものであり、 ろう付け層１５を、２種類以上の金属の層１２，１３を２層以上に積層した積層体で構成し、かつ、基材１１を、Ｃｕ成分を２．０〜４．０ｍａｓｓ％の割合で含むＦｅ基合金で構成したものである。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ基板裏面からのＡｓ抜けを防止して特性不良の少ない発光ダイオードを製造することができる液相エピタキシャル成長方法を提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１を収容する基板ホルダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを対向させ、且つ相対的に摺動可能としたエピタキシャル成長装置を用いて、化合物半導体のエピタキシャル層を成長する液相エピタキシャル成長方法において、所定の温度から冷却しながら成長用原料溶液にＧａＡｓ基板１を接触させて基板上にエピタキシャル層を成長するに際し、前記ＧａＡｓ基板１の裏面に予めＳｉＯ₂膜５を設けておき、成長中におけるＧａＡｓ基板１の裏面からのＡｓ抜けを防止する。 （もっと読む）

【課題】 メモリー効果の抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０上にバッファ層１１、チャネル層１２、スペーサ層１３、電子供給層１４、コンタクト層１５を順次成長させた後、その基板１０を気相成長装置から取り出し、他の気相成長装置でコンタクト層１５上にノンアロイコンタクト層１６を別途成長させてメモリー効果の影響を排除するようにしたものでる。 （もっと読む）

【課題】 カメラの結像面に達した処理画像をもれなく電子情報化できる光学式画像処理方法を提供する。
【解決手段】 被処理画像５−１〜５−４を画像表示デバイス３の画像面４の異なる位置にずらせて表示させることにより、処理画像をカメラ１３の結像面１４の異なる位置に結像させ、これら結像位置が異なるとき得られた複数の電子画像情報１５−１〜１５−４を蓄積し、これら蓄積した複数の電子画像情報１５−１〜１５−４からピクセルごとに光強度を選んで最終的な電子画像情報１７を得るので、従来はピクセルから外れていた光スポットを検出できる。 （もっと読む）

【課題】 タンクの位置にかかわらず、パーツケーブルの端末同士の接続作業を容易に行えるケーブル接続室を提供する。
【解決手段】 海底などに長尺のケーブルを布設すべく、複数の保管容器６２ａ，６２ｂに分割保管したパーツケーブルＡ，Ｂ，Ｃ…の端末Ａ１，Ａ２，Ｂ１…同士を、所定の作業環境下で接続するためのケーブル接続室１において、複数の保管容器６２ａ，６２ｂの近傍にレール２ａ，２ｂを敷設し、敷設したレール２ａ，２ｂ上に、接続されるべきパーツケーブルＡ，Ｂ，Ｃ…の端末位置に合わせて接続室本体３を移動可能に設けたものである。 （もっと読む）

【課題】 端末加工性および耐外傷性に優れたノンハロゲン難燃性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 ポリオレフィンに金属水酸化物系難燃剤を混和してなるノンハロゲン難燃性樹脂組成物において、上記ポリオレフィンを含むコンパウンドで構成されるポリオレフィン部が、ポリスチレン成分を３〜２５重量％含み、かつ組成物全体のヤング率が１２０〜２５０ＭＰａであるものである。 （もっと読む）

【課題】Ｈ₂ＳｅまたはＤＥＴｅを用いたノンアロイ層付ＨＥＭＴ等のエピタキシャルウェハを成長する前後での電気的特性の変動を、Ｎ₂ガスを用いて効果的に低減すること、すなわち反応炉内のＨ₂Ｓｅの「メモリー効果」を低減すること。
【解決手段】目的とするｎ型のノンアロイコンタクト層７を有する電子デバイス構造のためのエピタキシャル層の成長を終了した後、断熱圧縮された窒素ガスを反応炉内に多量、且つバースト状に送り込むプロセスを行い、その後に再び目的とするｎ型のノンアロイコンタクト層７を有する電子デバイス構造のためのエピタキシャル層の成長を行う。 （もっと読む）

安価且つ小型のマルチメディア無線端末を具現するための、特に３モード以上の多モードで動作する小型のアンテナ及びその製造方法並びに同アンテナを搭載する携帯無線端末が提供される。接地電位を有する接地導体２と、接地導体２の一部を一端とする単一の給電点７と、給電点７に供給された高周波電力を入力してそれぞれが３モードの３周波数の電磁波を空間に放射する複数の伝送線路とを備える。これら伝送線路は、一端が給電点７に接続され、他端が分岐点３１に接続された伝送線路４１と、分岐点３１，３２間に接続された伝送線路４２と、上記分岐点に接続された伝送線路５１，６１，６２とからなり、給電点７において複数の周波数に対してインピーダンス整合が行なわれるように伝送線路のそれぞれの長さが設定される。アンテナ１は、一体金属板で形成される。 （もっと読む）