【課題】 熱膨張による破壊を防止した高速信号用コネクタ付きＢＧＡ型ＬＳＩとプリント基板との接続構造を提供する。
【解決手段】 コネクタ付きＢＧＡ型ＬＳＩ３００とプリント基板５００とを電気的に接続させると共に、コネクタ付きＢＧＡ型ＬＳＩ３００をプリント基板５００に押圧させながらコネクタ付きＢＧＡ型ＬＳＩ３００がリジットケーブル１０１の長手方向に微動できる押圧接続手段１０２、１１０を設けることにより、リジットケーブル１０１が熱膨張収縮してコネクタ付きＢＧＡ型ＬＳＩ３００がプリント基板５００上を微動すると、導電フィルム１１０にずれが生じて導電フィルム１１０内の導電ワイヤ２０１がそのずれに追従するので、コネクタ付きＢＧＡ型ＬＳＩ３００とプリント基板５００との電気的接続が維持される。 （もっと読む）

【課題】 電子部品実装領域、パターン配線領域を増加させると共に、実装部品の評価を容易に行える構造を有する電子部品実装モジュールを提供する。
【解決手段】 ＬＳＩ１１と、そのＬＳＩ１１を実装するプリント基板１２と、そのプリント基板１２を収容するためのケース２０とを有する電子部品実装モジュール１０において、ＬＳＩ１１をプリント基板１２と導通させる導電用コンタクトフィルム１４をＬＳＩ１１とプリント基板１２との間に挿入すると共に、ＬＳＩ１１を押圧する押圧部材１３をプリント基板に固定してプリント基板にＬＳＩ１１を実装したものである。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を有し、高スループットの結晶シリコン系薄膜太陽電池の製造方法及びそれを用いて形成した太陽電池を提供するものである。
【解決手段】本発明に係る結晶シリコン系薄膜太陽電池４０の製造方法は、基板上に結晶性シリコン層を有する結晶シリコン系薄膜太陽電池を製造する際に、上記結晶性シリコン層とは異なる材料からなる異種基板１１上に、順に、結晶性シリコン前駆体層１４よりも融点が高い物質で構成される電極層１２、非晶質シリコン又は結晶成分を含む非晶質系シリコンからなる結晶性シリコン前駆体層１４を形成し、その前駆体層１４に半導体レーザのレーザ光２１を照射し、前駆体層１４を溶融・結晶化して上記結晶性シリコン層２４を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】微細構造を制御された位置に、高精度に高密度で形成することができる、量産に適した微細構造の作製方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板２上に、当該基板の半導体材料の格子定数よりも大きな格子定数を有する半導体材料をエピタキシャル成長させることにより三次元の微細構造６を作製する場合において、当該エピタキシャル成長処理を行うに先だって、電子ビームリソグラフィー技術及びウェットエッチング技術を用いて上記半導体基板２に予め段差構造２ａを形成し、当該段差構造の特定領域に上記エピタキシャル成長を行わせることにより、半導体基板上の所望位置に選択的に上記三次元の微細構造を形成せしめる。 （もっと読む）

【課題】サセプタの交換周期を長くしても均一な膜厚分布の半導体結晶膜が形成された基板を作製することができる半導体気相成長装置を提供すること。
【解決手段】反応炉内に少なくとも２種類以上の原料ガスを供給して半導体結晶膜を基板３１上に形成する半導体気相成長装置において、基板３１を挿通可能な貫通穴２７ａが形成されたサセプタ２７と、基板３１を保持する基板保持用治具３７と、基板３１の基板厚さ方向の位置を変更するためのスペーサー３５と、が設けられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】左右対称な指向性が得られる双ループアンテナを提供する。
【解決手段】分岐導体２及び同軸給電線路３の反射板１からの長さＬａ、Ｌｂが異なるので、同軸給電線路３からの電波が平行二線４のうちの分岐導体側４ａと同軸給電線路側４ｂとに乗り移る位相をずらすことができる。このずれを利用して平行二線４の分岐導体側４ａと同軸給電線路側４ｂと流れる電流が逆相になるように反射板１からの分岐導体２の長さＬａ及び同軸給電線路３の長さＬｂを調整すれば、同相電流による不要放射をなくして指向性を左右対称にすることができる。この結果、双ループアンテナを４方向に向かって配置したときの合成指向性が無指向性となる。 （もっと読む）

【課題】製造効率が良く、且つ半導体チップとの接触抵抗をより小さくして正確な検査を行なうことが可能である検査用プローブ基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】銅箔を備えた基板に突起と該突起に接続する配線パターンとを形成する検査用プローブ基板の製造方法において、前記突起の形成は、Ａｕボールをボンディングした後にＡｕワイヤをクランプしたキャピラリを移動することにより行ない、その後前記突起の上に第１のめっき及び第２のめっきを施したことにある。 （もっと読む）

【課題】ケーブルを細径化し、なおかつ端末加工しやすく、価格的にも安くなるシールドテープ及びそれを用いたシールド線心を提供すること。
【解決手段】一方面にポリオレフィン系材質の絶縁層１を有し、他方面に箔または蒸着の金属層２を有するシールドテープにおいて、少なくとも金属層面の一部分が金属層２を有さず、粘着層３を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】リードフレーム上に配線基板を設けた複合リードフレームにおいて、放熱性を向上する。
【解決手段】導体板を所定形状に開口してアウターリード及び半導体チップを搭載するダイパッドを設けたリードフレームと、絶縁基板の一主面に導体配線（インナーリード）を設けた配線基板とからなり、前記配線基板が前記リードフレーム上に接着され、前記導体配線と前記アウターリードとが電気的に接続された複合リードフレームであって、前記配線基板は、前記ダイパッドの前記半導体チップが搭載される領域と平面的に重なる領域が開口されており、前記アウターリードの先端部及び前記ダイパッドの外周部と接着されている複合リードフレームである。 （もっと読む）

【課題】 放熱基板及びこの放熱基板を用いた半導体パワーモジュールを製造が容易で高信頼度に提供すること。
【解決手段】 銅複合材混合粉末を、数十〜数百ミクロンの微少な彎曲（反り）を形成した金型に充填し高圧でプレスして半導体パワー素子用の放熱基板の形状の予備成形体（プリフォーム）を造り、この予備成形体を不活性雰囲気中で焼結し前記予備成形体から体積収縮率５〜１５％の範囲で収縮した半導体パワー素子の放熱基板用の焼結成形体１を得る。この焼結成形体１に機械加工を施すこと無く、その表面に半導体パワー素子のセラミックス絶縁基板８を金属板７およびろう材６を介して接合するという粉末冶金製造法によるNear Net Shape化技術によって半導体パワー素子用の銅複合材放熱基板を製造する。 （もっと読む）