【課題】充填材（強化材）を添加することなく優れた耐摩耗性と低摩擦係数を有し、且つ相手材の傷摩粍が無い摺動用複合材を提供すること。
【解決手段】改質ふっ素樹脂（ふっ素樹脂を酸素濃度１００torr以下で、且つ前記ふっ素樹脂の融点以上の雰囲気下で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙから１０ＭＧｙの範囲内で照射して成るもの、又はこれを１から９９重量％の割合で他の樹脂と混合したもの）と樹脂又は金属とを貼り付けて構成したことにある。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用テープキャリアにおけるソルダーレジスト下方のリード配線の銅の過剰溶解を防止すると共に、スズめっきのホイスカを抑制する。
【解決手段】絶縁フィルム１上に接着剤層２を介して施された銅箔３の表面の全面にスズめっき層４を厚さ０．０１〜０．２μｍ形成した後、加熱処理し、その後フォトレジストをコートし、露光、現像、エッチング、剥膜処理することにより銅箔３に微細配線パターン３０を形成し、その後、前記配線パターン上に、その端子部分を除く所定の位置にソルダーレジスト６を塗布した後、前記端子部分に、厚さ０．１５〜０．８０μｍのスズめっき層４を形成し、加熱処理することにより、厚さ０．２０μｍ以上のスズ−銅合金層５ｂと厚さ０．１５〜０．８０μｍの純スズ層４ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤをたるませることなくボビンを自動で切り換えることのできる自動ボビン切換式連続巻取方法及びその装置の提供。
【解決手段】巻取中のボビンに巻き取られているワイヤが空ボビン上を通過する状態で、空ボビン及びワイヤキャッチャが回転した際、このワイヤキャッチャの位置をセンサにより検出してから、空ボビンのシャフトの回転数をエンコーダで検出し、当該センサからのワイヤキャッチャ位置検出信号及び、空ボビンのシャフト回転数情報をワイヤ押えのコントローラに入力することにより、ワイヤ押えを倒れ込み動作を行わせ、以て、ワイヤをたるむことなくワイヤキャッチャがワイヤを捕らえてカッターで切断し、ボビン切換を完了させる。 （もっと読む）

【課題】 溶接欠陥の検出性能を向上する溶接管用渦流探傷装置を提供する。
【解決手段】 溶接管１を溶接線上より励磁する励磁コイル２と、溶接線上に並ぶ複数の検出コイル３とを有し、これら検出コイル３の出力を比較することにより探傷を行う溶接管用渦流探傷装置において、検出コイル３が臨む溶接線の長さを検出コイル３により異ならせた。 （もっと読む）

【課題】両面配線のＴＡＢテープＢＧＡ型半導体装置の配線テープと放熱板との接着面に生ずるボイドの低減
【解決手段】中心部を開口した絶縁性基材１０１の表面に第１配線１０２Ａ及び外部接続端子１０２Ｂを形成した配線テープ１の裏面に絶縁接着材２及び放熱板３を設ける。基材１０１の開口部内に半導体チップ４を設けチップの外部電極４０１と第１配線１０２Ａをワイヤ５で接続して樹脂６でモールドする。配線テープ１の裏面には第２配線１０３とその周囲を除く領域に、銅メッキ層１０５で覆った接地層１０４を設け基材１０１表面の第１配線１０２Ａ及び外部接続端子１０２Ｂとビア孔を介して接続する。第２配線１０３と接地層１０４間は２重のメッキ層１０５・１０７をはさんで絶縁体１０８を設ける。 （もっと読む）

【課題】信号配線の周囲の空気層を確保することのできる構造の高速伝送用積層基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】銅箔１と樹脂製絶縁基材４からなるフレックス基板７を用いた高速伝送用基板で、高速伝送用信号配線２を有しその周囲が空気層１０からなる基板を積層した積層基板において、積層単位基板のフレックス基板７には、銅箔１及び樹脂製絶縁基材４間の第１接着剤５と、樹脂製絶縁基材４の下面の第２接着剤６とに、それぞれ熱可塑性樹脂の接着剤を用い、熱圧着した際に、周囲の空気層１０内に接着剤が回り込まないようにする。また、その両接着剤５、６の物性値を異ならせ、熱圧着時に第１接着剤５よりも第２接着剤６の方が柔らかさを呈し、熱圧着時に第２接着剤が銅箔に歪み与えないようにする。 （もっと読む）

【課題】 製造工程が短く、低コストの半導体素子搭載用部品及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子搭載用部品は、絶縁テープ２１、２５の上に配線回路２２、２６やパッド２４、２７、２８が設けられた通常の片面配線テープを２本用いて放熱板２９の両面に接着剤３０、３１で貼付けた構造を有しているので、低コスト化と製造工程の短縮化を図ることができる。このような半導体素子搭載用部品２０を用いて半導体装置５０を構成することにより低コスト化が図れる。また、放熱板２９に接続パッド６３やワイヤボンディングパッド６４を設けることにより、放熱板２９を配線パターンとして機能させることができる。 （もっと読む）

【課題】電子装置を小型化する。
【解決手段】複数個の半導体チップと、前記半導体チップに入出力される電気信号を補償する受動素子と、前記各半導体チップの外部電極及び受動素子間を電気的に接続する配線と、前記半導体チップ及び前記受動素子ならびに前記配線を内包するハウジングと、前記配線と外部装置を接続する外部接続端子とを有する電子モジュールであって、前記ハウジングの内部に、複数の絶縁体層を設け、前記絶縁体層間に、前記半導体チップ、前記受動素子、前記配線のうち少なくとも一つを設け、前記絶縁体層に、前記半導体チップ、前記受動素子、前記配線のそれぞれを接続するための導通ビアを設けてなる電子モジュールである。 （もっと読む）

【課題】電子装置の製造時間及び製造コストを削減する。
【解決手段】１個または複数個の半導体チップと、前記半導体チップと接続される配線と、前記配線と接続された外部装置との入出力用端子とを有し、それらを複数層の絶縁樹脂で段階的にパッケージングし、前記複数の各絶縁樹脂層間に前記半導体チップ、または前記半導体チップとの接続を行う配線を設け、前記半導体チップと配線との接続を行う導通ビアを前記絶縁樹脂層に設け、配線基板を設けない構成にした電子装置であって、前記電子装置の外観形状が、立方体、球体、円柱状などの形状に構成されてなることを特徴とする電子装置。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れるとともに結晶中の転位が少なく均質な単結晶を低コストで得ることができる化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長容器１内に投入した化合物半導体原料６の表面と結晶成長容器１の内面との間に液体封止剤２を介在させた状態で、結晶成長容器１を、化合物半導体原料６の融点を含む範囲で温度勾配を設けた加熱炉７内で徐々に移動させて、加熱炉７における化合物半導体原料６の融点以上の温度部分で化合物半導体原料６を溶融させた後、融点以下の温度部分で化合物半導体単結晶５を成長させ、化合物半導体単結晶５の成長終了後、液体封止剤２及び化合物半導体単結晶５を２００℃から化合物半導体単結晶５の融点までの温度で加熱処理する。 （もっと読む）