【課題】低転位密度の窒化物半導体を成長することが可能な窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体成長用基板を用いて作製される窒化物半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板のＣ面である主面に、前記主面に対して９０°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部が格子状に配置して形成されており、前記主面からの前記凸部の高さが０.５μｍ以上３μｍ以下で、隣接する前記凸部間の距離が１μｍ
以上６μｍ以下であって、前記凸部の前記側面の表面粗さＲＭＳが１０ｎｍ以下である窒化物半導体成長用基板である。 （もっと読む）

【課題】正常動作する入力信号電圧範囲を広げることが可能な差動増幅回路を提供する。
【解決手段】差動信号が入力され、該差動信号を構成する２つの信号の電圧の差を増幅して出力する差動増幅回路であって、差動信号を構成する２つの信号の平均電圧を検出する平均電圧検出回路２と、平均電圧検出回路２で検出した平均電圧を基準として正負の電源電圧を生成する電源電圧発生回路３と、電源電圧発生回路３で生成した正負の電源電圧を正電源、負電源として用い、差動信号を構成する２つの信号の電圧の差を増幅して出力する差動増幅回路本体４と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 平面かつ薄型の構造により既存設備表面への設置を容易にし、かつ電力放射分布が交差２偏波で無指向性となるアンテナを提供すること。
【課題手段】 平面状の導体からなるアンテナであって、グランド部と、第１のアンテナ素子と、前記グランド部と前記第１のアンテナ素子との間に形成された給電点と、前記第１のアンテナ素子に連結部を介して接続され、前記連結部から２つに分岐して形成された第２のアンテナ素子と第３のアンテナ素子と、を有し、交差２偏波で無指向性の電力放射分布特性を有することを特徴とするアンテナ。 （もっと読む）

【課題】複数の接続端子をそれぞれ保持する一対のハウジングが嵌合されていないとき、複数の接続端子を押圧する押圧力の出力部材をハウジング内に支持することが可能なコネクタ装置を提供する。
【解決手段】雄側ハウジング２１と雌側ハウジング２２とが嵌合されたとき、雄側接続端子３１１〜３１３、雌側接続端子３２１〜３２３、及び第１〜第４絶縁部材４１〜４４が積層構造となるコネクタ装置１０は、雄側ハウジング２１に支持された回転部材５１の回転により、積層構造を押圧する押圧力を出力部材５４から出力する押圧機構５を備える。雄側ハウジング２１は、導電性の第１エレメント２１１と、第１エレメント２１１と雄側接続端子３１１〜３１３との間に介在する絶縁性の一対の壁部２１２ａ，２１２ｂとを有し、出力部材５４は、一対の壁部２１２ａ，２１２ｂに当接することによって積層方向に支持される。 （もっと読む）

【課題】高い強度と導電性を併せ持ち、尚且つハーフエッチング時の均一なエッチング性に優れた高強度・高導電銅合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】０．０５〜１．０質量％のＦｅ、０．０５〜１．０質量％のＮｉ、０．０２〜０．３質量％のＰを含有し、ＦｅとＮｉの合計とＰの質量比（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐが３〜１０、ＦｅとＮｉの質量比Ｎｉ／Ｆｅが１〜１０であり、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる銅合金であって、銅合金中に含まれる粒径が１０ｎｍ以上の晶出物及び析出物のうち、粒径が１００ｎｍ以上である晶出物及び析出物の割合が１％以下である高強度・高導電銅合金及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】正常動作する入力信号電圧範囲を広げることが可能な差動増幅回路を提供する。
【解決手段】差動信号が入力され、該差動信号を構成する２つの信号の電圧の差を増幅して出力する差動増幅回路であって、差動信号を構成する２つの信号の平均電圧を検出する平均電圧検出回路２と、差動信号を構成する２つの信号のそれぞれに対応するように設けられ、差動信号を構成する一の信号を、平均電圧検出回路２で検出した平均電圧と等しい電圧降圧して出力する２つの電圧シフト回路３，４と、２つの電圧シフト回路３，４のそれぞれから出力される２つの信号の電圧の差を増幅して出力する差動増幅回路本体５と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】インラインで連続的に正確な検出が行え、また非接触にもかかわらずコストの増加の少ないケーブルの片撚り検出方法を提供する。
【解決手段】一対のコア１０ａ，１０ｂを移動させながら対撚りしてケーブル１１を作製する際にインラインで連続的に片撚りを検出するケーブルの片撚り検出方法であって、ケーブル１１における対撚りの山１２の高さを光透過型光電センサ１３ａ，１３ｂで非接触にて検出することにより対撚り周期を求め、その対撚り周期の変化に基づいて片撚りの発生を検出するものである。 （もっと読む）

【課題】実装面積を小さくでき、かつ、放熱性の良好な光送受信器を提供する。
【解決手段】回路基板６の裏面Ｒにコネクタ５と光変調器３を、表面Ｆに受光素子４を、表裏面にその他の発熱電子部品を搭載し、他方、回路基板６の表面Ｆ側の筐体９に放熱フィン１３を形成し、波長可変レーザモジュール２を放熱フィン１３が形成された筐体９の上壁９ａに熱的に密接するように設け、かつ、回路基板６の表面Ｆに搭載された受光素子４と発熱電子部品を筐体９の上壁９ａに熱的に密接するように設け、回路基板６の裏面Ｒに搭載された発熱電子部品を、熱伝導部材１４を介して筐体９の上壁９ａに熱的に接合したものである。 （もっと読む）

【課題】種結晶からのＡｓの脱離を可能な限り抑制し、Ａｓの脱離に基いて生じる凝集Ｇａが固液界面へ到達することで引き起こされる成長結晶の多結晶化を防止することができるＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 本実施例のＬＥＣ法によるＧａＡｓ単結晶（化合物半導体単結晶）の製造方法では、種結晶４が液体封止材１０の表面１４の上方１００ｍｍから表面１４に到達するまでの時間を１０分以内となるように引下げる。若しくは、引上げ軸３の引上げ開始の位置から１０ｍｍ引上げするまでの引上速度ｖを３ｍｍ／ｈｒ≦ｖ≦１０ｍｍ／ｈｒとする。また、ルツボ５は、地面２０から上部ヒータ１１の発熱中心１１Ａまでの高さｈ１と地面２０から液体封止材１０の表面１４までの高さｈ２との差ｈ２−ｈ１が１０ｍｍ≦ｈ２−ｈ１≦２５ｍｍとなるように昇降移動させる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを搭載して樹脂封止した際のリードの脱落にともなう配線のさや抜けが少なく、高密度な配線を有するリードフレームを提供する。
【解決手段】導体箔をエッチングして形成されており、半導体素子を搭載する搭載面を有するダイパッドおよび複数のリードを有するリードフレームにおいて、前記ダイパッドおよび前記リードは、インヒビタが添加されたエッチング液を用いたウェットエッチングによって前記導体箔を加工して形成されたものであり、前記搭載面とは反対側における前記ダイパッドおよび前記リードの幅が、前記搭載面側における前記ダイパッドおよび前記リードの幅より小さいリードフレームである。 （もっと読む）