【課題】安価な基板を用いた簡便な片面配線基板の構造を採りつつ、放熱特性を良好に保つ。
【解決手段】波長が４５０ｎｍの光に対し、少なくとも第１主面１０ａの全反射率が８０％以上であり、５０ｍｍ以下の曲率半径で折り曲げ可能な電気的絶縁基板１０と、電気的絶縁基板１０を貫通するビアホール１３内に充填された金属材からなる金属充填部３０と、電気的絶縁基板１０の第１主面１０ａ側に設けられ、電気的絶縁基板１０と共に一部が電気的絶縁基板１０の第２主面１０ｂ側へと折り曲げられている銅配線パターン２０ｐと、第１主面１０ａ側の金属充填部３０上に搭載され、第１主面１０ａ側の銅配線パターン２０ｐにボンディング接続された発光素子と、を備える。 （もっと読む）

【課題】インラインで連続的に正確な検出が行え、また非接触にもかかわらずコストの増加の少ないケーブルの片撚り検出方法を提供する。
【解決手段】一対のコア１０ａ，１０ｂを移動させながら対撚りしてケーブル１１を作製する際にインラインで連続的に片撚りを検出するケーブルの片撚り検出方法であって、ケーブル１１における対撚りの山１２の高さを光透過型光電センサ１３ａ，１３ｂで非接触にて検出することにより対撚り周期を求め、その対撚り周期の変化に基づいて片撚りの発生を検出するものである。 （もっと読む）

【課題】実装面積を小さくでき、かつ、放熱性の良好な光送受信器を提供する。
【解決手段】回路基板６の裏面Ｒにコネクタ５と光変調器３を、表面Ｆに受光素子４を、表裏面にその他の発熱電子部品を搭載し、他方、回路基板６の表面Ｆ側の筐体９に放熱フィン１３を形成し、波長可変レーザモジュール２を放熱フィン１３が形成された筐体９の上壁９ａに熱的に密接するように設け、かつ、回路基板６の表面Ｆに搭載された受光素子４と発熱電子部品を筐体９の上壁９ａに熱的に密接するように設け、回路基板６の裏面Ｒに搭載された発熱電子部品を、熱伝導部材１４を介して筐体９の上壁９ａに熱的に接合したものである。 （もっと読む）

【課題】種結晶からのＡｓの脱離を可能な限り抑制し、Ａｓの脱離に基いて生じる凝集Ｇａが固液界面へ到達することで引き起こされる成長結晶の多結晶化を防止することができるＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 本実施例のＬＥＣ法によるＧａＡｓ単結晶（化合物半導体単結晶）の製造方法では、種結晶４が液体封止材１０の表面１４の上方１００ｍｍから表面１４に到達するまでの時間を１０分以内となるように引下げる。若しくは、引上げ軸３の引上げ開始の位置から１０ｍｍ引上げするまでの引上速度ｖを３ｍｍ／ｈｒ≦ｖ≦１０ｍｍ／ｈｒとする。また、ルツボ５は、地面２０から上部ヒータ１１の発熱中心１１Ａまでの高さｈ１と地面２０から液体封止材１０の表面１４までの高さｈ２との差ｈ２−ｈ１が１０ｍｍ≦ｈ２−ｈ１≦２５ｍｍとなるように昇降移動させる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを搭載して樹脂封止した際のリードの脱落にともなう配線のさや抜けが少なく、高密度な配線を有するリードフレームを提供する。
【解決手段】導体箔をエッチングして形成されており、半導体素子を搭載する搭載面を有するダイパッドおよび複数のリードを有するリードフレームにおいて、前記ダイパッドおよび前記リードは、インヒビタが添加されたエッチング液を用いたウェットエッチングによって前記導体箔を加工して形成されたものであり、前記搭載面とは反対側における前記ダイパッドおよび前記リードの幅が、前記搭載面側における前記ダイパッドおよび前記リードの幅より小さいリードフレームである。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に用いられるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットにおいて、従来問題になっていたスパッタリング時の放電やスパッタ膜の濃度分布不均一性という問題を解決する品質の高いＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットは、Ｇａ濃度が、２７．４重量％以上３２重量％以下であり、不可避的空隙を含み、残部がＣｕからなるスパッタリングターゲットであり、凝固方向と平行な面において、不可避的空隙のうち５０μｍ以上の空隙の面積率が、０．０５％以下である。 （もっと読む）

【課題】はんだ接続時の接続不良を低減し、パワー半導体素子を歩留りよく接続することができる接続材料付き半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体材料１の表面に設けられた電極２となる金属層と、前記金属層の表面であって前記半導体材料の表面に接する面とは異なる面上に設けられた、前記金属層を被接続部材に接続させるための接続金属層５と、を備え、前記接続金属層５は、Ａｌ濃度が０ｍａｓｓ％より大きく１０ｍａｓｓ％以下であるＺｎ−Ａｌ合金、またはＺｎとＡｌとを積層させて形成された積層体からなるものである。 （もっと読む）

【課題】反り量の少ない窒化物半導体ウエハを得る。
【解決手段】サファイア基板に窒化物半導体薄膜結晶層と、その上にボイドを含む金属窒化膜とが設けられてなるボイド形成基板上に窒化物半導体厚膜結晶層を形成した後、前記ボイド形成基板を除去する窒化物半導体ウエハの製造法において、前記サファイア基板の裏面に、サファイアの熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する材料からなる反り相殺層を形成し、前記窒化物半導体厚膜結晶層の成長温度下で、熱膨張係数の差によって前記反り相殺層を形成したボイド形成基板を、前記金属窒化膜が形成される面から見て凸状に反らせ、前記凸状に反らせたボイド形成基板の上に前記窒化物半導体厚膜結晶層を凸状に成長させ、成長終了後、前記成長温度から常温に戻る際に、前記ボイド形成基板の平らな形状への復元とともに前記窒化物半導体厚膜結晶層の凸状から平らな形状への戻りが、前記窒化物半導体厚膜結晶層の半導体極性面から見た凹状の反りを相殺する。 （もっと読む）

【課題】円筒形状のＣｕ−Ｇａ合金からなる高品質で量産が可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】溶解容器５内のＣｕとＧａを加熱手段で溶解して溶湯Ｍを形成し、前記溶解容器の底部に形成された円環状の開口７を開閉自在に覆うことができる引下部材６を所定の速度で引き下げることにより、前記開口を開放すると共に前記溶解容器内の前記溶湯を凝固させながら連続的に円筒形状のスパッタリングターゲットとなる凝固材を抜き出すに際して、前記溶解容器内の前記開口付近の前記溶湯を流動可能な半凝固状態とし、且つ前記溶解容器の前記開口から外部に出た直後に流動性のない凝固状態となるように、前記加熱手段によって温度制御を行う。 （もっと読む）

【課題】充電装置側との通信機能を有していない車両に充電する場合にも、充電コネクタの嵌合を検知してから充電を開始することが可能な車両用充電装置を提供する。
【解決手段】車両用充電装置１は、車両９に充電電流を出力するＬ端子１１１及びＮ端子１１２、及び嵌合検知端子１１５を有する充電コネクタ１１と、第１の抵抗器Ｒ₁を介して嵌合検知端子１１５から電圧を出力する電圧出力部２３と、車両側コネクタ９１との嵌合による第１の抵抗器Ｒ₁の通電電流の変化を検出可能な第１の電圧計Ｖ₁と、第１の電圧計Ｖ₁によって検出した第１の抵抗器Ｒ₁の通電電流の変化に基づいて充電コネクタ１１と車両側コネクタ９１との嵌合を検知し、この嵌合を検知したとき、Ｌ端子１１１及びＮ端子１１２からの充電電流の出力を可能な状態とする制御部２０とを有する。 （もっと読む）