説明

日立電線株式会社により出願された特許

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【課題】ケース内に収容する光ファイバの曲げ径を大きくすることができる光モジュール及び光モジュール付きケーブルを提供する。
【解決手段】ケース4内に、ケーブル2からケース4内に延出された光ファイバ3の端部を固定する固定部5を有する基板6と、基板6に設けられ、外部電気機器のレセプタクルに電気的に接続される電気コネクタ7と、基板6に実装され、電気コネクタ7と電気的に接続されると共に固定部5に固定された光ファイバ3のコアと光学的に接続される光素子8と、を備え、ケース4内に延出された光ファイバ3は、基板6周縁のケース4の内壁に沿って巻回され、固定部5は、ケース4の幅方向の中心からずれた位置に配置される。 (もっと読む)


【課題】製品における欠陥を低減する。
【解決手段】Feを2.1重量%以上3.6重量%以下、Znを0.05重量%以上0.2重量%以下、Pを0.01重量%以上0.12重量%以下、Snを0.01重量%以上0.12重量%以下、Siを0.005重量%以上0.05重量%以下、Mnを0.005重量%以上0.06重量%以下含有し、残部がCuと不可避不純物からなる銅合金鋳塊11であって、連続鋳造を経た後の鋳造方向に垂直な断面において、結晶粒内および結晶粒界に存在する初晶鉄粒子の長径の平均値が5μm以下である。 (もっと読む)


【課題】成長時間を短縮してスループットを向上することが可能なトランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板2上に、電子供給層6,10及びチャネル層8を有する高電子移動度トランジスタ構造層3を形成する工程と、高電子移動度トランジスタ構造層3上に、コレクタ層14、ベース層15、エミッタ層16及びノンアロイ層18を有するヘテロバイポーラトランジスタ構造層4を形成する工程と、を有するトランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法において、ヘテロバイポーラトランジスタ構造層4を、気相成長法により成長温度400℃以上600℃以下で、かつ、一定の成長温度で成長するようにした。 (もっと読む)


【課題】異なる金属の正極リードと負極リードとを接続する場合であっても、機械的に十分な接合強度や接合信頼性(長期接合安定性)を得られ、且つ非水電解質蓄電装置の組立プロセスの簡便、確実化及び非水電解質蓄電装置の小型化を可能とする電極リード接続体及びこれを用いた非水電解質蓄電装置並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】電池セル11の正極に接続された正極リード12と他の電池セル11の負極に接続され、正極リード12と異なる金属からなる負極リード13との間に配置されて正極リード12と負極リード13とを電気的に接続する電極リード接続体10において、正極リード12と同じ金属からなり、正極リード12に接続させる第一部材14と、負極リード13と同じ金属からなり、負極リード13に接続させる第二部材15と、を備え、第一部材14と第二部材15は、正極接合部16及び負極接合部17以外の部分で互いに接合されており、その接合部が露出しないように遮蔽されているものである。 (もっと読む)


【課題】不純物として、アルカリ金属、ハロゲン、硫黄、およびリンの含有量が少ない金属微粒子を提供する。
【解決手段】保護剤で表面が被覆された金属微粒子であって、前記保護剤がアミン化合物、カルボン酸化合物のうち少なくとも1種類から選択され、前記金属微粒子に含まれるアルカリ金属、ハロゲン、硫黄、およびリンの合計含有量が前記金属微粒子の質量に対して0.1mass%未満の金属微粒子である。 (もっと読む)


【課題】複数のインターフェース中継器と、複数の前記インターフェース中継器に接続された複数のファブリック中継器とで構成されるネットワーク中継システムにおいて、自動的にLAGを設定することができる技術の提供を課題とする。
【解決手段】各FS16a〜16hは、各IFS14a〜14xと相互に接続されている。各FS16a〜16hは、FS番号を格納した設定フレーム60を接続先のIFS14a〜14xへ向けて送信する。各IFS14a〜14xは、受信した設定フレーム60に格納されているFS番号と、これを受信したポートとを対応付けてLAG設定テーブルに登録する。そして、各IFS14a〜14xは、対応付けたFS番号の順にポート52a〜52hをソートし、LAG18a〜18xを共通の順序にて設定する。 (もっと読む)


【課題】雄端子側の取付位置の誤差を許容し、雄端子の取付位置に誤差があっても、雌端子との良好な接触を得ることができるコネクタ、及びワイヤハーネスを提供する。
【解決手段】コネクタ1は、雄端子7が嵌合される嵌合部21、及び電線5が接続される接続部23を有する雌端子2と、雌端子3の嵌合部21を収容する収容孔311が形成されたハウジング30とを備え、雌端子2の嵌合部21は、雄端子7との嵌合方向に対して交差する方向へ移動可能に、ハウジング30の収容孔311に収容されている。 (もっと読む)


【課題】高いバリア性を有するCu−Mn合金膜を形成する。
【解決手段】半導体素子の配線の形成に用いられるCu−Mn合金スパッタリングターゲット材10であって、濃度が8原子%以上30原子%以下のMnと、不可避的不純物とを含むCu−Mn合金からなり、Cu−Mn合金の平均結晶粒径が10μm以上50μm以下である。 (もっと読む)


【課題】障害が発生した場合に、通信経路を切り替えることができるネットワーク中継システムを提供する。
【解決手段】ネットワーク中継システム10は、複数のIFS14及び複数のFS16を備え、IFS14a〜14xとFS16a〜16hとが相互に物理回線で接続されている。IFS14において、FS16が接続されているポートにはLAGが設定されている。IFS14とFS16とは相互に検知フレームを送受信しており、検知フレームを受信できない場合、ネットワーク中継システム10内で障害が発生したと判定する。FS16は、障害が発生したと判定すると、複数のIFS14に障害通知フレームを送信し、複数のIFS14はそれぞれ障害通知フレームを受信したポートをLAGから除外する。 (もっと読む)


【課題】負極活物質層に対して高い密着性を維持しつつ粗化粒子の脱落を抑制し、また、タブリードとの溶接強度を向上させる。
【解決手段】銅又は銅合金からなる圧延銅箔と、圧延銅箔の少なくとも順に設けられた第1Cuめっき層と、粗化粒子と、第2Cuめっき層と、を有し、さらに、ニッケル−コバルト合金めっき層、ニッケルめっき層、又はコバルトめっき層のいずれかと、を備え、負極活物質層のバインダ割合Cb(wt%)をCbとすると、表面粗さRaが、Cb≧38×Ra×Ra−1.2×Ra(ただし、0.10≦Ra≦0.72、かつ、2≦Cb≦20)を満たす。 (もっと読む)


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