説明

株式会社フジクラにより出願された特許

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【課題】電子機器の内部に強制対流を発生することができる薄型の冷却装置1を提供する。
【解決手段】通電される電力に応じて伸縮もしくは膨張する圧電素子4,5の動力を利用して強制対流を発生させる冷却装置1において、少なくとも一方に開口した開口部7を有する容器と、該容器の少なくとも一つの壁面が可撓壁面2(3)とされ、該可撓壁面2(3)に設けられかつ交流電流が通電されることにより振動する圧電素子4(5)とを備え、前記圧電素子4(5)を振動させることにより、前記容器の内部に介在する空気を圧縮・膨張させるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】高温環境下で使用されても優れた耐久性を有する色素増感太陽電池を提供する。
【解決手段】導電性基板17と、導電性基板17の表面17aに設けられる酸化物半導体層13と、導電性基板17の表面17a上であって酸化物半導体層13の周囲に設けられる集電配線15及び集電配線15を覆って保護する絶縁性の配線保護層16とを有する配線部14とを有する第1電極10と、第1電極10に対向する第2電極20と封止部40と電解質30とを備え、導電性基板17の表面17aからの配線部14の厚さが酸化物半導体層13の厚さよりも大きく、第2電極20が、可撓性を有する可撓性電極であり、可撓性電極20よりも高い剛性を有する剛性部材50が、可撓性電極のうち電解質30と反対側の表面20aに固定され、剛性部材50が配線部14と少なくとも一部において可撓性電極20を介して重なるように設けられている色素増感太陽電池100。 (もっと読む)


【課題】非接触でありながら、屈折率整合剤を必要としないコネクタ接続が可能な多心光コネクタを得る。
【解決手段】ピン嵌合位置決め方式の多心光コネクタ同士による光接続方法であって、一方の多心光コネクタ50の光ファイバ50aは先端面が露出している。他方の多心光コネクタ1には、各光ファイバ12aのそれぞれの先端の前方位置に光コネクタ先端面3cより後退する態様で集光レンズ3aが形成されている。一方の多心光コネクタ50のそれぞれの光ファイバ50aの端面又は他方の多心光コネクタ1の対応する光ファイバ12aの端面のいずれか片側の多心光コネクタからの光束を、他側の多心光コネクタの前記集光レンズ3aによって集束させて光接続する。片側の多心光コネクタから出射した光束は集光レンズで集光されて、対向する多心光コネクタの光ファイバの端面に焦点を結ぶので、反射による光損失は十分小さく、屈折率整合剤を介在させる必要はない。 (もっと読む)


【課題】コネクタ内に光ファイバの余長を十分に確保しつつ、コネクタの小型化を図る。
【解決手段】本発明は、光ファイバを有するケーブルと、前記光ファイバの端面と光学的に結合された光電変換部を収容するコネクタと、を備えるコネクタ付きケーブルであって、前記コネクタから延び出る前記ケーブルの方向を前後方向としたとき、前記コネクタの内部において、前記光ファイバの前記前後方向の向きを変えて前記光ファイバをU字状に湾曲させた湾曲部が形成されるとともに、前記湾曲部と前記光ファイバの前記端面との間において前記光ファイバが曲げられて、前記光ファイバが前記前後方向に対して鋭角をなすように前記光ファイバの前記端面と前記光電変換部とが結合されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体チップが小さくても不具合なくダイシングテープから剥離させることができる半導体チップ突き上げ駒を提供する。
【解決手段】半導体チップ突き上げ駒(2)は、粘着テープ(DT)上に貼着された半導体チップ(51a)を前記粘着テープ(DT)から剥離させるために、粘着テープ(DT)の下面(DTb)に対し中心軸線(CL)方向に突き上げられる。また、中心軸線(CL2)に直交する第1の平面の一部であって、縁部が、隣接する辺同士が互いに直交する四つの辺(2ta〜2td)を含んでなる平坦面(2t)と、平坦面(2t)における四つの隅部それぞれに立設し、最先端部が第1の平面に平行な第2の平面に含まれる四つの凸部(2b1〜2b4)と、四つの辺(2ta〜2td)それぞれを含み、中心軸線(CL2)から離れるに従って第1の平面から遠ざかる方向に傾斜した四つの平面(2h1〜2h4)と、を有する。 (もっと読む)


【課題】対極において耐食性と導電性とを両立させ、内部抵抗を低減して光電変換特性に優れた光電変換素子を提供すること。
【解決手段】本発明の光電変換素子は、増感色素を担持させた多孔質酸化物半導体層13を有し、窓極として機能する作用極14と、少なくとも一部に電解質層15を介して該作用極と対向して配される対極20とを備えてなる光電変換素子1であって、前記対極は、その厚さ方向に異なる部材からなる部位が重ねて配されたクラッド材であるとともに、前記電解質に対して不活性な金属板と、金属層とを重ねて構成され、該金属板は、その一面が前記電解質層の方向を向いて配されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】単結晶成長表面と原料表面との温度差をより一層増加可能で、長時間に亘る成長でも、成長速度が落ちることなく結晶成長を行うことが可能な化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】成長容器1内の一端側に種結晶9を、他端側に原料6を配置し、原料6を昇華させて単結晶5を製造する製造装置100であって、加熱炉4と、成長容器1の周囲に配置され加熱炉4内を低温区画17と高温区画18に仕切る熱遮蔽部材12と、高温区画内18にあって成長容器1の他端側の周囲に配置される原料加熱手段3と、成長容器1を支持した状態で移動可能な支持部2とを備え、支持部2は単結晶5を成長させるときに、単結晶成長部15が低温区画17に存在し、原料部16が高温区画18に存在するように、低温区画17側に成長容器1を移動可能であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】小型化が可能であると共に内蔵される電子部品のレイアウトの自由度を高めつつ、内蔵された電子部品の放熱特性の向上を図る。
【解決手段】部品内蔵基板実装体100は、部品内蔵基板1と、これが実装された実装基板2とからなる。部品内蔵基板1は、第1〜第4プリント配線基材10〜40を熱圧着により一括積層した構造を備える。第2プリント配線基材20の第2樹脂基材21に形成された開口部29内には電子部品90が内蔵されている。第4プリント配線基材40の実装面2a側にはバンプ49が形成されている。電子部品90の裏面91aに接続されたサーマルビア14及びサーマル配線13を介して、各層のサーマルビア及びサーマル配線を通り、バンプ49から実装基板2に電子部品90の熱が伝わって、実装基板2にて放熱される。 (もっと読む)


【課題】結晶成長面内の温度分布のバラつきを低減し、良好な結晶性を有する単結晶を提供可能な単結晶の製造装置、および単結晶の製造方法の提供。
【解決手段】本発明の単結晶の製造装置20は、単結晶の原料6を配置する原料配置部4a及び種結晶5を原料6に対して対向配置する種結晶配置部7aを有する成長容器10と、成長容器10を加熱する加熱手段8とを備え、成長容器10は、その内部空間Sにおける縦断面の形状が矩形状であり、前記矩形状の縦断面における長辺と短辺のアスペクト比(長辺寸法/短辺寸法)が2よりも大きく、種結晶配置部7aは、成長容器10の内部空間Sを前記長辺方向に3等分に区画したとき、中央の区画に配置されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 信頼性の高い光ファイバを製造可能な光ファイバ用母材の製造方法、及び、それを用いる光ファイバの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 光ファイバ用母材10Pの製造方法は、MCVD法を用いて光ファイバ用母材を製造する光ファイバ用母材の製造方法であって、ガラス管15Gを回転しながら加熱すると共に、ガラス管15Gの貫通孔H内にガスを供給する工程を備え、この工程の少なくとも一部において、ガラス管15Gの外径が大きくなるように、貫通孔H内を加圧することを特徴とする。 (もっと読む)


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