説明

富士通株式会社により出願された特許

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【課題】撮影画像からターゲットのエリアを指定できる携帯型端末装置を提供すること。
【解決手段】携帯型端末装置に於いて、カメラにより撮影された複数の撮影画像のうち、表示画面に表示する表示画像を決定する決定部と、前記携帯型端末装置の、前記表示画面の法線に交差する平面内に規定される第1、第2の軸を中心とする第1、第2の角速度を取得する第1の取得部と、前記第1、第2の角速度に基づき、前記携帯型端末装置の前記第1、第2の軸を中心とする第1、第2の回転量を算出する第1の算出部と、前記第1、第2の回転量に基づき、前記表示画面の範囲に包含され、前記カメラの光軸に連動する座標を算出する第2の算出部と、前記表示画像の前記座標にポインタを重畳する重畳部と、前記ポインタが重畳された前記表示画像を前記表示画面に表示する表示部と、前記表示画像から前記ポインタを包含する画像エリアを抽出する抽出部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】信号と電力を送信する複数の導電線から供給される電力の最大規格値を超える電力以上の電力を使用することができる情報機器を提供すること。
【解決手段】外部のケーブル31に接続される接続部2を介して送られる信号と第1電力を分離し、分離した前記第1電力の電力量を制御して出力する第1給電部1と、前記第1電力の電圧よりも低い出力電圧の第2電力を出力する二次電池21と、前記第1電力と前記第2電力を合流し、合流した電力を負荷10に供給する合流部13と、を有する。 (もっと読む)


【課題】電極層と固体電解質層の特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】正極層12および負極層16と、前記正極層と前記負極層との間に設けられ結晶化した第1固体電解質層14と、前記第1固体電解質層と前記正極層および前記負極層のうち少なくとも一方との間に設けられた非晶質な第2固体電解質層18と、を具備する二次電池。 (もっと読む)


【課題】電気容量を大きくし、性能を向上させたリチウム二次電池を実現する。
【解決手段】電極活物質を、化学式LiMMo(ここで、xは1.5以上2.5以下であり、MはV、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cuからなる群から選ばれるいずれか一種の材料である)で表されるものとする。 (もっと読む)


【課題】 半導体ナノデバイスに関し、基板上における臨界膜厚を超えた厚さの歪のある半導体薄膜を形成してデバイス領域とする。
【解決手段】 長径が1μm未満の半導体ナノワイヤコアと、前記半導体ナノワイヤコアの側壁に形成され、前記半導体ナノワイヤコアの構成材料との歪εが1%以上異なる半導体材料からなり、且つ、膜厚t〔nm〕と歪ε〔%〕とが、
−0.720+0.0988ε−1.2<t≦−0.705+0.227ε−1.2
の関係を満たす少なくとも一層の半導体薄膜との接合界面或いは前記半導体薄膜同士の接合界面を機能領域とする。 (もっと読む)


【課題】 半導体光集積素子及びその製造方法に関し、光導波路の伝播損失を増大させることなく、PDの暗電流を10nA以下まで低減する。
【解決手段】 n型クラッド層側から順に少なくとも光吸収層及びZnドープp型クラッド層が積層されたフォトダイオード領域の傾斜側面に対して[011]方向にバットジョイント結合した光導波路領域における光導波路層に(100)面方位での飽和濃度以下の濃度のFeをドープし、上側クラッド層に(100)面方位での飽和濃度以上の濃度のFeをドープする。 (もっと読む)


【課題】高い光利得を得ながら閾値電流値を低減することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に形成された複数の量子ドット層12と、複数の量子ドット層12間に位置する中間層と、が設けられている。量子ドット層12に含まれる量子ドット12aの組成が、InxGa1-xAsySb1-y(0<x≦1、0<y≦1)で表わされる。中間層には、組成がInaGa1-aAsb1-b(0<a<1、0<b<1)で表わされ、厚さが10nm以上40nm以下のInGaAsP層13、15と、InGaAsP層13、15の底面から10nm以上40nm未満の高さに位置し、厚さが0.3nm以上2nm以下のInP層14と、が含まれている。 (もっと読む)


【課題】Fan−out型のWLPにおいて、金属バンプの接合を確実に行う。
【解決手段】電子装置1は、回路基板2上にパッケージ部品5が金属バンプ4を介して実装されている。パッケージ部品5は、半導体チップ11を樹脂21で覆うと共に、再配線層31によって半導体チップ11の領域の外側に金属バンプ4を配置することが可能になっている。樹脂21内には、銅製の柱25が複数配置されており、各柱25の下方に金属バンプ4が1つずつ配置されている。パッケージ部品5を回路基板2に実装するときは、パッケージ部品5の上方から超音波を印加すると、柱25によって超音波が損失なく伝播させられ、金属バンプ4を溶融させる。 (もっと読む)


【課題】線状構造体の端部を充填層の表面から確実に露出させながら、発熱体及び放熱体に確実に接合できるシート状構造体及びその製造方法を実現したい。
【解決手段】シート状構造体を、炭素元素によって形成された複数の線状構造体1と、140℃〜250℃の温度範囲で粘度が10000mPa・s以下になる熱可塑性樹脂によって形成され、複数の線状構造体の間隙に充填された充填層3と、金属によって形成され、複数の線状構造体の一方の端部側に設けられた第1接合層4と、金属によって形成され、複数の線状構造体の他方の端部を覆う第2接合層5とを備えるものとする。 (もっと読む)


【課題】 シリコン貫通ビアが形成されたLSIチップが搭載されたパッケージ内において、LSIチップから受動部品までの配線距離を短くする構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、基板上に積層された複数のLSIチップからなる半導体装置であって、シリコン貫通ビアが形成されたLSIチップと、前記シリコン貫通ビアが形成されたLSIチップ上に搭載され、前記シリコン貫通ビアを介して電源経路と電気的に接続する1以上の受動部品と、を有することを特徴とする半導体装置に関する。 (もっと読む)


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