【課題】全体の小型化を可能とする光走査装置を提供すること。
【解決手段】被写体に照射する照射光が入射し所定方向へ反射する第１の反射面を有し、該第１の反射面で反射する照射光を第１の軸方向に走査するように前記第１の反射面を回転駆動させる第１のマイクロスキャナ（１０）と、一方の集光点が前記第１の反射面上の照射光位置に設定され、他方の集光点が前記第１のマイクロスキャナ（１０）と干渉しない位置に設定された凹面鏡（５０）と、前記凹面鏡（５０）の他方の集光点に配置された第２の反射面を有し、前記凹面鏡（５０）から前記第２の反射面に入射して反射する照射光を第１の軸方向と異なる第２の軸方向に走査するように前記第２の反射面を回転駆動させる第２のマイクロスキャナ（２０）と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】インバータスタックと配電盤とを連結する出力端子構成の変更を簡単に行うことが可能なインバータ装置を提供すること。
【解決手段】インバータスタック１０と配電盤５０とを備え、インバータスタック１０は、三相の出力端子と、負荷に接続された出力電線５５が取り付けられた出力中継端子５３とを中継する出力中継部として、出力端子からの三相の出力をそのまま出力中継端子５３に出力可能な三相出力中継バー（８１）と、三相出力中継バーをインバータスタック１０に固定させる固定金８２とがユニット化された第１出力中継ユニット８０と、出力端子からの三相の出力を単相として出力中継端子５３に出力可能な単相出力中継バー（９１）と、単相出力中継バーをインバータスタック１０に固定させる固定金（９２）とがユニット化された第２出力中継ユニット（９０）とのうち択一的に選択されたものが用いられている。 （もっと読む）

【課題】リーク不良の発生を抑制でき、かつ薄型基板を用いることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ３０を、半導体基板３５の表層部に形成された第１導電型層３４と、第１導電型層３４の表面に形成されたゲート絶縁膜３７と、ゲート絶縁膜３７上に形成されたゲート電極３８と、半導体基板３５の主表面３５ａ上に配置され、主表面３５ａの一部を露出させるコンタクトホール４２が形成された層間絶縁膜４１と、層間絶縁膜４１上に配置され、コンタクトホール４２を介して半導体基板３５と接続されるアルミニウムを有する材料で構成される上部電極４３と、上部電極４３上に形成されたニッケルを有する材料で構成されるメッキ膜４４と、半導体基板３５の裏面３５ｂに形成された下部電極４６とを有する構成とする。そして、上部電極４３のうちコンタクトホール４２に形成されている部分の膜厚ｔを２μｍ以上にする。 （もっと読む）

【課題】高濃度のダストや水分が存在する測定環境であっても測定対象ガスの濃度を正確に測定可能なガス分析装置を提供する。
【解決手段】レーザ素子２０４と、測定対象ガスの吸収スペクトルを含む波長領域のパルス信号に高周波変調信号を重畳して得た高周波変調パルス信号を発生するパルス信号発生手段と、高周波変調パルス信号をレーザ素子２０４に印加して高周波変調パルス光を出射させるレーザ駆動手段と、高周波変調パルス光をコリメートして測定対象ガスが存在する煙道内部１等の測定対象空間に照射するレンズ２０５等のレーザ光学系と、煙道内部１を介して受光した高周波変調パルス光を電気的な受光信号に変換するためのレンズ２０６、受光素子２０７等の受光手段と、前記受光信号から測定対象ガス濃度を検出するガス濃度検出手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】コストの低減化を図りながら、より簡単にインバータスタックを配電盤に設置することが可能な運搬用カートを提供すること。
【解決手段】インバータスタック１０を設置対象となる配電盤５０まで搬送し、かつ配電盤５０に設置するための運搬用カート１であって、配電盤５０におけるインバータスタック１０の載置面５１と同じ高さレベルを有し、かつインバータスタック１０を載置した状態で支持する支持面３と、支持面３より外方に突出する態様で設けられ、かつ自身が載置面５１間に形成された進入部５２に進入することで水平方向の位置決めを行う突出部３ａとを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】接点部に流れる電流の向きにかかわらず十分なアーク消弧機能を確保しながら小型化することが可能な電磁接触器を提供する。
【解決手段】所定間隔を保って配置された一対の固定接触子１１１，１１２及び当該一対の固定接触子に対して接離自在に配設された可動接触子１３０を絶縁材で形成された接点収納ケース１０２内に収納した接点装置１００を備え、前記接点収納ケース内における前記可動接触子に沿う対向内周面にそれぞれ互いの対向磁極面を同一極性に着磁した一対のアーク消弧用内側永久磁石１４３，１４４を前記可動接触子に近接させて配置するとともに、前記接点収納ケースの外周面における前記アーク消弧用内側永久磁石に対向する位置に当該アーク消弧用内側永久磁石と同極性で且つ当該アーク消弧用内側永久磁石より保磁力が大きい一対のアーク消弧用外側永久磁石１５１，１５２を配置した。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さくて遅延が少なく且つ特性に与える素子バラツキの影響が小さいDC-DCコンバータの異常電流防止回路を提供する。
【解決手段】電流検出抵抗12を流れる電流を所定の基準電流と比較して過電流の有無を判定する電流コンパレータ30を備える。検出抵抗12の電圧は通常時(正常時)には負電圧であるが異常時に逆電流が生じた場合には正電圧が現れるようになる。電流コンパレータ30は検出抵抗12の電圧を監視し、検出抵抗12の電圧が負電圧の間はハイ出力をラッチ10を介してＡＮＤ回路20に送ってPWM比較器9の出力信号がローサイド側スイッチ素子14,19に伝わるようにし、検出抵抗12の電圧が正電圧になると電流コンパレータ30の出力電圧はローになり、ローサイド側スイッチ素子14,19を強制的にOFFにする。 （もっと読む）

【課題】直流−直流変換回路の同期整流回路においては、スイッチング時のサージ電圧を抑制するために、同期整流用ＭＯＳＦＥＴの両端にスナバを設けるが部品点数が増加し、装置が大型になる。
【解決手段】従来から用いられている同期整流回路制御用ＩＣの電源に接続されているコンデンサが同期整流用ＭＯＳＦＥＴと並列接続されるように逆阻止形半導体スイッチを用いて回路を構成する。この逆阻止形半導体スイッチは、同期整流用ＭＯＳＦＥＴの駆動信号又は同期整流用ＭＯＳＦＥＴの両端電圧と同期した信号と、ＩＣ電源に接続されたコンデンサ電圧をＩＣの上限と下限の許容値内に制御する信号とで駆動する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング時のストレスでボンディングパッド下の絶縁層のダメージを電気的に検出できる半導体装置および導入されたダメージを検出して良品、不良品を判定できる半導体装置の試験方法を提供すること。
【解決手段】酸化膜４上にポリシリコン５を配置し、このポリシリコン５にｐｎダイオード９を形成し、ｎカソード層６上に層間絶縁膜１０を挟んで第１ボンディングパッド１１を配置する。また、ｐアノード層７上に第２ボンディングパッド１２を配設することで、層間絶縁膜１０に導入されるダメージが層間絶縁膜１０を貫通するか否かを電気的に検出できる半導体装置（パワーＩＣなど）とすることができる。 （もっと読む）

【課題】被検体の破壊後に継続電流による被検体の損傷拡大や試験回路の損傷を抑制可能な半導体試験装置を提供する。
【解決手段】電源部２１と被検体１０との間に設けられ、被検体１０の破壊時に被検体１０に流れる電流を遮断する半導体スイッチ２２ａのターンオフ時に発生するサージ電圧を吸収するスナバ回路として、放電阻止型のスナバ回路２３を用いることで、半導体スイッチ２２ａがターンオフ後に流れる継続電流を減少でき、被検体１０の損傷の拡大及び試験回路の損傷が抑制される。 （もっと読む）